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以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展 被引量:14
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作者 李俊斌 李东升 +6 位作者 杨玉林 常超 覃钢 杨晋 周旭昌 杨春章 李艳辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期936-945,共10页
Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SC... Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SCD关于InAs SbnBn中波高温探测器和InAs/GaSb二类超晶格pBp长波探测器中的研发。 展开更多
关键词 SCD公司 -红外探测器 二类超晶格 InAsSb中波高温探测器 pBp长波探测器
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nBn红外探测器研究进展 被引量:3
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作者 石倩 张书魁 +1 位作者 王建禄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期139-150,共12页
nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度。由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于Ⅲ-Ⅴ化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展。通过理论模拟,基于H... nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度。由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于Ⅲ-Ⅴ化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展。通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流。然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展。本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势。 展开更多
关键词 nBn红外探测器 Sb基-族半导体 二类超晶格 碲镉汞
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