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Ⅲ-Ⅴ族化合物超薄层外延生长新技术——原子层外延: 1; 作者齐学参《半导体情报》 1992年第2期1-10,共10页; 本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物原子层外延(ALE),重点介绍了脉冲喷射(PJ)-ALF、氯化物-ALE和增强迁移外延(MEE)。ALE生长层厚度对生长参数,如源气体分压、生长温度和生长时间都不敏感,主要取决于ALE周期数目,因此ALE又称“数字外延”。与传统... 展开更多; 关键词外延生长 ⅲ-v族化合物原子层外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅲ—V族化合物半导体材料禁带宽度的温度特性: 2; 作者李光平何秀坤《电子与自动化仪表信息》 1989年第5期15-18,共4页; 关键词 ⅲ-v族化合物半导体材料温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

部分有序(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)合金的发光衰退过程: 3; 作者吕毅军高玉琳 +3 位作者郑健生蔡志岗桑海宇曾学然《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期129-132,共4页; 利用时间分辨光谱研究了 (AlxGa1-x) 0 51In0 4 9P合金的时间衰退过程 ,观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱峰的Z 型依赖关系相吻合。这种现象明显表明了载流子的转移过程和子带的存在 ,证实了我们对超晶格... 展开更多; 关键词 ⅲ-v化合物有序结构光致发光四元合金半导体材料发光谱 (AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29) 发光衰退过程; 在线阅读下载PDF 职称材料

InSb纳米结构材料与器件进展与展望: 4; 作者郝秋来《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1069-1074,共6页; 锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值,而且已被广泛用于磁敏器件、红外探... 展开更多; 关键词锑化铟 ⅲ-v族化合物纳米材料纳米器件量子束缚禁带宽度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅲ-Ⅴ族化合物超薄层外延生长新技术——原子层外延: 1; 作者齐学参; 机构机电部第; 出处《半导体情报》 1992年第2期1-10,共10页; 文摘本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物原子层外延(ALE),重点介绍了脉冲喷射(PJ)-ALF、氯化物-ALE和增强迁移外延(MEE)。ALE生长层厚度对生长参数,如源气体分压、生长温度和生长时间都不敏感,主要取决于ALE周期数目,因此ALE又称“数字外延”。与传统的MBE和MOCVD相比,ALE具有生长层厚度更均匀、缺陷密度更低、选择外廷中无边缘生长以及侧壁外延可控制到单原子层等优点。文中还讨论了ALEⅢ-Ⅴ族化合物电学性能和应用。; 关键词外延生长 ⅲ-v族化合物原子层外延; Keywords Epitaxy growth ⅲ-Ⅴ compound semiconductor Selective epitaxy; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅲ—V族化合物半导体材料禁带宽度的温度特性: 2; 作者李光平何秀坤; 出处《电子与自动化仪表信息》 1989年第5期15-18,共4页; 关键词 ⅲ-v族化合物半导体材料温度特性; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名部分有序(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)合金的发光衰退过程: 3; 作者吕毅军高玉琳郑健生蔡志岗桑海宇曾学然; 机构厦门大学物理系中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期129-132,共4页; 基金福建省自然科学基资助项目 (A0 110 0 0 7 A9910 0 0 4); 文摘利用时间分辨光谱研究了 (AlxGa1-x) 0 51In0 4 9P合金的时间衰退过程 ,观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱峰的Z 型依赖关系相吻合。这种现象明显表明了载流子的转移过程和子带的存在 ,证实了我们对超晶格带折叠效应的猜测。子带是由于有序结构的超晶格效应使导带的L带折叠到Γ带 ,载流子在时间衰退过程中从Γ带转移到L带。; 关键词 ⅲ-v化合物有序结构光致发光四元合金半导体材料发光谱 (AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29) 发光衰退过程; Keywords semiconductor ordered structure photoluminescence; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InSb纳米结构材料与器件进展与展望: 4; 作者郝秋来; 机构华北光电技术研究所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1069-1074,共6页; 基金中国国家留学基金委员会资助; 文摘锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值,而且已被广泛用于磁敏器件、红外探测器等。由于具有较大的波尔半径（60 nm）,使得InSb纳米结构成为具有吸引力的进行量子效应研究的半导体。因为这些特性,已有一些关于InSb纳米结构生长的报道。本文描述了近期InSb纳米结构生长的情况。透射电子显微镜等形貌像显示纳米结构为纳米晶体或纳米线,器件制备和性能测试显示其下一步的应用能力。; 关键词锑化铟 ⅲ-v族化合物纳米材料纳米器件量子束缚禁带宽度; Keywords InSb III-v group compound nanomaterials nanodevice quantum confine bandgap; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料