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在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件 被引量:3
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作者 王文樑 李国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期863-868,共6页
通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义。详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物... 通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义。详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的研究状况及所发展的相关外延技术。相比金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术,脉冲激光沉积技术可以实现Ⅲ族氮化物的低温外延生长,从而克服金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术采用的高温生长而导致金属衬底与外延薄膜间发生的剧烈界面反应,可以直接在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件。脉冲激光沉积技术为在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件开拓了广阔的前景。 展开更多
关键词 ⅲ族氮化物及相关器件 金属衬底 脉冲激光沉积技术 外延生长 界面反应
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基于Ⅲ族氮化物材料的光电子器件技术
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作者 亢勇 《红外》 CAS 2002年第12期6-12,共7页
1引言 Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想材料.目前可实现的实用器件主要有:紫外探测器、X射线探测器、发光二极管、场效应晶体管、异质结双极... 1引言 Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想材料.目前可实现的实用器件主要有:紫外探测器、X射线探测器、发光二极管、场效应晶体管、异质结双极晶体管、微波电子器件、高温电子器件等.目前最主要的、应用最广的Ⅲ族氮化物器件是紫外探测器和光发射器件. 展开更多
关键词 氮化物 光电子器件 半导体材料 紫外探测器 光发射器件
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