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Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的液相法合成: 1; 作者干建群赵旭升 +1 位作者刘光华詹仕卿《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期5-8,共4页; Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶独特的物理化学性质引起了业界广泛关注。以PbS,PbSe和PbTe纳米晶为例,着重阐述了液相法合成该族纳米晶的实验方法和制备技术,主要包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、有机金属法、模板法和微乳法等几个方面;展望了今后的... 展开更多; 关键词 ⅳ-ⅵ族半导体纳米晶液相合成尺寸及其分布表面活性剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

近红外Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点光纤的研究进展: 2; 作者李帅张蕾《人工晶体学报》北大核心 2025年第5期757-771,共15页; 半导体量子点材料具有独特的光学和电学特性,在LED、太阳能电池、荧光探针、催化等领域显示出巨大的应用潜力,尤其是Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料,荧光光谱处于近红外波段且可以覆盖光纤通信窗口,将其制备成量子点掺杂的光纤在光纤通信领域... 展开更多; 关键词 ⅳ-ⅵ族半导体量子点量子点光纤近红外发光光学增益电学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用: 3; 作者陆卫 M.vonOrtenberg W.Dobrowolski 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期353-360,共8页; 描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.; 关键词 ⅳ-ⅵ族化合物半导体铅磁光光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

CdS纳米晶自组装形成的亚微米中空球微结构研究: 4; 作者朱健民黄石松 +3 位作者李兴华周舜华赵晓宁马国斌《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期264-264,共1页; 关键词结构研究 CDS纳米晶亚微米自组装中空半导体量子点微腔结构 Ⅱ-ⅵ族 CdSe; 在线阅读下载PDF 职称材料

One-dimensional (1D) Ⅱ-Ⅵ based nanostructures—synthesis and microstructure characterizations: 5; 作者 Hark S K 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期365-365,共1页; 关键词半导体材料 Ⅱ-ⅵ族化合物纳米结构单晶结构透射电子显微镜分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究被引量：2: 6; 作者倪友保陈诗静 +3 位作者吴海信张春丽黄昌保王振友《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1203-1208,共6页; 硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行... 展开更多; 关键词硒化镉多晶合成 Ⅱ-ⅵ族半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnS纳米带的显微结构分析: 7; 作者孟祥敏范霞 +1 位作者张晓宏刘馨《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期263-263,共1页; 关键词显微结构分析 ZNS 纳米带半导体化合物电致发光器件纳米材料平板显示器 Ⅱ-ⅵ族红外窗口; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的液相法合成: 1; 作者干建群赵旭升刘光华詹仕卿; 机构中国科学院广州化学研究所郑州大学材料科学与工程学院; 出处《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期5-8,共4页; 基金国家自然科学基金(50543007) 广东省自然科学基金(07006838) +1 种基金广州市天河区科技攻关(074G028)资助项目; 文摘 Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶独特的物理化学性质引起了业界广泛关注。以PbS,PbSe和PbTe纳米晶为例,着重阐述了液相法合成该族纳米晶的实验方法和制备技术,主要包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、有机金属法、模板法和微乳法等几个方面;展望了今后的研究和发展方向。; 关键词 ⅳ-ⅵ族半导体纳米晶液相合成尺寸及其分布表面活性剂; Keywords group ⅳ-ⅵ semiconductor nanocrystal, liquid synthesis, size and size distribution, surfactant; 分类号 TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近红外Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点光纤的研究进展: 2; 作者李帅张蕾; 机构牡丹江师范学院物理与电子工程学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第5期757-771,共15页; 基金黑龙江省高等学校基本科研业务费项目(1454ZC009,1452ZD015) 黑龙江省自然科学基金(PL2024F024)。; 文摘半导体量子点材料具有独特的光学和电学特性,在LED、太阳能电池、荧光探针、催化等领域显示出巨大的应用潜力,尤其是Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料,荧光光谱处于近红外波段且可以覆盖光纤通信窗口,将其制备成量子点掺杂的光纤在光纤通信领域具有较为广泛的应用。目前Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点掺杂光纤的制备方法主要有改进的化学气相沉积法、溶胶-凝胶膜涂覆法、空心光纤灌装固化法、高温熔融直接拉丝法、管内熔融法、玻璃毛细管灌入法等六种。本文详细综述了以上六种实验制备方法及其优缺点,以及所制备量子点光纤的光学增益品质;基于六种不同理论模型和光纤类型,总结了量子点掺杂光纤发光性质及光学增益性质的理论计算;进一步讨论了实验和理论研究中存在的问题、解决方法,并对未来研究方向进行了展望。; 关键词 ⅳ-ⅵ族半导体量子点量子点光纤近红外发光光学增益电学特性; Keywords groupⅳ-ⅵ semiconductor quantum dot quantum dot optical fiber near infrared luminescence optical gain electrical property; 分类号 O436 [机械工程—光学工程] TN253 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用: 3; 作者陆卫 M.vonOrtenberg W.Dobrowolski; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 Institute f■r Halbleiterphsik und Optik IFPAN Warsaw; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期353-360,共8页; 基金联邦德国Alexand von Humboldt基金会部分资助课题; 文摘描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.; 关键词 ⅳ-ⅵ族化合物半导体铅磁光光谱; Keywords lead compound semiconductors, far infrared, magnetospectroscopy.; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CdS纳米晶自组装形成的亚微米中空球微结构研究: 4; 作者朱健民黄石松李兴华周舜华赵晓宁马国斌; 机构南京大学固体微结构国家实验室南京大学化学与化工学院; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期264-264,共1页; 关键词结构研究 CDS纳米晶亚微米自组装中空半导体量子点微腔结构 Ⅱ-ⅵ族 CdSe; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名One-dimensional (1D) Ⅱ-Ⅵ based nanostructures—synthesis and microstructure characterizations: 5; 作者 Hark S K; 机构 Department of Physics; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期365-365,共1页; 关键词半导体材料 Ⅱ-ⅵ族化合物纳米结构单晶结构透射电子显微镜分析; 分类号 O76 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究被引量：2: 6; 作者倪友保陈诗静吴海信张春丽黄昌保王振友; 机构中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室中国科学技术大学; 出处《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1203-1208,共6页; 基金中国科学院科技创新基金(CXJJ-16M128); 文摘硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶。文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论。; 关键词硒化镉多晶合成 Ⅱ-ⅵ族半导体; Keywords CdSe polycrystalline synthesis Ⅱ-ⅵ group semiconductor; 分类号 O78 [理学—晶体学] TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnS纳米带的显微结构分析: 7; 作者孟祥敏范霞张晓宏刘馨; 机构中国科学院理化技术研究所武汉大学化学与分子科学学院; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期263-263,共1页; 关键词显微结构分析 ZNS 纳米带半导体化合物电致发光器件纳米材料平板显示器 Ⅱ-ⅵ族红外窗口; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的液相法合成	干建群赵旭升刘光华詹仕卿	《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	近红外Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点光纤的研究进展	李帅张蕾	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用	陆卫 M.vonOrtenberg W.Dobrowolski	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	CdS纳米晶自组装形成的亚微米中空球微结构研究	朱健民黄石松李兴华周舜华赵晓宁马国斌	《电子显微学报》 CAS CSCD	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	One-dimensional (1D) Ⅱ-Ⅵ based nanostructures—synthesis and microstructure characterizations	Hark S K	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究	倪友保陈诗静吴海信张春丽黄昌保王振友	《人工晶体学报》 CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	ZnS纳米带的显微结构分析	孟祥敏范霞张晓宏刘馨	《电子显微学报》 CAS CSCD	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料