期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
同位素^(10)B靶的制备
1
作者
樊启文
王华
孟波
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期550-554,共5页
为准确测量^(10)B(n,α)7Li和^(10)B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50~350μg/cm^(2)的^(10)B靶。本文系统研究了同位素^(10)B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备^(10)B靶。研究了基片温度对^(10)B膜生长过程、结...
为准确测量^(10)B(n,α)7Li和^(10)B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50~350μg/cm^(2)的^(10)B靶。本文系统研究了同位素^(10)B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备^(10)B靶。研究了基片温度对^(10)B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了^(10)B靶的不均匀性。结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素^(10)B靶,蒸发速率应低于0.02μg/(cm^(2)·s);灯丝平面与^(10)B柱的最佳距离为10.5~11 mm;生长的^(10)B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300℃。对于尺寸为∅80 mm同位素^(10)B靶的制备,不均匀性可控制在10%以内。已经成功在Ta和Al基片上制备了厚度<350μg/cm^(2)的^(10)B靶用于核物理实验测量。
展开更多
关键词
^
^(
10
)
b
靶
电子轰击
蒸发速率
基片温度
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
同位素^(10)B靶的制备
1
作者
樊启文
王华
孟波
机构
中国原子能科学研究院核物理研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期550-554,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(U1432246,11475264)。
文摘
为准确测量^(10)B(n,α)7Li和^(10)B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50~350μg/cm^(2)的^(10)B靶。本文系统研究了同位素^(10)B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备^(10)B靶。研究了基片温度对^(10)B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了^(10)B靶的不均匀性。结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素^(10)B靶,蒸发速率应低于0.02μg/(cm^(2)·s);灯丝平面与^(10)B柱的最佳距离为10.5~11 mm;生长的^(10)B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300℃。对于尺寸为∅80 mm同位素^(10)B靶的制备,不均匀性可控制在10%以内。已经成功在Ta和Al基片上制备了厚度<350μg/cm^(2)的^(10)B靶用于核物理实验测量。
关键词
^
^(
10
)
b
靶
电子轰击
蒸发速率
基片温度
Keywords
^
^(
10
)
b
target
electron
b
om
b
ardment
evaporation rate
su
b
strate temperature
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
同位素^(10)B靶的制备
樊启文
王华
孟波
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
