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“E王E”形耦合电感器的设计及其在交错并联磁集成双向DC-DC变换器中的应用 被引量:20
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作者 杨玉岗 叶菁源 +1 位作者 宁浩轩 马杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期88-97,共10页
为了克服传统EE形耦合电感器的气隙过于集中、磁压和磁通分布不均匀、气隙离绕组过近等缺点,提出一种"E王E"形耦合电感器结构,建立了磁路模型,给出了设计方法。通过仿真和实验证明,该结构增加了一条并联气隙磁路从而使磁路的... 为了克服传统EE形耦合电感器的气隙过于集中、磁压和磁通分布不均匀、气隙离绕组过近等缺点,提出一种"E王E"形耦合电感器结构,建立了磁路模型,给出了设计方法。通过仿真和实验证明,该结构增加了一条并联气隙磁路从而使磁路的磁压和磁通分布比较均匀,磁路的磁阻减小,电感因数和耦合强度增大;气隙远离绕组从而减小气隙扩散磁通和旁路磁通及绕组涡流损耗;绕组绕在长宽比较小的铁心中柱上从而减小绕组长度;所给出的改进磁路模型和设计方法可以用于这种耦合电感器的设计;将这种耦合电感器用于交错并联磁集成双向DC-DC变换器,具有输出电压纹波小、电感电流波形平滑、毛刺少、开关管开通和关断时的电流尖峰小等优点,并且可以有效地提高电路的轻载效率。 展开更多
关键词 “EE”形耦合电感 气隙扩散磁通和旁路磁通 磁路模型和设计方法 交错并联磁集成 双向DC-DC变
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三相电压调整模块中“EΠ”形耦合电感的建模与设计 被引量:13
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作者 杨玉岗 李洪珠 冯本成 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期81-87,共7页
为适应新一代微处理器低压、大电流和快速暂态响应的功率需求,提出一种用于三相电压调整模块(VRM)的"EΠ"形耦合电感结构,通过分析耦合电感的磁通分布,建立了磁路模型及包括气隙边缘磁阻和绕组外面空气磁阻的改进磁路模型,采... 为适应新一代微处理器低压、大电流和快速暂态响应的功率需求,提出一种用于三相电压调整模块(VRM)的"EΠ"形耦合电感结构,通过分析耦合电感的磁通分布,建立了磁路模型及包括气隙边缘磁阻和绕组外面空气磁阻的改进磁路模型,采用空间切割的方法得出空气磁阻的计算公式,从而得出自感、漏感和互感的计算公式,给出耦合电感的设计方法,并通过电感值的三维有限元仿真和实验验证了所提"EΠ"形耦合电感结构的有效性及其磁路模型和设计方法的正确性。 展开更多
关键词 三相电压调整模块 “EΠ”形耦合电感 磁路模型 空气磁阻 自感和漏感
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基于电感耦合等离子体刻蚀的LNOI脊形微结构制备 被引量:1
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作者 吴玉航 杨忠华 +4 位作者 孟雪飞 宋泽乾 刘文 罗文博 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第2期239-242,共4页
铌酸锂(LiNbO 3,LN)是一种广泛使用的介电材料,由于其电光系数大,透明范围大,本征带宽宽,因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好,刻蚀速率慢,其微结构参数难以控制。针对以上问题,该文开展... 铌酸锂(LiNbO 3,LN)是一种广泛使用的介电材料,由于其电光系数大,透明范围大,本征带宽宽,因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好,刻蚀速率慢,其微结构参数难以控制。针对以上问题,该文开展了基于电感耦合等离子体刻蚀(ICP-RIE)的LNOI脊形微结构的制备工艺研究,分析了腔室压强、气体总流量及刻蚀功率等参数对刻蚀速率、刻蚀倾角和表面粗糙度(RMS)的影响。研究表明,在优化的工艺条件下,LNOI薄膜的刻蚀速率达到24.9 nm/min,制备出刻蚀深度249 nm、刻蚀倾角76°、表面粗糙度(RMS)0.716 nm的LNOI脊形微结构。该文通过对刻蚀工艺与微观结构参数的研究,建立了基于ICP的LNOI微结构刻蚀方法,为控制LNOI脊形光波导和提升性能提供了工艺支撑。 展开更多
