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一种NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计: 1; 作者张佶金钢 +1 位作者吴雨欣林殷茵《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期909-912,共4页; 随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加。阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点。提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念。在0.13μm工艺下... 展开更多; 关键词与非三维可堆叠多层阻变存储器高密度应用; 在线阅读下载PDF 职称材料

三维阻变存储器的研究进展: 2; 作者高代法王晓荃 +2 位作者王悦尹家宇陈铖颖《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期179-187,194,共10页; 在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRA... 展开更多; 关键词三维阻变存储器(3d-rram) 漏电流热串扰均一性可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

新一代存储技术：阻变存储器被引量：14: 3; 作者王源贾嵩甘学温《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期565-572,共8页; 阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。; 关键词不挥发性存储器阻变存储器电阻可逆转换三维集成多值存储; 在线阅读下载PDF 职称材料

铋掺杂对SrTiO_3薄膜微观结构及阻变行为的影响被引量：2: 4; 作者张文博王华 +3 位作者许积文刘国保谢航杨玲《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1932-1937,共6页; 采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶钛酸锶薄膜 Ag/Sr1-xBixTiO3/p+-Si 铋掺杂阻变特性阻变存储器(RRAM); 在线阅读下载PDF 职称材料

高效光电调控钙钛矿量子点阻变存储性能被引量：2: 5; 作者任书霞杨铮 +3 位作者安帅领孟婕刘晓敏赵晋津《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第12期95-102,共8页; 光电阻变存储器(RRAM)因其微型化、集成化和多功能等优点成为下一代非易失性存储器中最有前途的竞争者。采用低温旋涂法合成具有绿色荧光的无机CsPbBr_(3)量子点(QDs)为阻变功能层,制备了高效光电调控的Ag/CsPbBr_(3) QDs/ITO RRAM器件... 展开更多; 关键词钙钛矿光电调控阻变存储器 CsPbBr_(3) 离子迁移; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计: 1; 作者张佶金钢吴雨欣林殷茵; 机构复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期909-912,共4页; 基金国家自然科学基金(60206005 60376017 +2 种基金 60676007) 国家863项目(2008AA031401) 国家973项目(2007CB935403); 文摘随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加。阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点。提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念。在0.13μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1T64R结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高500%。提出了相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗。; 关键词与非三维可堆叠多层阻变存储器高密度应用; Keywords NAND 3D stackable multi-layer RRAM high density application; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三维阻变存储器的研究进展: 2; 作者高代法王晓荃王悦尹家宇陈铖颖; 机构厦门理工学院光电与通信工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期179-187,194,共10页; 基金国家自然科学基金资助项目(61704143) 福建省自然科学基金面上项目(2018J01566) +1 种基金厦门理工学院高层次人才项目(YKJ17019R)。; 文摘在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRAM的发展现状,分析了现阶段三维RRAM面临的漏电流、热串扰、均一性、可靠性等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案,并对于RRAM未来的应用前景进行了分析和预测,认为其在替代传统存储器、神经网络计算、芯片加密防护等方面有重要的应用前景。; 关键词三维阻变存储器(3d-rram) 漏电流热串扰均一性可靠性; Keywords 3D resistive random access memory(3d-rram) leakage current thermal crosstalk uniformity reliability; 分类号 TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新一代存储技术：阻变存储器被引量：14: 3; 作者王源贾嵩甘学温; 机构北京大学微电子学研究院; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期565-572,共8页; 基金国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助; 文摘阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。; 关键词不挥发性存储器阻变存储器电阻可逆转换三维集成多值存储; Keywords nonvolatile memory resistive random access memory resistance reversible change 3D integration multi-level storage; 分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铋掺杂对SrTiO_3薄膜微观结构及阻变行为的影响被引量：2: 4; 作者张文博王华许积文刘国保谢航杨玲; 机构桂林电子科技大学材料科学与工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1932-1937,共6页; 基金国家自然科学基金(51262003) 广西自然科学基金(2015GXNSFAA139253); 文摘采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x<0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。; 关键词溶胶-凝胶钛酸锶薄膜 Ag/Sr1-xBixTiO3/p+-Si 铋掺杂阻变特性阻变存储器(RRAM); Keywords sol-gel strontium titanate film Ag/Sr 1- x Bi x TiO 3/p ＋-Si bismuth doping resistance switching characteristic resistance-switching random access memory （RRAM）; 分类号 TM212 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高效光电调控钙钛矿量子点阻变存储性能被引量：2: 5; 作者任书霞杨铮安帅领孟婕刘晓敏赵晋津; 机构河北师范大学化学与材料科学学院石家庄铁道大学材料科学与工程学院; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第12期95-102,共8页; 基金国家自然科学基金(U2130128,11772207,U21A20430) 河北省教育厅自然科学基金(ZD2020192) +3 种基金京津冀基础研究合作专项(H2022205047,22JCZXJC00060)资助。; 文摘光电阻变存储器(RRAM)因其微型化、集成化和多功能等优点成为下一代非易失性存储器中最有前途的竞争者。采用低温旋涂法合成具有绿色荧光的无机CsPbBr_(3)量子点(QDs)为阻变功能层,制备了高效光电调控的Ag/CsPbBr_(3) QDs/ITO RRAM器件。该器件具有良好的抗疲劳性能和保持特性。在光照触发下,Ag/CsPbBr_(3) QDs/ITO器件的开关比(ON/OFF比)约为3.2×10^(3),较暗态增大了约24倍;写入电压(VSET)为2.88 V,较暗态降低了约13.3%。电场作用下Br−和Ag+双离子迁移形成混合导电细丝的通断是Ag/CsPbBr_(3) QDs/ITO器件阻变的主要机制。经光照激发作用,CsPbBr_(3) QDs薄膜内缺陷密度的减少促进光电流的增大,促进了Ag/CsPbBr_(3) QDs/ITO器件低阻态(LRS)阻值和VSET减小、进而提高器件ON/OFF比。高效光电调控全无机钙钛矿RRAM技术推动了高密度信息存储器的快速发展。; 关键词钙钛矿光电调控阻变存储器 CsPbBr_(3) 离子迁移; Keywords Perovskite Photoelectric regulation Resistive switching memory CsPbBr_(3) Ion migration; 分类号 O643 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计	张佶金钢吴雨欣林殷茵	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	三维阻变存储器的研究进展	高代法王晓荃王悦尹家宇陈铖颖	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	新一代存储技术：阻变存储器	王源贾嵩甘学温	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	14	在线阅读下载PDF 职称材料
4	铋掺杂对SrTiO_3薄膜微观结构及阻变行为的影响	张文博王华许积文刘国保谢航杨玲	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高效光电调控钙钛矿量子点阻变存储性能	任书霞杨铮安帅领孟婕刘晓敏赵晋津	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料