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煅烧温度对阳极氧化WO_3多孔薄膜的形貌及光电化学性能的影响(英文)
被引量：
2
1
作者
黄晔
刘昱阳
+1 位作者
李文章
陈启元
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期865-870,共6页
采用一步式阶跃电压加压方法,在NH4F/(NH4)2SO4电解质溶液中对W片进行阳极氧化处理制备了WO3多孔薄膜,通过后续热处理温度的控制,制备了性能规律性变化的WO3多孔纳米薄膜材料.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)分析等手段考察...
采用一步式阶跃电压加压方法,在NH4F/(NH4)2SO4电解质溶液中对W片进行阳极氧化处理制备了WO3多孔薄膜,通过后续热处理温度的控制,制备了性能规律性变化的WO3多孔纳米薄膜材料.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)分析等手段考察了热处理温度对氧化钨晶体结构和形貌影响的规律,在450°C以下的煅烧温度下,薄膜保持50-100nm孔径;通过对光电化学性质、光催化降解甲基橙动力学行为的研究,考察了不同热处理温度对WO3多孔薄膜光电转换性能影响的规律.研究表明,450°C煅烧处理后的WO3薄膜在500W氙灯光源照射及1.2V偏压下,光电流密度达到5.11mA·cm-2;340及400nm单色光辐射下光电转换效率(IPCE)值分别达到87.4%及22.1%.电化学交流阻抗谱显示,450°C煅烧处理后的WO3薄膜表现出最佳的导电率及最小的界面电荷转移电阻.实验结果证明,高结晶度的多孔结构是WO3薄膜具有高光电转换效率的主要因素,控制热处理温度是实现薄膜具有高孔隙率、完整结晶度、低电阻的重要手段.
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关键词
三氧化钨多孔薄膜
光电化学性质
光降解
光电转换效率
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职称材料
题名
煅烧温度对阳极氧化WO_3多孔薄膜的形貌及光电化学性能的影响(英文)
被引量：
2
1
作者
黄晔
刘昱阳
李文章
陈启元
机构
中南大学化学化工学院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期865-870,共6页
基金
supported by the National High Technology Research and Development Program of China(863)(2011AA050528)
National Natural Science Foundation of China(51072232,21171175)~~
文摘
采用一步式阶跃电压加压方法,在NH4F/(NH4)2SO4电解质溶液中对W片进行阳极氧化处理制备了WO3多孔薄膜,通过后续热处理温度的控制,制备了性能规律性变化的WO3多孔纳米薄膜材料.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)分析等手段考察了热处理温度对氧化钨晶体结构和形貌影响的规律,在450°C以下的煅烧温度下,薄膜保持50-100nm孔径;通过对光电化学性质、光催化降解甲基橙动力学行为的研究,考察了不同热处理温度对WO3多孔薄膜光电转换性能影响的规律.研究表明,450°C煅烧处理后的WO3薄膜在500W氙灯光源照射及1.2V偏压下,光电流密度达到5.11mA·cm-2;340及400nm单色光辐射下光电转换效率(IPCE)值分别达到87.4%及22.1%.电化学交流阻抗谱显示,450°C煅烧处理后的WO3薄膜表现出最佳的导电率及最小的界面电荷转移电阻.实验结果证明,高结晶度的多孔结构是WO3薄膜具有高光电转换效率的主要因素,控制热处理温度是实现薄膜具有高孔隙率、完整结晶度、低电阻的重要手段.
关键词
三氧化钨多孔薄膜
光电化学性质
光降解
光电转换效率
Keywords
Tungsten oxide porous film
Photoelectrochemical property
Photodegradation
Incident photon-to-current conversion efficiency
分类号
O614.613 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
煅烧温度对阳极氧化WO_3多孔薄膜的形貌及光电化学性能的影响(英文)
黄晔
刘昱阳
李文章
陈启元
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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