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太阳模拟器光谱对三结太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试的影响被引量：1: 1; 作者肖文杰王立功 +2 位作者申丽丽邱硕薛超《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第10期1460-1462,共3页; 利用三结太阳电池的二极管模型及量子效率测试结果,计算了在不同太阳模拟器光谱条件下的三结太阳电池性能,结果表明:由于现有的太阳模拟器光谱与AMO光谱间的差异,可能造成短路电流、转换效率测试结果偏低,而太阳模拟器光谱中的峰值对测... 展开更多; 关键词三结太阳电池 ⅰ-ⅴ测试太阳模拟器光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1: 2; 作者吴芳王海燕 +5 位作者卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期42-46,共5页; 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗... 展开更多; 关键词透明导电膜 p-Si:H膜 ⅰ-ⅴ测试电接触特性晶化率; 在线阅读下载PDF 职称材料

HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法: 3; 作者翁彬周松敏 +3 位作者王溪陈奕宇李浩林春《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期54-59,共6页; 报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区... 展开更多; 关键词 HGCDTE 激光束诱导电流 ⅰ-ⅴ测试 B+离子注入干法刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

三结砷化镓太阳电池串联组件遮挡特性的研究被引量：2: 4; 作者董莉郄毅鹏 +1 位作者姚元鑫张肖君《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第8期1133-1136,共4页; 在复杂的空间环境中,航天器的太阳电池阵在光照期间可能会受到部分遮挡,影响其输出功率。针对空间三结砷化镓太阳电池串联组件的遮挡特性进行分析研究,特别是研究被遮挡电池及其旁路二极管的工作机理,可以进一步对其Ⅰ-Ⅴ曲线出现的&qu... 展开更多; 关键词太阳电池组件 ⅰ-ⅴ曲线测试遮挡; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名太阳模拟器光谱对三结太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试的影响被引量：1: 1; 作者肖文杰王立功申丽丽邱硕薛超; 机构中国人民解放军海军中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第10期1460-1462,共3页; 文摘利用三结太阳电池的二极管模型及量子效率测试结果,计算了在不同太阳模拟器光谱条件下的三结太阳电池性能,结果表明:由于现有的太阳模拟器光谱与AMO光谱间的差异,可能造成短路电流、转换效率测试结果偏低,而太阳模拟器光谱中的峰值对测试影响较小。; 关键词三结太阳电池 ⅰ-ⅴ测试太阳模拟器光谱; Keywords triple-junction solar cells ⅰ-ⅴmeasurement solar simulator spectrum; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1: 2; 作者吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期42-46,共5页; 文摘本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。; 关键词透明导电膜 p-Si:H膜 ⅰ-ⅴ测试电接触特性晶化率; Keywords transparent conductive films p-Si ： H films ⅰ-ⅴ testing contact characteristics crystalline volume fraction; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法: 3; 作者翁彬周松敏王溪陈奕宇李浩林春; 机构中国科学院上海技术物理研究所上海科技大学中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期54-59,共6页; 基金中国科学院国防科技创新基金项目(国防实验基金)~~; 文摘报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.; 关键词 HGCDTE 激光束诱导电流 ⅰ-ⅴ测试 B+离子注入干法刻蚀; Keywords HgCdTe, laser beam induced current, ⅰ-ⅴ test, Boron ion implantation, dry etching; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三结砷化镓太阳电池串联组件遮挡特性的研究被引量：2: 4; 作者董莉郄毅鹏姚元鑫张肖君; 机构中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第8期1133-1136,共4页; 文摘在复杂的空间环境中,航天器的太阳电池阵在光照期间可能会受到部分遮挡,影响其输出功率。针对空间三结砷化镓太阳电池串联组件的遮挡特性进行分析研究,特别是研究被遮挡电池及其旁路二极管的工作机理,可以进一步对其Ⅰ-Ⅴ曲线出现的"台阶"进行理论解释。结果表明,当太阳电池串联组件中的电池被部分遮挡后,被遮挡电池的旁路二极管开启,会有一部分电流流过二极管,随着负载电阻的增大,被遮挡电池的旁路二极管闭合,旁路二极管工作状态的改变,使得Ⅰ-Ⅴ曲线会出现"台阶",影响电池阵的在轨功率。; 关键词太阳电池组件 ⅰ-ⅴ曲线测试遮挡; Keywords solar cell module ⅰ-ⅴ curve measure shading; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	太阳模拟器光谱对三结太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试的影响	肖文杰王立功申丽丽邱硕薛超	《电源技术》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究	吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法	翁彬周松敏王溪陈奕宇李浩林春	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	三结砷化镓太阳电池串联组件遮挡特性的研究	董莉郄毅鹏姚元鑫张肖君	《电源技术》 CAS 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料