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不同沟道长度MOSFET的热载流子效应
1
作者
韩德栋
张国强
+3 位作者
任迪远
余学锋
郭旗
陆妩
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期309-311,317,共4页
对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非...
对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。
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关键词
MOSFET
不同沟道长度
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
热载流子效应
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职称材料
题名
不同沟道长度MOSFET的热载流子效应
1
作者
韩德栋
张国强
任迪远
余学锋
郭旗
陆妩
机构
中国科学院新疆物理研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期309-311,317,共4页
文摘
对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。
关键词
MOSFET
不同沟道长度
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
热载流子效应
Keywords
different channel lengths
MOSFET
hot carrier effects
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
不同沟道长度MOSFET的热载流子效应
韩德栋
张国强
任迪远
余学锋
郭旗
陆妩
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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