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交变磁场−真空差压协同场下ZL205A合金θ(Al2Cu)相的生长特性
被引量:
4
1
作者
黄朋朋
芦刚
+1 位作者
严青松
罗贵敏
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第11期2540-2549,共10页
采用SEM和XRD等手段,分析励磁电流和凝固压力对ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长取向及形貌的影响,探讨交变磁场−真空差压协同场下ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长特性。结果表明,交变磁场−真空差压协同作用对ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生...
采用SEM和XRD等手段,分析励磁电流和凝固压力对ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长取向及形貌的影响,探讨交变磁场−真空差压协同场下ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长特性。结果表明,交变磁场−真空差压协同作用对ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长取向以及形貌的影响显著。随着励磁电流的增大,ZL205A合金的择优生长取向面(110)、(211)、(112)、(310)和(202)逐渐被抑制,当励磁电流增加至10 A时,(112)晶面已经完全被抑制,同时ZL205A合金中θ(Al2Cu)相形貌出现了粗化现象;当励磁电流超过10 A增加至15 A时,θ(Al2Cu)相的择优生长取向只剩(110)和(211)两个晶面,其他生长取向被完全抑制,而大部分θ(Al2Cu)相组织由连续的树枝网络状转变为细小的碎片状;随着凝固压力的增加,ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的主要择优生长取向面(110)、(211)、(112)和(202)被逐渐抑制,θ(Al2Cu)相的细化效果越来越显著;励磁电流为15 A、凝固压力为350 kPa时,交变磁场与凝固压力协同作用效果最佳。
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关键词
交变磁场
凝固压力
θ(
al
2
cu
)相
生长取向
形貌
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职称材料
Al-Cu合金中θ相的价电子结构分析
被引量:
6
2
作者
高英俊
黄创高
+2 位作者
王态成
蓝志强
韦银燕
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1103-1106,共4页
运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键...
运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键络的θ相紧密相关.θ相的析出提高了合金强度,延长了合金电迁移寿命.
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关键词
al
-
cu
合金
θ(
al
2
cu
)
电子结构
热稳定性
电迁移
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职称材料
Sc在Al-Cu合金中的作用研究进展
被引量:
2
3
作者
钟立伟
王健
+3 位作者
丁西西
冯朝辉
高文理
毛郭灵
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期52-56,共5页
鉴于Al-Cu合金具有优异的综合性能,综述了国内外Sc及Sc与其他元素联合添加在Al-Cu合金中作用的研究进展,包括添加Sc或联合添加Sc与其他元素后,Al-Cu合金晶粒大小、物相组成及分布、物理力学性能等的变化,分析讨论了在未来进行相关研究...
鉴于Al-Cu合金具有优异的综合性能,综述了国内外Sc及Sc与其他元素联合添加在Al-Cu合金中作用的研究进展,包括添加Sc或联合添加Sc与其他元素后,Al-Cu合金晶粒大小、物相组成及分布、物理力学性能等的变化,分析讨论了在未来进行相关研究时的注意事项及需要进一步研究的内容。
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关键词
al
-
cu
合金
SC
θ′-
al
_(
2
)
cu
相
al
_(3)Sc相
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职称材料
Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
4
作者
施海铭
汪辉
+1 位作者
李化阳
林俊毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期569-572,共4页
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原...
