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III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破 被引量:6
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作者 陈文浚 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破... 从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等,越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低,使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 晶体硅太阳电池 光伏技术 硅薄膜太阳电池 光电转换效率 美国贝尔实验室 空间飞行器 级连
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析
2
作者 杨建义 周强 +2 位作者 吴志武 灵通锡 王明华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期18-22,共5页
本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和n+重掺杂外延层的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性.首先指出了在这种共平面微波带线中奇对称模和偶对称模的不同作用,由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特... 本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和n+重掺杂外延层的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性.首先指出了在这种共平面微波带线中奇对称模和偶对称模的不同作用,由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特性的作用.在对微波特性分析的基础上,设计出了高速行波光波导调制器的结构,器件的理论带宽可大于40GHz.最后对分析获得的微波特性进行了讨论,指出了用准静态法分析微波特性的可能性. 展开更多
关键词 - 化合物半导体 光波导调制器 微波特性
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II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展 被引量:2
3
作者 郝建伟 查钢强 介万奇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期87-91,共5页
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量... 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。 展开更多
关键词 -化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延
4
作者 樊玉薇 李永祥 吴冲若 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期302-307,共6页
介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术,它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来,通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简... 介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术,它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来,通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。欠电势沉积是电化学原子层外延的关键,它是化合物形成过程中放出自由能的结果。并研究了Si-Au多晶衬底上沉积CdTe的电化学原子层外延,给出了初步实验结果。 展开更多
关键词 电化学 原子层外延 - 化合物半导体
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用
5
作者 王立民 刘振刚 +5 位作者 董守义 于美燕 郝霄鹏 崔得良 徐现刚 王琪珑 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期350-353,共4页
研究了Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响 ,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异 ,对这些现象进行了解释 ;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明 :当Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶... 研究了Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响 ,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异 ,对这些现象进行了解释 ;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明 :当Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时 ,其表面活性明显降低 ;含Ga的Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶。这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键 。 展开更多
关键词 - 半导体纳米晶体 氮分子 吸附作用 表面氧化 活化 配位键
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(n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
6
作者 张旺 李国华 +5 位作者 朱作明 陈晔 韩和相 汪兆平 周伟 孙中哲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期385-391,共7页
报道不同指数面(n11)上生长的Ga0.5Al0.5As 和In0.52Al0.48As系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在背散射条件下不同的偏振配置下,观测到这些样品中对应的L0 模和T0 模的相对强度随... 报道不同指数面(n11)上生长的Ga0.5Al0.5As 和In0.52Al0.48As系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在背散射条件下不同的偏振配置下,观测到这些样品中对应的L0 模和T0 模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化,同时把这一实验结果与(n11)指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较。 展开更多
关键词 (n11)面 长光学声子模 喇曼散射 - 半导体
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基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
7
作者 刘妍 彭艳 +2 位作者 郭经纬 徐朝鹏 喇东升 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第23期3930-3938,共9页
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构... Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。 展开更多
关键词 纳米线 半导体 - --固模式
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硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
8
作者 陶桂龙 许高博 徐秋霞 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期411-420,共10页
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器... 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。 展开更多
关键词 -纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池
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Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制 被引量:1
9
作者 尹文艳 杨合情 +2 位作者 宋玉哲 万秀琴 任荣贞 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期116-123,共8页
论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均... 论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 -半导体 纳米材料 合成 尺寸控制
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硅片上的Ⅲ-Ⅴ族激光半导体和微环形镜
10
《中国光学》 EI CAS 2012年第4期444-445,共2页
新加坡A*STAR数据存储研究所的一个研究小组已制造出电动Ⅲ-Ⅴ族半导体激光和装在硅芯片上的新型腔镜——这标志着向光学数据互连迈进了一步。
关键词 - 半导体 环形 硅片 半导体激光 数据互连 数据存储 硅芯片
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Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体磁电性质的研究进展
11
作者 李越 陈婷 +2 位作者 叶燕 丁守兵 毋志民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期2057-2065,共9页
稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先介绍了DMS的研究进展及其分类,重点阐述了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基DMS的磁电性质,在实验方面和理论计算方面所取得的... 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先介绍了DMS的研究进展及其分类,重点阐述了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基DMS的磁电性质,在实验方面和理论计算方面所取得的研究进展,包括Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的制备方法、基本磁性质、磁性起源、输运性质及光学性质等。目前已经证实了某些DMS材料的铁磁性起源机制,一些新型DMS材料的最高居里温度(Curie temperature,Tc)已经可以与(Ga,Mn)As相比拟,并克服了传统稀磁半导体难以解决的问题。最后对Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的发展和应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 新型稀磁半导体 -- 磁电性质 T_(c)调控
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STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用
12
作者 陆卫 M.vonOrtenberg W.Dobrowolski 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期353-360,共8页
描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.
