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VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)
被引量：
5
1
作者
浦琮
周伟舫
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期348-353,共6页
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝...
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．
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关键词
半导体
阳极
铅氧化物膜
ⅴ
A
族
元素
在线阅读
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职称材料
ZnO薄膜V族掺杂的研究进展
被引量：
3
2
作者
朱仁江
孔春阳
+2 位作者
马勇
王万录
廖克俊
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期113-115,125,共4页
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
关键词
氧化锌
P型掺杂
共掺杂
ⅴ族元素
在线阅读
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职称材料
题名
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)
被引量：
5
1
作者
浦琮
周伟舫
机构
复旦大学化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期348-353,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．
关键词
半导体
阳极
铅氧化物膜
ⅴ
A
族
元素
Keywords
Anodic plumbous oxide film, Semiconductor, Photoelectrochemical current method, Hauffe rules
分类号
O646.5 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
ZnO薄膜V族掺杂的研究进展
被引量：
3
2
作者
朱仁江
孔春阳
马勇
王万录
廖克俊
机构
重庆师范大学光学工程实验室
重庆大学数理学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期113-115,125,共4页
基金
重庆市攻关项目资助(CSTC
2004AC4034)重庆市教委项目资助(KJ050812)
文摘
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
关键词
氧化锌
P型掺杂
共掺杂
ⅴ族元素
Keywords
ZnO, p-type doping, codoping, group-
ⅴ
elements
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)
浦琮
周伟舫
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994
5
在线阅读
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职称材料
2
ZnO薄膜V族掺杂的研究进展
朱仁江
孔春阳
马勇
王万录
廖克俊
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
已选择
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