关键词 绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI) 集成光子学 结构 电感耦合等离子体刻蚀 微结构参数
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一种应用于双向DC/DC变换器的新型耦合电感的设计 被引量:3
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作者 杨玉岗 叶菁源 +1 位作者 李海光 马杰 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2015年第4期75-80,共6页
本文提出的"I王I"形耦合电感器通过增加磁路气隙的数量,使磁路的磁压分布更加均匀,与传统铁心电感器相比显著减小了磁路的电磁损耗、电磁干扰和线圈的涡流损耗,且增大了窗口面积。通过分析耦合电感器的磁通分布,建立磁路模型... 本文提出的"I王I"形耦合电感器通过增加磁路气隙的数量,使磁路的磁压分布更加均匀,与传统铁心电感器相比显著减小了磁路的电磁损耗、电磁干扰和线圈的涡流损耗,且增大了窗口面积。通过分析耦合电感器的磁通分布,建立磁路模型,给出了耦合电感器的设计方法,并对所提出的耦合电感器进行仿真,结合双向DC/DC变换器的实验验证了"I王I"形耦合电感器结构的可行性。 展开更多
关键词 “i王i”形耦合电感 磁路模型 磁通损耗 双向DC/DC变换器
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扬子地块西南缘乌斯河富锗闪锌矿矿物标型特征与锗的替代机制
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作者 孙世强 陈翠华 +7 位作者 赵文皓 赖翔 马天祺 张海军 乔梦怡 宋志娇 陈宵杰 辜鹰 《岩矿测试》 北大核心 2025年第2期214-229,共16页
锗(Ge)是中国优势战略性关键金属之一,扬子地块西南缘乌斯河铅锌矿床是川—滇—黔成矿带的一个重要富锗铅锌矿床,其矿床成因仍存在争议,矿床中闪锌矿的标型特征是否影响Ge的富集程度与替代方式亟待进行解析。为探讨富Ge闪锌矿的标型特征... 锗(Ge)是中国优势战略性关键金属之一,扬子地块西南缘乌斯河铅锌矿床是川—滇—黔成矿带的一个重要富锗铅锌矿床,其矿床成因仍存在争议,矿床中闪锌矿的标型特征是否影响Ge的富集程度与替代方式亟待进行解析。为探讨富Ge闪锌矿的标型特征及Ge的替代机制,本文通过显微镜下观察、显微分光光度计、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)等分析测试方法对其进行定量研究。结果表明该矿床热液期存在Ⅰ阶段颜色较深闪锌矿和Ⅱ阶段颜色较浅闪锌矿,视觉反射率均值分别为16.126%、16.187%,反射色主波段均值分别为474.179nm、474.164nm,反射色饱和度均值分别为0.048、0.043,Ge含量均值分别为244.33×10^(-6)、43.22×10^(-6)。通过对实验结果的总结认为,Ge以类质同象的形式存在于闪锌矿中,且更易在反射色饱和度高的闪锌矿中富集。Ge的替代方式与Cu、Ag有关,两阶段分别为Ge^(4+)+2Cu^(+)←→3Zn^(2+)、Ge^(4+)+2(Cu,Ag)^(+)←→3Zn^(2+)。富Ge闪锌矿的反射色颜色指数特征指示成矿温度上限为203.0~293.0℃,微量元素特征指示成矿温度下限为83.3~199.0℃,矿床成因类型为密西西比河谷型(MVT)铅锌矿床。 展开更多
关键词 富锗铅锌矿床 闪锌矿标特征 替代机制 显微分光光度计 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 类质同象 密西西比河谷型铅锌矿床
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