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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4) 被引量：2
1
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第9期18-18,共1页
进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结叠层聚光电池。这里以三结叠层电池为例来说明叠层电池的工作原理。选取3种半导体材料，如GaInP、GaInAs和Ge，
关键词 太阳电池 化合物半导体 ⅲ-V族 砷化镓 应用 叠层电池 GAINAS 半导体材料
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(1) 被引量：1
2
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第6期15-16,共2页
介绍以直接带隙Ⅲ-Ⅴ族材料为主体的多结叠层聚光太阳电池的特性和研发进展。据报道,三结叠层GaInP/GaAs/Ge太阳电池已成为空间能源的主力军,四结叠层GaInP/GaAs/GaInPAs/GaInAs聚光太阳电池的效率已达46.5%。在不远的将来,实现高效(>... 介绍以直接带隙Ⅲ-Ⅴ族材料为主体的多结叠层聚光太阳电池的特性和研发进展。据报道,三结叠层GaInP/GaAs/Ge太阳电池已成为空间能源的主力军,四结叠层GaInP/GaAs/GaInPAs/GaInAs聚光太阳电池的效率已达46.5%。在不远的将来,实现高效(>50%)、低成本的Ⅲ-Ⅴ族多结叠层聚光电池是有现实可能的。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族材料 多结叠层电池 高效聚光电池 外延生长技术
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)
3
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第12期18-18,55,共2页
2014年，天津三安光电公司报道，他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP／GaInAs／Ge高倍聚光电池，并进行了规模生产，聚光电池效率达到40％～41％。在青海神光格尔木建立了50MW高倍聚光光伏电站，在青海日芯建立了60MW高倍聚光光伏电站。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 砷化镓 应用 GAINAS 光伏电站 GAINP 晶格应变
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)
4
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第7期20-21,共2页
1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系... 1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构，不同的只是Ga和As原子交替占位。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAAS 立方晶系 闪锌矿
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)
5
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第11期14-15,共2页
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带... 1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大. 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 少子扩散长度
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)
6
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第8期13-14,共2页
在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复... 在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复活，不能形成光生电流。 展开更多
关键词 GAAS太阳电池 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 砷化镓 应用 光生载流子 转换效率 P-N结 复合中心
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Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)
7
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第10期15-16,20,共3页
聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开... 聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开路电压随光强呈对数式增长。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 砷化镓 应用 光伏发电系统 光学系统 输出功率 短路电流
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体集成电路产业发展及其应用
8
作者 邵凯 《中国集成电路》 2003年第44期38-41,共4页
本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合物半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 集成电路产业 砷化镓 发展趋势 发展前景
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Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析
9
作者 杨建义 周强 +2 位作者 吴志武 灵通锡 王明华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期18-22,共5页
本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性．首先指出了在这种共平面微波带线中奇对称模和偶对称模的不同作用，由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特... 本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性．首先指出了在这种共平面微波带线中奇对称模和偶对称模的不同作用，由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特性的作用．在对微波特性分析的基础上，设计出了高速行波光波导调制器的结构，器件的理论带宽可大于４０ＧＨｚ．最后对分析获得的微波特性进行了讨论，指出了用准静态法分析微波特性的可能性． 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族 化合物半导体 光波导调制器 微波特性
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砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)
10
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2016年第1期10-11,共2页
4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高... 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高质量的稀N含量GaInNAs（Sb）分子束外延材料，并成功研制了GaInP／GaAs／GaInNAs（Sb）三结叠层电池。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 晶格匹配
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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜 被引量：2
11
作者 袁泽亮 侯晓远 王迅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期170-175,共6页
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。
关键词 表面钝化 硫钝化 ⅲ-ⅴ族半导体 半导体薄膜技术
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II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展 被引量：2
12
作者 郝建伟 查钢强 介万奇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期87-91,共5页
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量... 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应
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Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体表面损伤与缺陷的表征
13
作者 陈平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期357-359,共3页
在研究材料的表面性质时,总希望获得一个理想的完整表面,以排除各种外来干扰和影响。实际上,半导体材料表面往往有各种缺陷,或者存在着由于各种处理所带来的损伤。因此,在努力揭示半导体表面本征特性的同时,也需要研究缺陷和损伤所带来... 在研究材料的表面性质时,总希望获得一个理想的完整表面,以排除各种外来干扰和影响。实际上,半导体材料表面往往有各种缺陷,或者存在着由于各种处理所带来的损伤。因此,在努力揭示半导体表面本征特性的同时,也需要研究缺陷和损伤所带来的一些非本征的特性,亦即研究这些缺陷和损伤对材料表面本征特性的影响。 展开更多
关键词 ⅲ-V族 化合物半导体 损伤 缺陷
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砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9) 被引量：1
14
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2016年第2期12-13,共2页
2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强下，达到了当前国际最高电池效率46．5％（5．42mm2）。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓 应用 GAINAS 太阳能系统 电池效率
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氢在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能
15
作者 张继平 孙建军 《信息工程学院学报》 1994年第3期26-30,共5页
本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨道交替排列模型描述。结果表明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外... 本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨道交替排列模型描述。结果表明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外，当半导体表面格点上的原子分别为类－ｓ原子和类－ｐ原子时，ΔＥ也不相同。 展开更多
关键词 化学吸附能 能带 氢 ⅲ-ⅴ族化合物 半导体
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(n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
16
作者 张旺 李国华 +5 位作者 朱作明 陈晔 韩和相 汪兆平 周伟 孙中哲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期385-391,共7页
报道不同指数面（ｎ１１）上生长的Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ 和Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的Ｌ０ 模和Ｔ０ 模的相对强度随... 报道不同指数面（ｎ１１）上生长的Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ 和Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的Ｌ０ 模和Ｔ０ 模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与（ｎ１１）指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较。 展开更多
关键词 (n11)面 长光学声子模 喇曼散射 ⅲ-ⅴ族 半导体
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的进展 被引量：2
17
作者 李彦平 关兴国 《半导体情报》 1996年第5期1-6,共6页
90年代初Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的实用化似乎还很遥远,但是自从蓝光GaN/GaInN LED 研制成功之后这个领域发生了巨变。目前,GaN 成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中,基于 GaN 材料的激光器、HV 探测器和大功率高温半导体器件... 90年代初Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的实用化似乎还很遥远,但是自从蓝光GaN/GaInN LED 研制成功之后这个领域发生了巨变。目前,GaN 成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中,基于 GaN 材料的激光器、HV 探测器和大功率高温半导体器件将成为实用产品。 展开更多
关键词 氮化物 半导体 ⅲ-ⅴ族
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基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
18
作者 刘妍 彭艳 +2 位作者 郭经纬 徐朝鹏 喇东升 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第23期3930-3938,共9页
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构... Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。 展开更多
关键词 纳米线 半导体 ⅲ-ⅴ族 气-液-固模式
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硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
19
作者 陶桂龙 许高博 徐秋霞 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期411-420,共10页
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器... 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池
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双腔室分子束外延复合体在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结生长中的应用(英文)
20
作者 A.Alexeev D.Baranov +2 位作者 S.Petrov I.Sedova S.Sorokin 《电子工业专用设备》 2010年第10期23-25,共3页
半导体光电子学是当前科技发展最快的一个领域,光电子器件的增长需要加强新材料技术的研究与开发,Ⅲ -Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族纳米结构生长的双腔室分子束外延复合体是目前工艺设备一个最好的例子,可以解决长期以来纳米光子学和纳米电子学的问题。
关键词 分子束外延 ⅲ-ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体 设备与技术
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