基于AlAsSb/InAsSb超晶格势垒的InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外探测器

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作者 单一凡 吴东海 +8 位作者 谢若愚 周文广 常发冉 李农 王国伟 蒋洞微 郝宏玥 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期450-456,共7页

InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测... InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测器。在InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外光电探测器中,势垒层常采用AlAsSb等多元合金材料,阻挡多数载流子的输运。然而,势垒层与吸收层存在的价带偏移(VBO)使得光电流往往需要在大偏压下饱和,从而增大了探测器暗电流。本文设计了一种AlAsSb/InAsSb超晶格势垒,旨在消除VBO并降低量子效率对偏压的依赖性。研究结果显示,150 K下,设计制备的nBn光电探测器的50%截止波长为4.5μm,探测器光响应在-50 mV的小反向偏压下达到了饱和,3.82μm处的峰值响应度为1.82 A/W,对应量子效率为58.8%。在150 K和-50 mV偏压下,探测器的暗电流密度为2.01×10^(-5)A/cm^(2),计算得到在3.82μm的峰值探测率为6.47×10^(11)cm·Hz^(1/2)/W。 展开更多

关键词 InAs/InAsSb ⅱ类超晶格 AlAsSb/InAsSb势垒 中波红外 势垒探测器

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究

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作者 何苗 周易 +7 位作者 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期15-22,共8页

Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种... Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。 展开更多

关键词 InAs/GaSbⅱ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD

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长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器 被引量：11

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作者 周易 陈建新 +5 位作者 徐庆庆 徐志成 靳川 许佳佳 金巨鹏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期210-213,224,共5页

报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度... 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流. 展开更多

关键词 InAs/GaSbⅱ类超晶格 长波12.5μm 暗电流

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Ⅱ类超晶格红外探测器技术国内外进展 被引量：6

4

作者 尚林涛 王静 +4 位作者 邢伟荣 刘铭 申晨 周朋 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期683-694,共12页

简单归纳整理了德国、美国(CQD、JPL、QmagiQ、NRL、Teledyne和Raytheon)、瑞典(IRnova)、以色列SCD和日本等国外主要机构的Ⅱ类超晶格研究成果以及国内的发展现状。美国VISTA计划的成功实施和技术突破进一步加速推动了Ⅱ类超晶格红外... 简单归纳整理了德国、美国(CQD、JPL、QmagiQ、NRL、Teledyne和Raytheon)、瑞典(IRnova)、以色列SCD和日本等国外主要机构的Ⅱ类超晶格研究成果以及国内的发展现状。美国VISTA计划的成功实施和技术突破进一步加速推动了Ⅱ类超晶格红外探测技术从理论走向现实。虽然目前及今后较长时间内HgCdTe技术仍然是主流,但是Ⅱ类超晶格技术在整体系统性能和成本上可以挑战HgCdTe, Ⅱ类超晶格技术将在红外应用领域全方位替代HgCdTe技术的优势已经越来越清晰。与国外相比,国内Ⅱ类超晶格技术的发展已经具有一些技术基础,但距离产业化推广应用还有一定的差距,可以借鉴国外的先进理论和技术经验并结合具体实际工艺逐步取得突破。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 Type-ⅱ T2SL SLS 发展现状

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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算 被引量：6

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作者 史衍丽 李凡 +1 位作者 赵鲁生 徐文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第6期981-985,共5页

InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势。为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-... InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势。为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-Penney模型对材料的能带结构进行了理论计算;同时,利用输运理论的质量和动量平衡方程对材料的光电导特性进行了计算分析,探讨了这类材料进行非制冷探测的优势。计算结果对深入认识该类材料的光电特性,从而对材料及器件进行优化设计具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 InAs/GaSbⅱ类超晶格 第三代红外探测器 Kronig-Penney方法 质量和动量平衡方程

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128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器 被引量：3

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作者 许佳佳 金巨鹏 +7 位作者 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期501-504,共4页

报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通... 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像. 展开更多

关键词 长波红外探测器 InAs GASB ⅱ类超晶格 焦平面阵列

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Ⅱ类超晶格红外探测器的机理、现状与前景 被引量：11

7

作者 曾戈虹 史衍丽 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第6期311-314,共4页

近年来,锑基Ⅱ类超晶格红外探测器受到特别的关注,主要原因在于:锑化物Ⅱ类超晶格材料可能具有与碲镉汞相当的红外材料特性。根据Ⅱ类超晶格材料的基本特性、能带结构与电子空穴物理分离机理、美国3个主力联合研究团队的攻关现状,对Ⅱ... 近年来,锑基Ⅱ类超晶格红外探测器受到特别的关注,主要原因在于:锑化物Ⅱ类超晶格材料可能具有与碲镉汞相当的红外材料特性。根据Ⅱ类超晶格材料的基本特性、能带结构与电子空穴物理分离机理、美国3个主力联合研究团队的攻关现状,对Ⅱ类超晶格材料、器件的难点与前景进行分析。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 Ⅰ类超晶格 碲镉汞 红外探测器

