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题名一种改进的穿硅电容三维互连技术
被引量：1
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作者
刘松
单光宝
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机构
西安微电子技术研究所
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第8期558-564,共7页
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基金
航天先进制造技术研究联合基金资助项目(U1537208)
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文摘
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。
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关键词
三维集成电路(3d
IC)
三维互连
硅通孔(TSV)
电容耦合互连(CCI)
硅通孔(TSV)背面通孔外露工艺
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Keywords
three-dimensional integrated circuit（3d IC）
three-dimensional interconnection
through-silicon via（TSV）
capacitive coupling interconnection（CCI）
through-silicon via（TSV）backside via reveal process
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分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名类同轴TSV的高频电学模型与分析
被引量：1
- 2
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作者
吴伟
孙毅鹏
张兆华
王一丁
付永启
崔凯
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机构
电子科技大学物理学院
南京电子技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期926-932,共7页
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文摘
类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预测电学性能。使用三维全波仿真软件对所提出的模型进行了高达100 GHz的仿真验证,并分析了模型的散射参数与结构尺寸之间的关系。最后提出了特征阻抗的计算和优化方法,该方法可以为类同轴TSV的参数的确定提供参考。
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关键词
三维(3d)集成电路(IC)
硅通孔(TSV)
类同轴结构
等效电路模型
电阻-电感-电容-电导(RLCG)参数
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Keywords
three-dimensional(3d)integrated circuit(IC)
through silicon via(TSV)
coaxial-like construction
equivalent circuit model
resistance-inductance-capacitance-conductance(RLCG)parameter
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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