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非手性β-甲基丁基多联苯异硫氰酸酯液晶合成及高频介电性能
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作者 涂友兰 张磊 +5 位作者 雷孟龙 吴胜莉 刘豪浩 张智勇 陈红梅 汪相如 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期1735-1743,共9页
本文以非手性DL-(±)-2-甲基-1-丁醇和溴苯为原料,通过Appel反应、Grignard偶联反应、Suzuki偶联反应等多种合成方法,设计合成了6种新型异硫氰基非手性β-甲基丁基多联苯类液晶化合物A1~A6,并对其分子结构、相态及微波介电性能进行... 本文以非手性DL-(±)-2-甲基-1-丁醇和溴苯为原料,通过Appel反应、Grignard偶联反应、Suzuki偶联反应等多种合成方法,设计合成了6种新型异硫氰基非手性β-甲基丁基多联苯类液晶化合物A1~A6,并对其分子结构、相态及微波介电性能进行测试分析。结果表明,三联苯化合物A1~A3的熔点随氟原子数量增多而逐渐降低;其中A3熔点最低,只有37℃,向列相温宽达71℃;当氟原子数量和取代位置相同时,β-甲基丁基化合物的熔点低于正丁基化合物。当四联苯侧位取代基改变时,—F取代化合物A4的熔点最低,其次是—CH_(3)取代化合物A6,而—Cl取代化合物A5的熔点最高,三者的向列相温度范围均大于120℃。在波频9~30 GHz时,化合物A2~A6的介电性能较好,介电各向异性均大于0.903,最大介电损耗在0.003 3~0.010 7之间,其中化合物A6在19 GHz时的最大介电损耗为0.003 8,品质因数高达66.12。不同取代基对降低最大(垂直)介电损耗的贡献程度不同:—CH_(3)>—Cl>—F;不同取代基对提高介电各向异性(Δε_(r))的贡献为:—F>—Cl>—CH_(3)。 展开更多
关键词 微波用液晶 介电损耗 β-甲基丁基多联苯 氟取代 合成
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