检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

一种含上电复位功能的超低功耗振荡器设计: 1; 作者郭慧娴宋树祥蔡超波《现代电子技术》北大核心 2025年第18期65-69,共5页; 为了以较低功耗为电路系统提供稳定可靠的时钟信号,提出一种具有上电复位(POR)与掉电检测(BOD)功能的超低功耗环形振荡器。该设计包含两种电路:低静态电流上电复位电路基于本征MOS管产生电压基准,检测到电源电压变化后释放复位信号,在... 展开更多; 关键词振荡器超低功耗上电复位掉电检测低静态电流电压基准; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种具有零稳态电流的新型上电复位电路被引量：3: 2; 作者单伟伟周垚吴建辉《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期213-218,共6页; 为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电... 展开更多; 关键词上电复位电路零稳态电流电平检测起拉电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

保证可编程芯片和单片机上电复位信号时序正确的两种方法被引量：1: 3; 作者杨书华柏军《电测与仪表》北大核心 2003年第5期42-43,51,共3页; 首先介绍了在嵌入式系统中,CPU和可编程芯片上电复位电路不仅要满足复位时间要求,而且还要有正确的时序,保证在对可编程芯片初始化时,该芯片上电复位已经结束。然后分别介绍了用硬件法和软件法实现可编程芯片和单片机上电复位信号时序... 展开更多; 关键词嵌入式系统 CPU 可编程芯片上电复位单片机时序软件法硬件法; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于射频标签的低功耗上电复位电路被引量：2: 4; 作者张旭琛彭敏 +1 位作者戴庆元杜涛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期45-48,共4页; 介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路。该上电复位电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路能够抵抗比较大的电源电压噪声影响... 展开更多; 关键词上电复位低功耗射频识别 0.13μm 互补金属氧化物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高可靠性上电复位芯片的设计: 5; 作者王汉祥李富华谢卫国《现代电子技术》 2009年第2期12-15,共4页; 为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案。并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性。使用0.6μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型,利用... 展开更多; 关键词上电复位带隙基准温度系数运算跨导放大器激光调整; 在线阅读下载PDF 职称材料

