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平面五配位硅、锗XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇
1
作者
郭谨昌
刘芳林
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期133-142,共10页
采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被...
采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被5个金属Be原子配位;4个H原子以桥基方式与Be原子相键连,剩余的2个H原子以端基方式与两端的Be原子成键.化学键分析表明,XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇中XBe_(5)单元具有完全离域的1个π及3个σ键,外围铍氢间形成4个Be—H—Be三中心二电子(3c-2e)键及2个定域的Be—H键.XBe_(5)单元上离域的2π及6σ电子赋予体系π和σ双重芳香性,并使Si/Ge原子满足八隅律(或八电子规则).能量分解化学价自然轨道分析揭示,Si/Ge和Be_(5)H_(6)之间主要为电子共享键.
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关键词
平面五配位硅
全局极小结构
化学键
π/σ双重芳香性
八电子规则
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职称材料
题名
平面五配位硅、锗XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇
1
作者
郭谨昌
刘芳林
机构
山西大学分子科学研究所
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期133-142,共10页
基金
国家自然科学基金(批准号:22173053,21873058)资助。
文摘
采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被5个金属Be原子配位;4个H原子以桥基方式与Be原子相键连,剩余的2个H原子以端基方式与两端的Be原子成键.化学键分析表明,XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇中XBe_(5)单元具有完全离域的1个π及3个σ键,外围铍氢间形成4个Be—H—Be三中心二电子(3c-2e)键及2个定域的Be—H键.XBe_(5)单元上离域的2π及6σ电子赋予体系π和σ双重芳香性,并使Si/Ge原子满足八隅律(或八电子规则).能量分解化学价自然轨道分析揭示,Si/Ge和Be_(5)H_(6)之间主要为电子共享键.
关键词
平面五配位硅
全局极小结构
化学键
π/σ双重芳香性
八电子规则
Keywords
Planar pentacoordinate silicon
Global minimum structure
Chemical bonding
Doubleπ/σaromaticity
Eight-electron counting
分类号
O641 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
平面五配位硅、锗XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇
郭谨昌
刘芳林
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
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