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宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 被引量:14
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作者 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期317-329,共13页
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格... 本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 展开更多
关键词 ⅱ-ⅵ族半导体 低维结构 光学性质 自由激子发射 激子 薄膜生长
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Ⅱ-VI族半导体特性参数的三维边缘元分析
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作者 徐善驾 盛新庆 贾冬焱 《电子科学学刊》 CSCD 1999年第1期110-114,共5页
本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并说明了用这些曲线确定Ⅱ-Ⅵ族半导体电特性参数的方法。该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解... 本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并说明了用这些曲线确定Ⅱ-Ⅵ族半导体电特性参数的方法。该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解有损超薄各向异性介质填充波导本征值问题的困难,简化了求解过程。计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点。 展开更多
关键词 ⅱ-ⅵ族半导体 特性参数 三维边缘元方法
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II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展 被引量:2
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作者 郝建伟 查钢强 介万奇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期87-91,共5页
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量... 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。 展开更多
关键词 -化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应
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ZnSe-ZnTe应变层超晶格用于光电器件的新材料
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作者 刘卫民 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第Z1期21-24,共4页
采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由蓝绿至红的可见光范围内.为了获得宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的p型和n型电导,采用调制掺杂技术制备了ZnSe-ZnTe超晶... 采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由蓝绿至红的可见光范围内.为了获得宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的p型和n型电导,采用调制掺杂技术制备了ZnSe-ZnTe超晶格,如果在ZnTe层中有选择地掺杂Sb,则所有样品呈现p型电导,且空穴浓度为(0.5-1.0)×10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>。另一方面,Ga掺杂的应变层超晶格的电子浓度为(2-7)×10<sup>13</sup>cm(-3)。 展开更多
关键词 应变层 ZNSE-ZNTE 超晶格结构 电子浓度 调制掺杂 ⅱ-ⅵ族半导体 光致发光 光学特性 量子化 发光颜色
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水溶胶CdSe/CdS核/壳结构纳米晶制备及光学性质的研究 被引量:22
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作者 滕枫 唐爱伟 +3 位作者 高银浩 梁春军 徐征 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期651-654,共4页
以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它... 以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它们的发光特性。 展开更多
关键词 ⅱ-ⅵ族半导体 量子点 水溶胶
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一类新型的中红外可调谐激光晶体的研究进展 被引量:2
6
作者 姜海青 姚熹 +3 位作者 车峻 汪敏强 孔凡涛 张良莹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期399-403,共5页
近年来 ,固体激光器取得了重要的进展及许多新的激光晶体材料 ,并且器件水平也不断提高。特别是出现了过渡金属离子掺杂的 - 族半导体材料的中红外激光晶体 ,在这类晶体材料中 ,Cr2 + 掺杂 - 族半导体材料表现出优良的室温荧光性能 ... 近年来 ,固体激光器取得了重要的进展及许多新的激光晶体材料 ,并且器件水平也不断提高。特别是出现了过渡金属离子掺杂的 - 族半导体材料的中红外激光晶体 ,在这类晶体材料中 ,Cr2 + 掺杂 - 族半导体材料表现出优良的室温荧光性能 ,且具有较宽的调谐范围及较高的量子效率 。 展开更多
关键词 激光晶体 中红外波段 ⅱ-ⅵ族半导体 Cr^2+ ZNSE
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高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究 被引量:2
7
作者 倪友保 陈诗静 +3 位作者 吴海信 张春丽 黄昌保 王振友 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1203-1208,共6页
硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行... 硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶。文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论。 展开更多
关键词 硒化镉 多晶合成 ⅱ-ⅵ族半导体
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高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析 被引量:8
8
作者 唐利斌 荣百炼 姬荣斌 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2004年第B10期17-18,共2页
The trace impurities in high purity Te were measured by use of VG9000 glow discharge mass spectrometer (GDMS). Results showed that the stability of analytical performance and the accuracy of analytical results can be ... The trace impurities in high purity Te were measured by use of VG9000 glow discharge mass spectrometer (GDMS). Results showed that the stability of analytical performance and the accuracy of analytical results can be assured by means of optimizing the glow discharge conditions and effective eliminating interference. The test results are based on the average value of the three-time tests. The reproducibility and accuracy of the test data indicated that GDMS is a useful tool for elemental analysis of high purity solid samples. 展开更多
关键词 高纯碲 杂质分析 辉光放电质谱 -化合物半导体
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CdZnTe薄膜的CdCl_2退火及性能表征
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作者 仝俊利 介万奇 +1 位作者 高俊宁 查钢强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1197-1199,1203,共4页
采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒... 采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒尺寸明显增大,晶粒分布更加均匀;XRD分析结果显示,退火后薄膜的最强峰(111)峰的半峰宽变窄,薄膜沿(111)方向的择优取向明显增强;退火后薄膜的光学透过率降低,截止边红移,光学禁带宽度减小;薄膜的电阻率在退火后下降了两个数量级。 展开更多
关键词 近空间升华 CDZNTE 薄膜 CdCl2退火 ⅱ-ⅵ族半导体
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ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
10
作者 方再利 李国华 +4 位作者 韩和相 丁琨 陈晔 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页
测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0~ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0~ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 展开更多
关键词 TE 等电子陷阱 光致发光谱 锌硒碲三元化合物 -化合物半导体 静压 ZnSeTe/ZnSe ZNSE 硒化锌 量子阱
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1988中心专利选刊
11
《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第Z1期47-60,共14页
在衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物薄膜DD251-153-A在碲熔融液中的衬底上生长电致发光或阴极射线发光器件的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料发光膜,衬底最好是具备蒸镀绝缘膜和高熔点金属(Ni,Au,W,Mo)丝的石英膜片。其特点是用过渡族金属掺杂Ⅱ-Ⅵ族... 在衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物薄膜DD251-153-A在碲熔融液中的衬底上生长电致发光或阴极射线发光器件的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料发光膜,衬底最好是具备蒸镀绝缘膜和高熔点金属(Ni,Au,W,Mo)丝的石英膜片。其特点是用过渡族金属掺杂Ⅱ-Ⅵ族化合物。这种过渡族金属是锰或某种稀土金属,其浓度为0.01-100atom%.可以以金属或硫化物的方式添加。Ⅱ-Ⅵ族化合物是ZnS,CsS,ZnSe,CaS,MgS;混合化合物是(Zn, 展开更多
关键词 ⅱ-ⅵ族半导体 阴极射线发光 绝缘膜 石英膜片 光记录介质 电致变色 电致发光 ZNSE 过渡金属 高熔点金属
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