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气-固反应法原位制备硫锡化合物及其结构和形貌表征
1
作者
陈文涛
张晓娜
+1 位作者
李晖
贺蒙
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期340-346,共7页
利用氩气载入的二硫化碳(CS2)蒸汽作为硫源,SnO2粉末作为锡源,通过调控反应温度,分别原位制备了三种不同的硫锡化合物:SnS2、Sn2 S3和SnS.用金属Sn粉代替SnO2作为锡源,可在更低的反应温度下获得了SnS产物.利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电...
利用氩气载入的二硫化碳(CS2)蒸汽作为硫源,SnO2粉末作为锡源,通过调控反应温度,分别原位制备了三种不同的硫锡化合物:SnS2、Sn2 S3和SnS.用金属Sn粉代替SnO2作为锡源,可在更低的反应温度下获得了SnS产物.利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)分别对反应产物进行了显微结构的表征.本文所提出的这种利用气相与固体材料反应原位制备硫锡化合物的方法有望用于基于硫锡化合物的器件制备中,简化制备工艺.
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关键词
原位反应
二
硫化
碳
硫化
亚
锡
二
硫化
锡
三硫化二锡
硫化
亚
锡
纳米片层
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职称材料
化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列
被引量：
3
2
作者
彭跃华
周海青
+6 位作者
刘湘衡
何熊武
赵丁
海阔
周伟昌
袁华军
唐东升
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期1249-1253,共5页
运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在10...
运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.
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关键词
一维纳米结构
阵列
化学气相沉积法
三硫化二锡
气-固生长机理
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职称材料
题名
气-固反应法原位制备硫锡化合物及其结构和形貌表征
1
作者
陈文涛
张晓娜
李晖
贺蒙
机构
北京工业大学固体微结构与性能研究所
国家纳米科学中心
中国科学院大学物理科学学院
天目湖先进储能技术研究院
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期340-346,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.11574060)
文摘
利用氩气载入的二硫化碳(CS2)蒸汽作为硫源,SnO2粉末作为锡源,通过调控反应温度,分别原位制备了三种不同的硫锡化合物:SnS2、Sn2 S3和SnS.用金属Sn粉代替SnO2作为锡源,可在更低的反应温度下获得了SnS产物.利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)分别对反应产物进行了显微结构的表征.本文所提出的这种利用气相与固体材料反应原位制备硫锡化合物的方法有望用于基于硫锡化合物的器件制备中,简化制备工艺.
关键词
原位反应
二
硫化
碳
硫化
亚
锡
二
硫化
锡
三硫化二锡
硫化
亚
锡
纳米片层
Keywords
In-situ reaction
carbon disulfide
tin monosulfide
tin disulfide
tin sesquisulfide
SnS nanosheets
分类号
TG146.14 [金属学及工艺—金属材料]
TG115.215.3 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列
被引量：
3
2
作者
彭跃华
周海青
刘湘衡
何熊武
赵丁
海阔
周伟昌
袁华军
唐东升
机构
湖南师范大学低维量子结构与调控教育部重点实验室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期1249-1253,共5页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-07-0278)
湖南省杰出青年基金(08JJ1001)
+1 种基金
湖南省自然科学基金(07JJ6009)
湖南师范大学青年优秀人才培养计划(070623)资助~~
文摘
运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.
关键词
一维纳米结构
阵列
化学气相沉积法
三硫化二锡
气-固生长机理
Keywords
One-dimensional nanostructure
Array
Chemical vapor deposition
Sn2S3
Vapor-solid growth mechanism
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气-固反应法原位制备硫锡化合物及其结构和形貌表征
陈文涛
张晓娜
李晖
贺蒙
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列
彭跃华
周海青
刘湘衡
何熊武
赵丁
海阔
周伟昌
袁华军
唐东升
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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