检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展被引量：9: 1; 作者付蕊陈诺夫 +5 位作者涂洁磊化麒麟白一鸣弭辙刘虎陈吉堃《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期124-128,149,共6页; 基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实... 展开更多; 关键词 ⅲ-ⅴ族化合物高效多结太阳电池半导体键合晶格失配; 在线阅读下载PDF 职称材料

III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破被引量：6: 2; 作者陈文浚《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页; 从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下，在空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取得重要技术突破... 展开更多; 关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体晶体硅太阳电池光伏技术硅薄膜太阳电池光电转换效率美国贝尔实验室空间飞行器级连; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统: 3; 作者张维敬李长荣《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期3-4,共2页; 本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和... 展开更多; 关键词 ⅲ-ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库外延生长工艺设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展: 4; 作者张嵩程文涛 +4 位作者王健程红娟闫礼孙科伟董增印《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期266-273,共8页; 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研... 展开更多; 关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 Ga_(x)In_(1-x)P 氢化物气相外延(HVPE) 外延层太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶体材料导热性质的经验方程与预测方法被引量：1: 5; 作者吴清仁奚同庚《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期290-292,共3页; 依据现有相关的功能晶体材料导热系数实验数据，寻求了晶体材料导热系数与平均原子密度和平均原子量之间关联的经验方程，并对Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体和碳化物晶体材料给出了经验方程中的常数，从而为这些晶体材料导热性质的预测提供了一... 展开更多; 关键词导热系数平均原子量平均原子密度晶体材料 ⅲ-ⅴ族化合物半导体功能材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究: 6; 作者陈小红陈松岩 +3 位作者张玉清林爱清陈丽容邓彩玲《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期759-763,共5页; 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激... 展开更多; 关键词 MESFET器件 GaAs/InP异质材料光致发光谱 RAMAN谱金属-半导体场效应晶体管 ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

键合技术的研究进展及应用: 7; 作者王慧沈光地 +1 位作者高国梁庭《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期6-10,共5页; 晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一。利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件。概括介绍了近年来Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料键合技术的最新研... 展开更多; 关键词晶片直接键合 ⅲ-ⅴ族化合物氮化镓光电子集成; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测: 8; 作者王鹏程徐华伟 +1 位作者张金龙宁永强《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期985-990,共6页; 利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实验表明,反射谱中... 展开更多; 关键词 ⅲ-ⅴ族半导体化合物外延生长金属有机化合物汽相淀积反射各向异性谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

