以Si C-MOSFET和Si-IGBT器件混合型三电平有源中点钳位3L-ANPC(three-level active neutral point clamped)变流器拓扑为研究对象,对3种脉宽调制方式下的共模电磁干扰CM EMI(common-mode electromagnetic interference)特性进行研究。...以Si C-MOSFET和Si-IGBT器件混合型三电平有源中点钳位3L-ANPC(three-level active neutral point clamped)变流器拓扑为研究对象,对3种脉宽调制方式下的共模电磁干扰CM EMI(common-mode electromagnetic interference)特性进行研究。首先介绍了3L-ANPC变流器拓扑结构中Si C-MOSFET和Si-IGBT器件的2种组合模式及3种调制方式,然后对3L-ANPC变流器拓扑共模噪声传输机理进行分析,基于分析建立了包含寄生参数和噪声源的EMI模型,并推导出每种调制方式下传导路径的阻抗表达式,得到了共模传导路径阻抗特性曲线。最终通过实验验证了3种调制方式下器件混合型3L-ANPC变流器拓扑共模噪声的分析结论。展开更多
高速磁浮交通牵引变流器采用24 MVA背靠背三电平有源中点钳位拓扑,其中两台整流器和两台逆变器共用直流母线。该文分析整流侧和逆变侧在不同功率因数下中点电压(neutral point voltage,NPV)偏移机理及不同电压矢量对NPV的具体影响。据此...高速磁浮交通牵引变流器采用24 MVA背靠背三电平有源中点钳位拓扑,其中两台整流器和两台逆变器共用直流母线。该文分析整流侧和逆变侧在不同功率因数下中点电压(neutral point voltage,NPV)偏移机理及不同电压矢量对NPV的具体影响。据此,针对高速磁浮逆变器并联和串联两种模式,建立NPV偏移模型,得到在调制比和功率因数同时变化时NPV的可控区域。为在全速范围保证NPV平衡,提出一种基于平移调制波的协同控制策略。为减轻整流器功率因数和调制比对NPV的影响,采用一种具有相电压半波对称性的载波脉宽调制,并证明其具备NPV自平衡能力。仿真和硬件在环实验表明,所提策略具有NPV恢复到平衡状态所需时间短、可控范围大等优点,可在高速磁浮全速工况下保证NPV平衡。展开更多
文摘以Si C-MOSFET和Si-IGBT器件混合型三电平有源中点钳位3L-ANPC(three-level active neutral point clamped)变流器拓扑为研究对象,对3种脉宽调制方式下的共模电磁干扰CM EMI(common-mode electromagnetic interference)特性进行研究。首先介绍了3L-ANPC变流器拓扑结构中Si C-MOSFET和Si-IGBT器件的2种组合模式及3种调制方式,然后对3L-ANPC变流器拓扑共模噪声传输机理进行分析,基于分析建立了包含寄生参数和噪声源的EMI模型,并推导出每种调制方式下传导路径的阻抗表达式,得到了共模传导路径阻抗特性曲线。最终通过实验验证了3种调制方式下器件混合型3L-ANPC变流器拓扑共模噪声的分析结论。
文摘高速磁浮交通牵引变流器采用24 MVA背靠背三电平有源中点钳位拓扑,其中两台整流器和两台逆变器共用直流母线。该文分析整流侧和逆变侧在不同功率因数下中点电压(neutral point voltage,NPV)偏移机理及不同电压矢量对NPV的具体影响。据此,针对高速磁浮逆变器并联和串联两种模式,建立NPV偏移模型,得到在调制比和功率因数同时变化时NPV的可控区域。为在全速范围保证NPV平衡,提出一种基于平移调制波的协同控制策略。为减轻整流器功率因数和调制比对NPV的影响,采用一种具有相电压半波对称性的载波脉宽调制,并证明其具备NPV自平衡能力。仿真和硬件在环实验表明,所提策略具有NPV恢复到平衡状态所需时间短、可控范围大等优点,可在高速磁浮全速工况下保证NPV平衡。