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高灵敏度Ⅱ类超晶格长波红外探测系统研究 被引量：3

8

作者 饶鹏 张磊 +3 位作者 赵云峰 陆福星 许佳佳 王芳芳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期338-344,共7页

以Ⅱ类超晶格320×256长波红外探测器为核心部件,开发了一套高灵敏度长波红外探测系统.介绍了Ⅱ类超晶格红外探测器的技术指标及系统的主要结构和工作方式.为充分发挥该红外探测器的灵敏度,设计了高灵敏度信息获取系统,并介绍了该... 以Ⅱ类超晶格320×256长波红外探测器为核心部件,开发了一套高灵敏度长波红外探测系统.介绍了Ⅱ类超晶格红外探测器的技术指标及系统的主要结构和工作方式.为充分发挥该红外探测器的灵敏度,设计了高灵敏度信息获取系统,并介绍了该信息获取系统的软硬件设计.该信息获取系统采用了自适应信号调理技术,以降低信息获取噪声,提升探测系统的灵敏度和动态范围.最后对整套长波红外探测系统开展了信息获取噪声测试、系统性能测试及外场成像实验.实验结果表明:长波红外探测系统的信息获取噪声低至0. 065 m V,系统的噪声等效温差(NETD)达到19. 6 m K,黑体探测率为7. 72×1010,外场成像质量良好,图像细节清晰,对比度高.该长波红外探测系统有利于推动Ⅱ类超晶格红外探测器在高灵敏度长波红外遥感探测中的应用. 展开更多

关键词 光电探测系统 长波红外 高灵敏度 ⅱ类超晶格

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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术 被引量：7

9

作者 陈建新 林春 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期786-790,共5页

由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格... 由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3-30μm的宽广范围。由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的精度控制材料生长,因此截止波长由周期决定这一特性使得Ⅱ类超晶格探测器在实现红外焦平面均匀性方面独具优势。Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件工艺的成熟性使得InAs/GaSb正成为一种很有竞争力的红外探测新技术。简要介绍了新型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术,包括该技术的基本原理、材料生长、器件制备及其发展方向。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 红外探测器 半导体

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 被引量：3

10

作者 许佳佳 黄敏 +6 位作者 徐庆庆 徐志成 王芳芳 白治中 周易 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期171-174,共4页

报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影... 报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。 展开更多

关键词 电感耦合等离子 刻蚀 InAs/GaSbⅱ类超晶格 焦平面

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320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器 被引量：6

11

作者 许佳佳 陈建新 +8 位作者 周易 徐庆庆 王芳芳 徐志成 白治中 靳川 陈洪雷 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2014年第6期598-601,共4页

报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm... 报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像. 展开更多

关键词 长波红外探测器 INAS/GASB ⅱ类超晶格 焦平面阵列

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红外探测Ⅱ类超晶格技术概述(一) 被引量：3

12

作者 尚林涛 王静 +3 位作者 邢伟荣 刘铭 申晨 周朋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期404-414,共11页

本文简单归纳总结了红外探测II类超晶格材料的发展历史、基本理论、相比MCT材料的优势和材料的基本结构。通过设计6.1系超晶格材料适当的层厚和不同层间应力匹配的界面可以构筑灵活合理的能带结构,打开设计各种符合器件性能要求的新... 本文简单归纳总结了红外探测II类超晶格材料的发展历史、基本理论、相比MCT材料的优势和材料的基本结构。通过设计6.1系超晶格材料适当的层厚和不同层间应力匹配的界面可以构筑灵活合理的能带结构,打开设计各种符合器件性能要求的新材料结构的可能性(如各种同质结p-i-n结构,双异质结DH、异质结W、M、N、BIRD、CBIRD、p-π-M-N、pBiBn、nBn、XBp、pMp等结构),还可以在一个焦平面阵列(FPA)像元上集成吸收层堆栈实现集成多色/多带探测。T2SL探测器可以满足实现大面阵、高温工作、高性能、多带/多色探测的第三代红外探测器需求,尤其在长波红外(LWIR)和甚长波红外(VLWIR)及双色/多带探测上可以替代MCT。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 Type-ⅱ T2SL SLS 材料结构

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应 被引量：2

13

作者 靳川 许佳佳 +8 位作者 黄爱波 徐志成 周易 白治中 王芳芳 陈建新 陈洪雷 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期688-693,共6页

研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在^(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐... 研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在^(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤. 展开更多

关键词 Γ辐照 实时辐照效应 长波红外探测器 INAS/GASB ⅱ类超晶格

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Ⅱ类超晶格红外探测器技术概述(二) 被引量：2

14

作者 尚林涛 王静 +4 位作者 邢伟荣 刘铭 申晨 周朋 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期548-553,共6页