关键词 - 化合物半导体 磁光光谱
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Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用 被引量:2
13
作者 陈琪 尹越 +4 位作者 任芳 梁萌 魏同波 伊晓燕 刘志强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期899-912,共14页
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量... Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量外延层,而范德华外延已被证实可以有效放宽外延层与衬底层间晶格失配与热失配要求,有利于外延层的应力释放与质量提高,同时也易于外延层从衬底上剥离转移,为制备Ⅲ-Ⅴ化合物基新型光电子器件提供了便利。本文对二维(2D)材料、Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德华外延过程以及使用范德华外延制备的Ⅲ-N基光电子器件的各项研究进行了讨论分析,并对其前景进行了展望。 展开更多
关键词 石墨烯 范德华外延 -化合物
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基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展 被引量:9
14
作者 付蕊 陈诺夫 +5 位作者 涂洁磊 化麒麟 白一鸣 弭辙 刘虎 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期124-128,149,共6页
基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实... 基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展。重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法。其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率。此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望。 展开更多
关键词 -化合物 高效多结太阳电池 半导体键合晶格失配
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III-V稀磁半导体研究进展 被引量:4
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作者 危书义 王天兴 阎玉丽 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2003年第2期50-53,共4页
低温分子束外延技术的应用 ,使高浓度掺杂的III -V族稀磁半导体得以成功制备 ,与现代半导体器件兼容 .本文概要地回顾了磁性半导体的发展历史 ,介绍了目前的实验 。
关键词 稀磁半导体 -半导体 低温分子束外延 自旋电子学 铁磁性 室温铁磁
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Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
16
作者 张维敬 李长荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期3-4,共2页
本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和... 本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和相平衡数据进行自洽性评估,而后取得体系中各相的热力学参数。②入库的数据与国际接轨,特别是与国际上热力学数据专门委员会——欧洲热化学学科组(SGTE)的数据相一致,有利于今后的发展和相互之间的交流;③数据库具有允许扩充。 展开更多
关键词 -合金化合物半导体 热力学数据库 外延生长工艺 设计
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Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性
17
作者 范希武 申德振 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第S1期54-62,共9页
现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了Al... 现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念, 展开更多
关键词 光学特性 超晶格结构 激子 -半导体 量子阱 光学非线性 薄膜生长 宽禁带半导体 双稳 非线性光学材料
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Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延
18
作者 徐梁 陈云良 王海龙 《量子电子学》 CSCD 1992年第4期382-386,共5页
我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温... 我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。 展开更多
关键词 分子束外延 -化合物 半导体
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二维过渡金属硫族化合物中激子-极化激元的研究进展(特邀) 被引量:1
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作者 徐哲元 蒋英 潘安练 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期122-139,共18页
二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-... 二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-爱因斯坦凝聚态),它们不受粒子数反转的限制,可实现超低阈值激光。同时结合其谷极化特性,可为强耦合状态的谷电子学应用如光自旋开关和谷极化双稳态器件等提供潜在应用。分别对二维过渡金属硫族化合物中的激子-极化激元、谷极化激子-极化激元和激子-极化激元的玻色爱因斯坦凝聚的研究进展进行了系统综述,最后总结分析了未来实现二维激子-极化激元激光需解决的关键科学问题并对其发展进行了展望。 展开更多
关键词 低维半导体光与物质相互作用 激子-极化激元 二维过渡金属硫化合物 谷电子学 玻色-爱因斯坦凝聚
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Ⅲ-Ⅴ族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性
20
《中国光学》 EI CAS 2014年第3期511-512,共2页
IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线,具有一般标准材料所没有的光学特性,从而为开发出基于半导体纳米线的"新一代晶体管"电路研究而奠定基础。
关键词 半导体纳米线 光学特性 标准材料 - 芯片 实验室 苏黎世 IBM
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