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一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法被引量：1: 1; 作者邝艳梅赵凯 +2 位作者缪旻陈兢罗昌浩《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期121-128,共8页; 硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法... 展开更多; 关键词三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 双重自修复并串-串并转换高可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

3D-IC类同轴屏蔽型TSV的热力响应分析及结构优化: 2; 作者孙萍王志敏 +1 位作者黄秉欢巩亮《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期818-826,共9页; 硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最... 展开更多; 关键词三维集成电路(3d-ic) 热管理屏蔽型硅通孔(TSV) 有限元仿真热力响应多目标优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种面向三维众核微处理器的新型NoC拓扑结构: 3; 作者陈继承王洪伟张闯《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2016年第8期1542-1549,共8页; 三维微处理器具有集成度高、全局互连线短及连接部件多的优势,但是传统的三维拓扑结构在大规模系统中无法充分利用垂直方向上低延时高带宽的特性,很难满足大规模众核微处理器低直径、高带宽、高扩展性的需求。针对三维NoC网络直径大、... 展开更多; 关键词众核微处理器片上网络三维集成电路 3D—Mesh NoC—Bus 多级垂直域结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法被引量：1: 4; 作者尚玉玲于浩 +1 位作者李春泉谈敏《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期870-875,共6页; 为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障... 展开更多; 关键词三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 非接触测试环形振荡器 TSV故障; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于链式的信号转移冗余TSV方案: 5; 作者王伟张欢 +3 位作者方芳陈田刘军汪秀敏《计算机工程与应用》 CSCD 2014年第17期34-39,154,共7页; 三维集成电路(3D IC)带来了诸多的益处,譬如高带宽,低功耗,外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而,硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效,会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修... 展开更多; 关键词三维集成电路硅通孔容错 THREE-DIMENSIONAL Integrated Circuits(3D IC); 在线阅读下载PDF 职称材料

类同轴TSV的高频电学模型与分析被引量：2: 6; 作者吴伟孙毅鹏 +3 位作者张兆华王一丁付永启崔凯《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期926-932,共7页; 类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预... 展开更多; 关键词三维(3D)集成电路(IC) 硅通孔(TSV) 类同轴结构等效电路模型电阻-电感-电容-电导(RLCG)参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法被引量：1: 1; 作者邝艳梅赵凯缪旻陈兢罗昌浩; 机构北京信息科技大学信息与通信工程学院北京大学微米纳米加工技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期121-128,共8页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2015CB057201) 国家自然科学基金资助项目(U1537208 +5 种基金 61674016) 北京信息科技大学校基金资助项目(5221510909); 文摘硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法。该方法既可以对随机出现的缺陷TSV进行冗余TSV替换,从而实现硬修复;也可以在冗余TSV数量不足时,通过两种不同的软修复策略,对信号进行"并串-串并"转换,实现局部范围内的软修复。该方法能有效减少由大量冗余TSV造成的面积开销,降低缺陷TSV修复率对冗余TSV数量的依赖性,提高缺陷TSV的修复率和3D-IC的可靠性。; 关键词三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 双重自修复并串-串并转换高可靠性; Keywords three-dimensional integrated circuit(3d-ic) through silicon via(TSV) dual-self-repair parallel to serial and serial to parallel conversion high reliability; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3D-IC类同轴屏蔽型TSV的热力响应分析及结构优化: 2; 作者孙萍王志敏黄秉欢巩亮; 机构中国石油大学(华东)新能源学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期818-826,共9页; 基金山东省自然科学基金重大基础研究项目(ZR2019ZD11)。; 文摘硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最大Mises应力准则,对比分析了循环温度载荷对2种类同轴屏蔽型TSV热应力-应变的影响及最大应力点的主要失效形式。最后综合考虑TSV的几何参数对导体和凸块危险点Mises应力的影响,对椭圆柱形类同轴屏蔽型TSV结构进行多目标优化,将2种最优结构中2个危险点的Mises应力分别降低15.10%、17.18%和18.89%、6.74%。为提高TSV热可靠性的优化设计提供参考。