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颗粒硅中氢杂质对直拉单晶硅的影响及控制措施分析
1
作者
李杰
黄虎一雄
章金兵
《太阳能学报》
北大核心
2025年第7期568-576,共9页
硅烷流化床法制备的颗粒多晶硅因工艺缺陷使得其氢杂质含量比改良西门子法制备的棒状硅高,这导致在后续的直拉单晶硅生产过程中产生“氢跳”现象,该现象会对设备和产品造成一系列的负面影响。产线上和研究者们都在不断地寻找合适的方法...
硅烷流化床法制备的颗粒多晶硅因工艺缺陷使得其氢杂质含量比改良西门子法制备的棒状硅高,这导致在后续的直拉单晶硅生产过程中产生“氢跳”现象,该现象会对设备和产品造成一系列的负面影响。产线上和研究者们都在不断地寻找合适的方法去除颗粒硅中的氢杂质,以避免“氢跳”现象的发生,但目前针对此类的研究报道尚少。该文分析了颗粒硅内氢杂质可能的形成过程,阐述了颗粒硅中氢杂质对直拉单晶硅的影响及其控制措施,提出颗粒硅中氢杂质去除所面临的问题与挑战。最后,对未来有关颗粒硅中氢杂质的研究发展提出建议。
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关键词
多晶硅
颗粒料
脱
氢
直拉单晶
“氢跳”现象
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职称材料
题名
颗粒硅中氢杂质对直拉单晶硅的影响及控制措施分析
1
作者
李杰
黄虎一雄
章金兵
机构
浙江理工大学材料科学与工程学院
浙大宁波理工学院材料科学与工程学院
出处
《太阳能学报》
北大核心
2025年第7期568-576,共9页
基金
宁波市自然科学基金重点项目(2022J148)
宁波市甬江人才工程创新人才项目(2022A-095-G)。
文摘
硅烷流化床法制备的颗粒多晶硅因工艺缺陷使得其氢杂质含量比改良西门子法制备的棒状硅高,这导致在后续的直拉单晶硅生产过程中产生“氢跳”现象,该现象会对设备和产品造成一系列的负面影响。产线上和研究者们都在不断地寻找合适的方法去除颗粒硅中的氢杂质,以避免“氢跳”现象的发生,但目前针对此类的研究报道尚少。该文分析了颗粒硅内氢杂质可能的形成过程,阐述了颗粒硅中氢杂质对直拉单晶硅的影响及其控制措施,提出颗粒硅中氢杂质去除所面临的问题与挑战。最后,对未来有关颗粒硅中氢杂质的研究发展提出建议。
关键词
多晶硅
颗粒料
脱
氢
直拉单晶
“氢跳”现象
Keywords
polysilicon
granular materials
dehydrogenation
Czochralski crystal growth
“hydrogen jump”phenomenon
分类号
TQ127.2 [化学工程—无机化工]
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作者
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1
颗粒硅中氢杂质对直拉单晶硅的影响及控制措施分析
李杰
黄虎一雄
章金兵
《太阳能学报》
北大核心
2025
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