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
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关键词
al
-
cu
互连
侧壁孔洞缺陷
θ相
al
2
cu
光刻胶清洗
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职称材料
题名
交变磁场−真空差压协同场下ZL205A合金θ(Al2Cu)相的生长特性
被引量:
4
1
作者
黄朋朋
芦刚
严青松
罗贵敏
机构
南昌航空大学轻合金加工科学与技术国防重点学科实验室
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第11期2540-2549,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(51861027)
江西省优势科技创新团队重点项目(20181BCB19001)。
文摘
采用SEM和XRD等手段,分析励磁电流和凝固压力对ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长取向及形貌的影响,探讨交变磁场−真空差压协同场下ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长特性。结果表明,交变磁场−真空差压协同作用对ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的生长取向以及形貌的影响显著。随着励磁电流的增大,ZL205A合金的择优生长取向面(110)、(211)、(112)、(310)和(202)逐渐被抑制,当励磁电流增加至10 A时,(112)晶面已经完全被抑制,同时ZL205A合金中θ(Al2Cu)相形貌出现了粗化现象;当励磁电流超过10 A增加至15 A时,θ(Al2Cu)相的择优生长取向只剩(110)和(211)两个晶面,其他生长取向被完全抑制,而大部分θ(Al2Cu)相组织由连续的树枝网络状转变为细小的碎片状;随着凝固压力的增加,ZL205A合金中θ(Al2Cu)相的主要择优生长取向面(110)、(211)、(112)和(202)被逐渐抑制,θ(Al2Cu)相的细化效果越来越显著;励磁电流为15 A、凝固压力为350 kPa时,交变磁场与凝固压力协同作用效果最佳。
关键词
交变磁场
凝固压力
θ(
al
2
cu
)相
生长取向
形貌
Keywords
al
ternating magnetic field
solidification pressure
θ(
al
2
cu
)phase
growth orientation
morphology
分类号
TG249.6 [金属学及工艺—铸造]
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职称材料
题名
Al-Cu合金中θ相的价电子结构分析
被引量:
6
2
作者
高英俊
黄创高
王态成
蓝志强
韦银燕
机构
广西大学
中国科学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1103-1106,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50061001)
广西科学基金资助项目(桂科配0135006,桂科自0007020,桂科基0342004-1)
广西"十百千人才工程"资助项目(2001207)
文摘
运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键络的θ相紧密相关.θ相的析出提高了合金强度,延长了合金电迁移寿命.
关键词
al
-
cu
合金
θ(
al
2
cu
)
电子结构
热稳定性
电迁移
分类号
TG111.1 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
Sc在Al-Cu合金中的作用研究进展
被引量:
2
3
作者
钟立伟
王健
丁西西
冯朝辉
高文理
毛郭灵
机构
中国航发北京航空材料研究院铝合金研究所
中国航发北京航空材料研究院北京市先进铝合金材料及应用工程技术研究中心
中建八局第一建设有限公司
湖南大学材料科学与工程学院
出处
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期52-56,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51474195,51374187,51474101)。
文摘
鉴于Al-Cu合金具有优异的综合性能,综述了国内外Sc及Sc与其他元素联合添加在Al-Cu合金中作用的研究进展,包括添加Sc或联合添加Sc与其他元素后,Al-Cu合金晶粒大小、物相组成及分布、物理力学性能等的变化,分析讨论了在未来进行相关研究时的注意事项及需要进一步研究的内容。
关键词
al
-
cu
合金
SC
θ′-
al
_(
2
)
cu
相
al
_(3)Sc相
Keywords
al
-
cu
al
loy
Sc
θ′-
al
2
cu
phase
al
3Sc phase
分类号
TG146.21 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
4
作者
施海铭
汪辉
李化阳
林俊毅
机构
上海交通大学微电子学院
上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期569-572,共4页
基金
国家自然科学基金(NSFC60606015)
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
文摘
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
关键词
al
-
cu
互连
侧壁孔洞缺陷
θ相
al
2
cu
光刻胶清洗
Keywords
al
-
cu
interconnect
sidew
al
l attack defect
θ phase
al
2
cu
photo resist striping
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
交变磁场−真空差压协同场下ZL205A合金θ(Al2Cu)相的生长特性
黄朋朋
芦刚
严青松
罗贵敏
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Al-Cu合金中θ相的价电子结构分析
高英俊
黄创高
王态成
蓝志强
韦银燕
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Sc在Al-Cu合金中的作用研究进展
钟立伟
王健
丁西西
冯朝辉
高文理
毛郭灵
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
施海铭
汪辉
李化阳
林俊毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
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