; 关键词三维集成电路(3d-ic) 热管理屏蔽型硅通孔(TSV) 有限元仿真热力响应多目标优化; Keywords three-dimensional integrated circuit(3d-ic) thermal management shielded through silicon via(TSV) finite element simulation thermal-mechanical response multi-objective optimization; 分类号 TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种面向三维众核微处理器的新型NoC拓扑结构: 3; 作者陈继承王洪伟张闯; 机构浪潮集团有限公司高效能服务器与存储技术国家重点实验室; 出处《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2016年第8期1542-1549,共8页; 文摘三维微处理器具有集成度高、全局互连线短及连接部件多的优势,但是传统的三维拓扑结构在大规模系统中无法充分利用垂直方向上低延时高带宽的特性,很难满足大规模众核微处理器低直径、高带宽、高扩展性的需求。针对三维NoC网络直径大、可扩展性要求高以及路由端口多的问题,提出了一种基于多级垂直域的三维拓扑结构—V-Spidergon,其在水平层上采用Spidergon结构,在垂直方向上采用多级垂直域扩展结构,域内及域间均实现全互连。实验数据表明,在8层、16层和32层堆叠下,V-Spidergon结构的延时较3D-Mesh分别降低15.1%、28.5%和55.7%,较NoC-Bus分别降低11.5%、32.7%和77.6%;在15%和100%负载率注入情形下,V-Spidergon的平均延时表现出与水平层数增加不相关的特性。; 关键词众核微处理器片上网络三维集成电路 3D—Mesh NoC—Bus 多级垂直域结构; Keywords many-core microprocessor network on chip 3D integrated circuit 3D-Mesh NoC-Bus hierarchical vertical domain; 分类号 TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法被引量：1: 4; 作者尚玉玲于浩李春泉谈敏; 机构桂林电子科技大学电子工程与自动化学院桂林电子科技大学机电工程学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期870-875,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61661013 51465013) +2 种基金 2017YJCX89) 广西自动检测技术与仪器重点实验室项目(YQ15109); 文摘为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障的不同位置引起的周期变化进行了研究与分析,利用最小二乘法拟合出通过周期来判断故障位置的曲线,同时提出预测模型推断故障电阻范围。测试结构是基于45 nm PTM COMS工艺的HSPICE进行设计与模拟,模拟结果表明,与同类方法相比,此方法在测试分辨故障的基础上对TSV不同位置的故障进行分析和判断,并能推断故障电阻范围。; 关键词三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 非接触测试环形振荡器 TSV故障; Keywords three-dimensional integrated circuit （3d-ic） through silicon via （TSV） contactless test ring oscillator TSV fault; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于链式的信号转移冗余TSV方案: 5; 作者王伟张欢方芳陈田刘军汪秀敏; 机构合肥工业大学情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室; 出处《计算机工程与应用》 CSCD 2014年第17期34-39,154,共7页; 基金国家自然科学基金(No.61106037 No.61204046 +3 种基金 No.61306049) 中央高校基本科研业务费专项资金资助; 文摘三维集成电路(3D IC)带来了诸多的益处,譬如高带宽,低功耗,外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而,硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效,会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修复失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法,但是却带来了面积成本。提出了一种基于链式的信号转移冗余方案,输入端从下一分组选择信号硅通孔传输信号。在基于概率模型下,提出的冗余结构良率可以达到99%,同时可以减少冗余TSV的数目。; 关键词三维集成电路硅通孔容错 THREE-DIMENSIONAL Integrated Circuits(3D IC); Keywords through-silicon-via fault-tolerant; 分类号 TP391.7 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名类同轴TSV的高频电学模型与分析被引量：2: 6; 作者吴伟孙毅鹏张兆华王一丁付永启崔凯; 机构电子科技大学物理学院南京电子技术研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期926-932,共7页; 文摘类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预测电学性能。使用三维全波仿真软件对所提出的模型进行了高达100 GHz的仿真验证,并分析了模型的散射参数与结构尺寸之间的关系。最后提出了特征阻抗的计算和优化方法,该方法可以为类同轴TSV的参数的确定提供参考。; 关键词三维(3D)集成电路(IC) 硅通孔(TSV) 类同轴结构等效电路模型电阻-电感-电容-电导(RLCG)参数; Keywords three-dimensional(3D)integrated circuit(IC) through silicon via(TSV) coaxial-like construction equivalent circuit model resistance-inductance-capacitance-conductance(RLCG)parameter; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法	邝艳梅赵凯缪旻陈兢罗昌浩	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	3D-IC类同轴屏蔽型TSV的热力响应分析及结构优化	孙萍王志敏黄秉欢巩亮	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种面向三维众核微处理器的新型NoC拓扑结构	陈继承王洪伟张闯	《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法	尚玉玲于浩李春泉谈敏	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于链式的信号转移冗余TSV方案	王伟张欢方芳陈田刘军汪秀敏	《计算机工程与应用》 CSCD	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	类同轴TSV的高频电学模型与分析	吴伟孙毅鹏张兆华王一丁付永启崔凯	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料