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45 nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估: 1; 作者黄正峰王敏 +2 位作者李雪筠鲁迎春倪天明《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第3期364-369,共6页; 集成电路器件处在辐射敏感环境中时,易受到粒子轰击产生单粒子效应,使得电路的逻辑值发生翻转,影响电路的可靠性。为了提高电路的可靠性,需要针对单粒子效应引起的单粒子翻转(single event upset,SEU)问题进行加固研究,三模冗余(triple ... 展开更多; 关键词三模冗余(tmr) 表决器容错晶体管级; 在线阅读下载PDF 职称材料

DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证被引量：5: 2; 作者张丹丹杨海钢 +3 位作者李威黄志洪高丽江李天文《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页; 分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D... 展开更多; 关键词抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(tmr) 双互锁存储单元(DICE) 触发器辐照实验; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Scrubbing的空间SRAM型FPGA抗单粒子翻转系统设计被引量：12: 3; 作者马寅安军社 +1 位作者王连国孙伟《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期270-276,共7页; 基于SRAM工艺的FPGA在空间环境下容易受到单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)的影响而导致信息丢失或功能中断.在详细讨论三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)和刷新(Scrubbing)的重要原理及实现细节的基础上,实现了一种高可靠性... 展开更多; 关键词单粒子翻转(SEU) 三模冗余(tmr) 刷新(Scrubbing) FPGA容错; 在线阅读下载PDF 职称材料

高可靠微处理器结构与实现(英文) 被引量：3: 4; 作者彭和平赵元富 +2 位作者高德远于立新陈雷《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第7期78-81,85,共5页; 文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺... 展开更多; 关键词容错三模冗余(tmr) 错误纠一检二(SEC-DED) 可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计被引量：4: 5; 作者颜军蒋晓华 +3 位作者唐芳福龚永红颜志宇黄小虎《航天控制》 CSCD 北大核心 2016年第4期89-94,共6页; 综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性... 展开更多; 关键词 SPARC V8处理器四核SOC处理器 RISC处理器 SMP对称多处理架构宇航抗辐照芯片检错纠错(EDAC) 三模冗余(tmr) 总剂量(TID) 单粒子翻转(SEU) 单粒子栓锁(SEL); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名45 nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估: 1; 作者黄正峰王敏李雪筠鲁迎春倪天明; 机构合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽工程大学电气工程学院; 出处《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第3期364-369,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874156,61574052) 安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149) 安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007)。; 文摘集成电路器件处在辐射敏感环境中时,易受到粒子轰击产生单粒子效应,使得电路的逻辑值发生翻转,影响电路的可靠性。为了提高电路的可靠性,需要针对单粒子效应引起的单粒子翻转(single event upset,SEU)问题进行加固研究,三模冗余(triple modular redundancy,TMR)锁存器是最简单有效的抗SEU加固锁存器。文章阐述了TMR相关基础知识,包括结构组成、可靠性分析和工作原理。TMR锁存器分为主级和从级。主级是由3个相同模块组成的,从级是“三中取二”表决器。文中使用的表决器为2种传统表决器和9种晶体管级表决器。传统表决器是由门级单元构成,晶体管级表决器是由PMOS管和NMOS管组合构成。文章分析比较了11种不同结构的TMR锁存器,利用Hspice仿真工具测得TMR锁存器的功耗、延迟、面积开销,并进行综合性能比较。; 关键词三模冗余(tmr) 表决器容错晶体管级; Keywords triple modular redundancy(tmr) voter fault-tolerant transistor level; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证被引量：5: 2; 作者张丹丹杨海钢李威黄志洪高丽江李天文; 机构中国科学院电子学研究所中国科学院大学中国电子科技集团公司第五十研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页; 基金国家科技重大专项资助项目(2013ZX03006004) 国家自然科学基金课题资助项目(61271149) +1 种基金中国科学院国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划资助项目; 文摘分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面。; 关键词抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(tmr) 双互锁存储单元(DICE) 触发器辐照实验; Keywords single event upset（SEU） tolerance triple modular redundancy（tmr） dual interlocked storage cell（DICE） flip-flop radiation experiment; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Scrubbing的空间SRAM型FPGA抗单粒子翻转系统设计被引量：12: 3; 作者马寅安军社王连国孙伟; 机构中国科学院空间科学与应用研究中心中国空间技术研究院; 出处《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期270-276,共7页; 文摘基于SRAM工艺的FPGA在空间环境下容易受到单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)的影响而导致信息丢失或功能中断.在详细讨论三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)和刷新(Scrubbing)的重要原理及实现细节的基础上,实现了一种高可靠性、TMR+Scrubbing+Reload的容错系统设计,用反熔丝型FPGA对SRAM型FPGA的配置数据进行毫秒级周期刷新,同时对两个FPGA均做TMR处理.该容错设计已实际应用于航天器电子系统,可为高可靠性电子系统设计提供参考.; 关键词单粒子翻转(SEU) 三模冗余(tmr) 刷新(Scrubbing) FPGA容错; Keywords Single Event Upsets （SEU）, Triple Modular Redundancy （tmr）, Scrubbing, FPGA fault-tolerant; 分类号 V448.2 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高可靠微处理器结构与实现(英文) 被引量：3: 4; 作者彭和平赵元富高德远于立新陈雷; 机构西北工业大学航空微电子设计中心北京微电子技术研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第7期78-81,85,共5页; 文摘文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用252Cf辐射源,3.5uCi,以及43MeV.cm2/mg平均LET进行。; 关键词容错三模冗余(tmr) 错误纠一检二(SEC-DED) 可靠性; Keywords Fault-tolerance, Triple Modular Redundanee（tmr）, EDAC, Reliability.; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计被引量：4: 5; 作者颜军蒋晓华唐芳福龚永红颜志宇黄小虎; 机构珠海欧比特控制工程股份有限公司; 出处《航天控制》 CSCD 北大核心 2016年第4期89-94,共6页; 文摘综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性能SPARC V8处理器,具备二级缓存控制,数据吞吐能力大;芯片具备丰富的片上外设及宇航总线接口;支持多款嵌入式实时操作系统(EOS)。; 关键词 SPARC V8处理器四核SOC处理器 RISC处理器 SMP对称多处理架构宇航抗辐照芯片检错纠错(EDAC) 三模冗余(tmr) 总剂量(TID) 单粒子翻转(SEU) 单粒子栓锁(SEL); Keywords SPARC V8 Quad-core SoC RISC SMP architecture Rad - hardened processor EDAC tmr SEU TID SEL; 分类号 TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	45 nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估	黄正峰王敏李雪筠鲁迎春倪天明	《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证	张丹丹杨海钢李威黄志洪高丽江李天文	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于Scrubbing的空间SRAM型FPGA抗单粒子翻转系统设计	马寅安军社王连国孙伟	《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心	2012	12	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高可靠微处理器结构与实现(英文)	彭和平赵元富高德远于立新陈雷	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计	颜军蒋晓华唐芳福龚永红颜志宇黄小虎	《航天控制》 CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料