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基于工艺相关建模方法的三维结构快闪存储器残余应力不对称性分析及缓解策略
1
作者
崔翰文
高彦泽
+7 位作者
张坤
王诗兆
田志强
郭宇铮
夏志良
张召富
霍宗亮
刘胜
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第9期3070-3080,共11页
为进一步提升三维结构快闪存储器(3D NAND)架构的性能表现,行业内涌现出一系列水平与垂直微缩设计思路。这些创新设计方案在突破存储密度瓶颈的同时,也带来了新的集成挑战,其中制造过程中的热机械应力影响尤为突出,制约器件生产的良率...
为进一步提升三维结构快闪存储器(3D NAND)架构的性能表现,行业内涌现出一系列水平与垂直微缩设计思路。这些创新设计方案在突破存储密度瓶颈的同时,也带来了新的集成挑战,其中制造过程中的热机械应力影响尤为突出,制约器件生产的良率及性能表现。该文基于局部代表性体积单元(RVE)有限元过程相关建模框架,针对多层堆叠结构及不同区块(Block)架构设计的技术特点,构建了高精度的3D NAND工艺力学模型。通过系统性研究,深入剖析了3D NAND制造过程中不均匀应力产生的根源,并动态监测了不同微缩方案下机械应力水平及分布规律。研究成果对提高良率和器件可靠性具有重要潜在价值,为提升3D NAND存储密度过程中面临的关键难题提供了有效方案。
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关键词
三维结构快闪存储器
工艺力学
体积表征元
有限单元法
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职称材料
题名
基于工艺相关建模方法的三维结构快闪存储器残余应力不对称性分析及缓解策略
1
作者
崔翰文
高彦泽
张坤
王诗兆
田志强
郭宇铮
夏志良
张召富
霍宗亮
刘胜
机构
武汉大学工业科学研究院
长江存储科技有限责任公司
武汉大学动力与机械学院
出处
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第9期3070-3080,共11页
基金
国家自然科学基金(92473202,62361166628)。
文摘
为进一步提升三维结构快闪存储器(3D NAND)架构的性能表现,行业内涌现出一系列水平与垂直微缩设计思路。这些创新设计方案在突破存储密度瓶颈的同时,也带来了新的集成挑战,其中制造过程中的热机械应力影响尤为突出,制约器件生产的良率及性能表现。该文基于局部代表性体积单元(RVE)有限元过程相关建模框架,针对多层堆叠结构及不同区块(Block)架构设计的技术特点,构建了高精度的3D NAND工艺力学模型。通过系统性研究,深入剖析了3D NAND制造过程中不均匀应力产生的根源,并动态监测了不同微缩方案下机械应力水平及分布规律。研究成果对提高良率和器件可靠性具有重要潜在价值,为提升3D NAND存储密度过程中面临的关键难题提供了有效方案。
关键词
三维结构快闪存储器
工艺力学
体积表征元
有限单元法
Keywords
3D NAND
Process-dependent mechanical model
Representative Volume Element(RVE)
Finite Element Method(FEM)
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于工艺相关建模方法的三维结构快闪存储器残余应力不对称性分析及缓解策略
崔翰文
高彦泽
张坤
王诗兆
田志强
郭宇铮
夏志良
张召富
霍宗亮
刘胜
《电子与信息学报》
北大核心
2025
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