版图面积受限POR电路中复位延迟问题的研究: 6; 作者屈小钢杨海钢《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期1389-1394,共6页; 针对上电复位电路中实现毫秒级复位时间的电阻和电容所需面积过大的问题,该文给出了一种基于指数时间扩展技术的面积有效的延时电路。该电路利用环形振荡器产生信号的周期作为参考单位延时,通过异步分频实现增大的指数倍的延时,能在节... 展开更多; 关键词 VLSI ASIC 可编程逻辑器件延时电路上电复位电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计被引量：1: 7; 作者苏梦瑶陈旭斌 +6 位作者邱仅朋王志宇刘家瑞陈华尚永衡刘东栋郁发新《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期792-798,共7页; 为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理... 展开更多; 关键词单粒子翻转双边上电复位位线分离三模冗余双互锁存储单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种含上电复位功能的超低功耗振荡器设计: 1; 作者郭慧娴宋树祥蔡超波; 机构广西师范大学电子与信息工程学院/集成电路学院广西高校集成电路与微系统重点实验室; 出处《现代电子技术》北大核心 2025年第18期65-69,共5页; 基金国家自然科学基金项目(62061005) 广西自然科学基金项目(2022GXNSFBA035646)。; 文摘为了以较低功耗为电路系统提供稳定可靠的时钟信号,提出一种具有上电复位(POR)与掉电检测(BOD)功能的超低功耗环形振荡器。该设计包含两种电路:低静态电流上电复位电路基于本征MOS管产生电压基准,检测到电源电压变化后释放复位信号,在复位信号释放后切断大部分电路,可以大大减小静态电流;振荡器电路使用三级环形振荡器结构,起振条件简单,电流消耗低,并接反相器以增加驱动能力。POR电路将复位信号输入至后续环形振荡器,在设计的电压范围内使振荡器工作,以小的面积和功耗获得稳定的振荡信号。基于0.13µm CMOS工艺的仿真结果表明,在0.6 V电压下,该电路POR部分静态电流约为26.6 nA,整体电路功耗约为82 nW,同时占用57.7µm×37.8µm的硅面积。; 关键词振荡器超低功耗上电复位掉电检测低静态电流电压基准; Keywords oscillator ultra-low power consumption power-on-reset brown-out detection low quiescent current voltage reference; 分类号 TN752-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种具有零稳态电流的新型上电复位电路被引量：3: 2; 作者单伟伟周垚吴建辉; 机构东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心; 出处《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期213-218,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(60871079) 江苏省基础研究计划资助项目(BK2010165); 文摘为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电流,其输出复位电压的状态由状态锁存电路锁存.该电路采用0.18μm Bi-CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V.Cadence Spectre的仿真结果表明,该电路在上电复位结束后的稳态仅有数纳安的漏电流,起拉电压和欠压检测电压受温度影响很小,因而适用于集成到超大规模片上系统(SoC)芯片中.; 关键词上电复位电路零稳态电流电平检测起拉电压; Keywords power-on-reset circuit zero steady-state current consumption voltage detector pull-up voltage; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名保证可编程芯片和单片机上电复位信号时序正确的两种方法被引量：1: 3; 作者杨书华柏军; 机构哈尔滨工业大学(威海); 出处《电测与仪表》北大核心 2003年第5期42-43,51,共3页; 文摘首先介绍了在嵌入式系统中,CPU和可编程芯片上电复位电路不仅要满足复位时间要求,而且还要有正确的时序,保证在对可编程芯片初始化时,该芯片上电复位已经结束。然后分别介绍了用硬件法和软件法实现可编程芯片和单片机上电复位信号时序正确的实施过程。; 关键词嵌入式系统 CPU 可编程芯片上电复位单片机时序软件法硬件法; Keywords EPLD POR hardware method software method; 分类号 TP338 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于射频标签的低功耗上电复位电路被引量：2: 4; 作者张旭琛彭敏戴庆元杜涛; 机构上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微米纳米加工技术国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期45-48,共4页; 基金上海信息委2009年资助项目(NFC01_SJXW0709); 文摘介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路。该上电复位电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路能够抵抗比较大的电源电压噪声影响。电路产生上电复位信号脉冲后,通过反馈控制使能端信号关断整个电路,实现低功耗。电路采用华虹NEC公司0.13μm标准CMOS工艺流片,测试结果表明,此电路能够输出有效的脉冲信号;脉冲过后的导通电流基本为0。FPGA平台的验证表明,芯片输出的POR信号能够正确启动标签中的数字基带芯片,输出信号有效。; 关键词上电复位低功耗射频识别 0.13μm 互补金属氧化物半导体; Keywords power on reset （POR） low power dissipation radio frequency identification （RFID） 0. 13 μm COMOS; 分类号 TN710 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高可靠性上电复位芯片的设计: 5; 作者王汉祥李富华谢卫国; 机构苏州大学电子信息学院; 出处《现代电子技术》 2009年第2期12-15,共4页; 基金苏州市创新人才基金资助项目(ZXG0719); 文摘为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案。并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性。使用0.6μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型,利用HSpice对其功能仿真,结果表明该电路3.3 V工作电压下的阈值电压为3.08 V,复位延时时间为100 ms,能稳定可靠地提供复位信号,可适用于电脑、微控制器以及便携式电子产品的电源监控。; 关键词上电复位带隙基准温度系数运算跨导放大器激光调整; Keywords power - on reset bandgap temperature coefficient OTA laser trimming; 分类号 TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名版图面积受限POR电路中复位延迟问题的研究: 6; 作者屈小钢杨海钢; 机构中国科学院电子学研究所中国科学院研究生院; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期1389-1394,共6页; 文摘针对上电复位电路中实现毫秒级复位时间的电阻和电容所需面积过大的问题,该文给出了一种基于指数时间扩展技术的面积有效的延时电路。该电路利用环形振荡器产生信号的周期作为参考单位延时,通过异步分频实现增大的指数倍的延时,能在节省芯片面积的情况下实现毫秒级延时,在上电复位电路中实现足够长的复位时间。同时,该文给出了SMIC 0.18μm工艺下设计的SPICE仿真和实验测试结果。实现延迟时间0.91ms和54.9ms时,电路版图面积分别约为172μm×75μm和172μm×95μm。与通常的RC方法相比,实现相同的延时至少各节省约82.8%和97%的面积。; 关键词 VLSI ASIC 可编程逻辑器件延时电路上电复位电路; Keywords VLSI ASIC PLD（Programmable Logic Device） Delay circuit Power-On Reset（POR） circuit; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计被引量：1: 7; 作者苏梦瑶陈旭斌邱仅朋王志宇刘家瑞陈华尚永衡刘东栋郁发新; 机构浙江大学航空航天学院; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期792-798,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61401395) 中央高校基本科研业务费专项资助项目(2014QNA4033); 文摘为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理图和版图两个层面,对传统移位寄存器结构进行全面SEU加固.为了模拟单粒子效应,在电路敏感节点注入不同线性能量传输(LET)的瞬态电流脉冲,利用Spectre仿真器及BSIM3v3物理模型,结合瞬态电路分析理论,对所设计的移位寄存器进行抗单粒子翻转性能仿真验证.仿真结果表明,提出的双边复位POR和SEU加固DICE电路在LET为100MeV·cm2/mg时不发生翻转.与传统的移位寄存器相比,设计的移位寄存器的抗单粒子翻转能力有显著的提高,具备高可靠性和辐射耐受性,可以用于航天领域的CMOS芯片设计.; 关键词单粒子翻转双边上电复位位线分离三模冗余双互锁存储单元; Keywords single event upset bilateral power on reset bit-line segregation tri-mode redundancy dual interlocked storage cell; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种含上电复位功能的超低功耗振荡器设计	郭慧娴宋树祥蔡超波	《现代电子技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种具有零稳态电流的新型上电复位电路	单伟伟周垚吴建辉	《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	保证可编程芯片和单片机上电复位信号时序正确的两种方法	杨书华柏军	《电测与仪表》北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用于射频标签的低功耗上电复位电路	张旭琛彭敏戴庆元杜涛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种高可靠性上电复位芯片的设计	王汉祥李富华谢卫国	《现代电子技术》	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	版图面积受限POR电路中复位延迟问题的研究	屈小钢杨海钢	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计	苏梦瑶陈旭斌邱仅朋王志宇刘家瑞陈华尚永衡刘东栋郁发新	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料