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利用分子束外延生长高质量应变平衡 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格: 1; 作者魏国帅郝瑞亭 +9 位作者郭杰马晓乐李晓明李勇常发冉庄玉王国伟徐应强牛智川王耀《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期595-604,共10页; 利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格。超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs_(0.66)Sb_(0.34)层。在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷。利用高分辨... 展开更多; 关键词 InAs/InAsSb 超晶格分子束外延 ⅲ-ⅴ族半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	利用分子束外延生长高质量应变平衡 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格	魏国帅郝瑞亭郭杰马晓乐李晓明李勇常发冉庄玉王国伟徐应强牛智川王耀	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料

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