简要归纳总结了Ⅱ类超晶格材料的生长、器件制备方法以及最近新型Ⅱ类超晶格材料体系的演化。Ⅱ类超晶格理论和工艺技术不断取得进步和完善并呈现出材料体系多样化和更高的性能。虽然目前及今后较长时间内HgCdTe技术仍然是市场主流,但... 简要归纳总结了Ⅱ类超晶格材料的生长、器件制备方法以及最近新型Ⅱ类超晶格材料体系的演化。Ⅱ类超晶格理论和工艺技术不断取得进步和完善并呈现出材料体系多样化和更高的性能。虽然目前及今后较长时间内HgCdTe技术仍然是市场主流,但是Ⅱ类超晶格技术在整体系统性能和成本上可以挑战HgCdTe,Ⅱ类超晶格技术将在红外应用领域全方位替代HgCdTe技术的优势已经越来越清晰。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 Type-ⅱ T2SL SLS 生长及制备

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分子束外延InAs/GaSb Ⅱ类超晶格的缺陷研究 被引量：2

15

作者 邢伟荣 刘铭 +2 位作者 尚林涛 周朋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1106-1109,共4页

InAs/GaSbⅡ类超晶格被认为制备第三代高性能红外探测器的优选材料。本文对GaSb衬底上分子束外延生长的Ⅱ类超晶格材料缺陷进行了研究,首先对材料表面缺陷分类,然后分析了各类缺陷的起源,并研究了生长温度、GaSb生长速率、As/In束流比... InAs/GaSbⅡ类超晶格被认为制备第三代高性能红外探测器的优选材料。本文对GaSb衬底上分子束外延生长的Ⅱ类超晶格材料缺陷进行了研究,首先对材料表面缺陷分类,然后分析了各类缺陷的起源,并研究了生长温度、GaSb生长速率、As/In束流比等对超晶格表面缺陷的影响,对制备高性能大面阵探测器的Ⅱ类超晶格材料生长具有参考价值。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 分子束外延 缺陷 起源

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GaSb基的InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度的测量 被引量：3

16

作者 徐志成 陈建新 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期45-50,共6页

高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外延超晶格材料的载流子浓度等电学参数,所以,如何准确地获得InAs/GaSb超晶格外延材料中的载流子浓度成为... 高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外延超晶格材料的载流子浓度等电学参数,所以,如何准确地获得InAs/GaSb超晶格外延材料中的载流子浓度成为了研究人员关注的焦点之一。主要介绍了InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度测量的四种典型的方法:低温霍尔技术;变磁场霍尔技术以及迁移率谱拟合;衬底去除技术;电容-电压技术。并给出了各种方法的基本原理,评价了每种方法的优缺点。 展开更多

关键词 InAs/GaSbⅱ类超晶格 背景载流子浓度 GaSb衬底 霍尔测量 迁移率谱 去衬底 电容-电压

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InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器研究现状 被引量：5

17

作者 史衍丽 余连杰 田亚芳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第11期621-626,共6页

InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,... InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,旨在尽快发展属于我国的第三代InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器技术。 展开更多

关键词 InAs/GaSb:ⅱ类超晶格 红外探测器 第三代焦平面

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究 被引量：2

18

作者 邢伟荣 刘铭 +1 位作者 周朋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期725-727,共3页

为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺... 为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。 展开更多

关键词 INAS/GASB ⅱ类超晶格 电学性能 霍尔测试

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀 被引量：4

19

作者 张利学 孙维国 +4 位作者 吕衍秋 张向锋 姚官生 张小雷 司俊杰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期472-476,共5页

研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包... 研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺. 展开更多

关键词 半导体材料 InAs/GaSbⅱ类超晶格 ICP干法刻蚀 湿法腐蚀

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Ⅱ类超晶格红外探测器在遥感中的应用前景 被引量：2

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作者 徐丽娜 邓旭光 +1 位作者 金占雷 王智谋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1035-1039,共5页

红外探测器是空间红外遥感器的核心部件,随着空间红外遥感器的发展,对红外探测器也提出了更高要求,需要向双色或多色、均匀大面阵、低热耗、低暗电流、高量子效率、以及高可靠性等方向发展。本文从空间红外遥感器对红外探测器的需求分... 红外探测器是空间红外遥感器的核心部件,随着空间红外遥感器的发展,对红外探测器也提出了更高要求,需要向双色或多色、均匀大面阵、低热耗、低暗电流、高量子效率、以及高可靠性等方向发展。本文从空间红外遥感器对红外探测器的需求分析、Ⅱ类超晶格红外探测器的原理及优点、Ⅱ类超晶格红外探测器国内外研制现状、Ⅱ类超晶格红外探测器在空间红外遥感器中的应用展望等四个方面,重点介绍了Ⅱ类超晶格红外探测器针对空间红外遥感应用中的优势,分析了Ⅱ类超晶格红外探测器在空间红外遥感应用中需要攻克的难点,最后,介绍了Ⅱ类超晶格红外探测器在空间红外遥感器中的应用前景。 展开更多

关键词 遥感 ⅱ类超晶格 红外探测器 应用

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