美研制出非硅基全门三维晶体管: 9; 《中国有色冶金》 CAS 2012年第1期34-34,共1页; 美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。; 关键词晶体管三维硅基 ⅲ-ⅴ族化合物哈佛大学砷化镓铟运行速度集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展被引量：9: 1; 作者付蕊陈诺夫涂洁磊化麒麟白一鸣弭辙刘虎陈吉堃; 机构华北电力大学可再生能源学院新能源电力国家重点实验室云南师范大学太阳能研究所中国科学院北京纳米能源与系统研究所石家庄铁道大学数理系; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期124-128,149,共6页; 基金国家高新技术研究计划863项目(2011AA050507 2011AA050512) +3 种基金国家自然科学基金(61006050 61076051) 北京市自然科学基金(2151004) 中央高校基本科研业务费专项基金(13ZD05); 文摘基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展。重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法。其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率。此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望。; 关键词 ⅲ-ⅴ族化合物高效多结太阳电池半导体键合晶格失配; Keywords ⅲ-ⅴ compounds,highly efficient multi-iunction solar cells, semiconductor bonding, lattice mismatch; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破被引量：6: 2; 作者陈文浚; 机构中国电子科技集团第十八研究所(天津电源研究所); 出处《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页; 文摘从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下，在空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等，越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低，使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。; 关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体晶体硅太阳电池光伏技术硅薄膜太阳电池光电转换效率美国贝尔实验室空间飞行器级连; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统: 3; 作者张维敬李长荣; 机构北京科技大学; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期3-4,共2页; 文摘本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和相平衡数据进行自洽性评估,而后取得体系中各相的热力学参数。②入库的数据与国际接轨,特别是与国际上热力学数据专门委员会——欧洲热化学学科组(SGTE)的数据相一致,有利于今后的发展和相互之间的交流;③数据库具有允许扩充。; 关键词 ⅲ-ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库外延生长工艺设计; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TP311.13 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展: 4; 作者张嵩程文涛王健程红娟闫礼孙科伟董增印; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期266-273,共8页; 基金重点实验室基金一般项目(61428080107)。; 文摘对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备Ga_(x)In_(1-x)P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为Ga_(x)In_(1-x)P的主流制备工艺。最后,对HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向。; 关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 Ga_(x)In_(1-x)P 氢化物气相外延(HVPE) 外延层太阳电池; Keywords ⅲ-ⅴcompound Ga_(x)In_(1-x)P hydride vapor phase epitaxy(HVPE) epitaxial layer solar cell; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶体材料导热性质的经验方程与预测方法被引量：1: 5; 作者吴清仁奚同庚; 机构华南理工大学材料科学与工程学院中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期290-292,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(59576027) 上海自然科学基金资助项目(95ZE1404); 文摘依据现有相关的功能晶体材料导热系数实验数据，寻求了晶体材料导热系数与平均原子密度和平均原子量之间关联的经验方程，并对Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体和碳化物晶体材料给出了经验方程中的常数，从而为这些晶体材料导热性质的预测提供了一种可靠的方法。; 关键词导热系数平均原子量平均原子密度晶体材料 ⅲ-ⅴ族化合物半导体功能材料; Keywords thermal conductivity average atomic weight average atomic density functional crystal materials; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究: 6; 作者陈小红陈松岩张玉清林爱清陈丽容邓彩玲; 机构厦门大学物理系信息产业部电子第十三研究所; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期759-763,共5页; 基金国家自然科学基金 (6 0 0 0 6 0 0 4) 福建省自然科学基金 (A0 110 0 0 6 )资助项目; 文摘用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm .; 关键词 MESFET器件 GaAs/InP异质材料光致发光谱 RAMAN谱金属-半导体场效应晶体管 ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料; Keywords GaAs/InP heteroepitaxy photoluminescence Raman MESFET; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名键合技术的研究进展及应用: 7; 作者王慧沈光地高国梁庭; 机构北京工业大学光电子实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期6-10,共5页; 文摘晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一。利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件。概括介绍了近年来Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料键合技术的最新研究进展及其在光电子器件和集成领域的应用。; 关键词晶片直接键合 ⅲ-ⅴ族化合物氮化镓光电子集成; Keywords direct wafer bonding ⅲ-ⅴ compound semiconductor GaN device integration.; 分类号 TN405.96 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测: 8; 作者王鹏程徐华伟张金龙宁永强; 机构发光学及应用国家重点实验室、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期985-990,共6页; 基金国家自然科学基金(10974012 11074247 +6 种基金 61106047 61176045 61106068 51172225 61006054) 长春市科技计划(2009145)资助项目; 文摘利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实验表明,反射谱中的振荡周期可以在线计算组份和生长速率,利用反射谱中的振荡的第一个最小值与Al组份的线性关系,可以确定渐变组份初始值。通过在线计算得到的生长速率和组份与扫描电镜(SEM)和高分辨X射线衍射(HRXRD)测试得到的结果基本吻合。; 关键词 ⅲ-ⅴ族半导体化合物外延生长金属有机化合物汽相淀积反射各向异性谱; Keywords ⅲ-ⅴ semiconductor compounds； epitaxial growth； metal-organic chemical vapor deposition； reflectance anisotropy spectroscopy; 分类号 O76 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名美研制出非硅基全门三维晶体管: 9; 出处《中国有色冶金》 CAS 2012年第1期34-34,共1页; 文摘美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。; 关键词晶体管三维硅基 ⅲ-ⅴ族化合物哈佛大学砷化镓铟运行速度集成电路; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展	付蕊陈诺夫涂洁磊化麒麟白一鸣弭辙刘虎陈吉堃	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破	陈文浚	《电源技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统	张维敬李长荣	《材料导报》 EI CAS CSCD	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展	张嵩程文涛王健程红娟闫礼孙科伟董增印	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	晶体材料导热性质的经验方程与预测方法	吴清仁奚同庚	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究	陈小红陈松岩张玉清林爱清陈丽容邓彩玲	《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	键合技术的研究进展及应用	王慧沈光地高国梁庭	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测	王鹏程徐华伟张金龙宁永强	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	美研制出非硅基全门三维晶体管		《中国有色冶金》 CAS	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料