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Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展
被引量：
10
1
作者
孔月婵
郑有炓
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2006年第2期127-145,共19页
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二...
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。
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关键词
ⅲ族氮化物异质结构
二维电子气
综述
自发极化
压电极化
迁移率
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职称材料
题名
Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展
被引量：
10
1
作者
孔月婵
郑有炓
机构
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室
出处
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2006年第2期127-145,共19页
基金
国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080)
国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683)
国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304)
文摘
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。
关键词
ⅲ族氮化物异质结构
二维电子气
综述
自发极化
压电极化
迁移率
Keywords
group-
ⅲ
nitride heterostructure
two-dimensional electron gas
review
spontaneous polarization
piezoelectric polarization
mobility
分类号
O471 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
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1
Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展
孔月婵
郑有炓
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2006
10
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