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ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂
被引量：
9
1
作者
许毓春
李慧峰
+1 位作者
王礼琼
王士良
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1996年第2期126-130,共5页
本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增...
本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿。
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关键词
氧化锌
半导体
压敏陶瓷
一价金属离子
掺杂
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职称材料
题名
ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂
被引量：
9
1
作者
许毓春
李慧峰
王礼琼
王士良
机构
华中理工大学固体电子学系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1996年第2期126-130,共5页
文摘
本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿。
关键词
氧化锌
半导体
压敏陶瓷
一价金属离子
掺杂
Keywords
Zinc oxide, varistor ceramic, monovalent metallic ion, dopant
分类号
TN304.82 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂
许毓春
李慧峰
王礼琼
王士良
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1996
9
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职称材料
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参考文献
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