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Device Physics Research for Submicron and Deep Submicron Space Microelectronics Devices and Integrated Circuits
1
作者 Huang Chang, Yang Yinghua, Yu Shan, Zhang Xing, Xu Jun, Lu Quan, Chen Da 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 1992年第4期3-4,6-2,共4页
Device physics research for submicron and deep submicron space microelectronics devices and integrated circuits will be described in three topics.1.Thin film submicron and deep submicron SOS / CMOS devices and integra... Device physics research for submicron and deep submicron space microelectronics devices and integrated circuits will be described in three topics.1.Thin film submicron and deep submicron SOS / CMOS devices and integrated circuits.2.Deep submicron LDD CMOS devices and integrated circuits.3.C band and Ku band microwave GaAs MESFET and III-V compound hetrojunction HEM T and HBT devices and integrated circuits. 展开更多
关键词 GaAs MESFET CMOS Device Physics Research for submicron and deep submicron Space Microelectronics Devices and Integrated Circuits MOSFET length
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性能驱动总体布线的关键技术及研究进展 被引量:8
2
作者 经彤 洪先龙 +2 位作者 蔡懿慈 鲍海云 许静宇 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期677-688,共12页
在计算机软件领域 ,超大规模集成电路技术的迅猛发展迫切需要高性能 CAD工具——电子设计自动化(EDA)软件工具的支持 .与物理设计相关的 CAD技术称为布图设计 ,总体布线是布图设计中一个极为重要的环节 .目前 ,在深亚微米、超深亚微米... 在计算机软件领域 ,超大规模集成电路技术的迅猛发展迫切需要高性能 CAD工具——电子设计自动化(EDA)软件工具的支持 .与物理设计相关的 CAD技术称为布图设计 ,总体布线是布图设计中一个极为重要的环节 .目前 ,在深亚微米、超深亚微米工艺下的超大规模、甚大规模集成电路设计中 ,性能驱动总体布线算法已成为布图设计中的一个国际研究热点 .针对这一热点 ,分析了性能驱动总体布线算法研究中亟待解决的关键技术 ,并详细阐述了国内外的重要相关研究工作进展情况 . 展开更多
关键词 总体布线 超深亚微米工艺 超大规模集成电路 布图设计 电子设计自动化
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深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展 被引量:6
3
作者 张卫东 郝跃 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期76-80,43,共6页
本文给出了深亚微米MOS器件热载流子效应及可靠性研究与进展.对当前深亚微米MOS器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述.不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米... 本文给出了深亚微米MOS器件热载流子效应及可靠性研究与进展.对当前深亚微米MOS器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述.不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础.本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型,尤其是MOS器件的热载流子退化模型. 展开更多
关键词 深亚微米 MOSFET 热载流子 可靠性 退化 模型
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超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟 被引量:5
4
作者 胡志良 贺朝会 +1 位作者 张国和 郭达禧 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期456-460,共5页
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响... 考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。 展开更多
关键词 中子辐照 超深亚微米 SOI NMOSFET 数值模拟
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短沟道MOSFET解析物理模型 被引量:2
5
作者 杨谟华 于奇 +2 位作者 肖兵 谢晓峰 李竞春 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期84-86,92,共4页
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和... 本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。 展开更多
关键词 短沟道 MOSFET 解析物理模型 VLSI/ULSI
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深亚微米集成电路设计中串扰分析与解决方法 被引量:3
6
作者 马剑武 陈书明 孙永节 《计算机工程与科学》 CSCD 2005年第4期102-104,共3页
本文介绍了深亚微米集成电路设计中串扰的成因及其对信号完整性的影响,论述了串扰分析和设计解决的一般方法,对于实际设计具有一定的理论指导意义和应用参考价值。本文最后指出了我们工作的进一步研究方向。
关键词 深亚微米集成电路 电路设计 信号完整性 串扰分析
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面向实时图像处理应用的BAP1024芯片设计 被引量:1
7
作者 来金梅 张明 +1 位作者 姚庆栋 陈晓初 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期69-71,共3页
本文给出了研制中的 0 35 μmCMOS工艺的超大规模并行阵列处理芯片BAP10 2 4(Bit serialArrayProces sorwith 10 2 4processelements)的主要结构。
关键词 实时图像处理 CMOS BAP1024 VLSI
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深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析 被引量:1
8
作者 唐守龙 吴建辉 罗岚 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期372-376,共5页
深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最... 深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%. 展开更多
关键词 CMOS射频集成电路 混频器 深亚微米工艺 噪声
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片上系统芯片设计与静态时序分析 被引量:2
9
作者 来金梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期52-55,共4页
提出了一种考虑了布线延迟的片上系统设计流程, 并运用一个新的、全芯片的、门级静态时序分析工具支持片上系统设计。实例设计表明, 该设计方法能使设计者得到更能反映实际版图的延迟值, 验证结果更完整、准确,
关键词 系统芯片 静态时序分析 集成电路 设计
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深亚微米工艺下SoC多点温度低功耗测试调度方法 被引量:2
10
作者 焦铬 范双南 《电子测量技术》 2015年第7期67-70,共4页
在深亚微米技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器,通过内建的温度传感器来感应温度,在SoC的核心部位进行多点采集,取... 在深亚微米技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器,通过内建的温度传感器来感应温度,在SoC的核心部位进行多点采集,取温度的最高值反馈到控制系统,进行温度的调节控制。在测试过程中,在温度、功耗和总线带宽都满足条件的情况下进行调度,避免出现由制程变异引起的芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,与文献[2]比较,该方法在保证芯片热安全的同时,使CPU使用时间平均多减少10.33%,使测试应用时间平均多减少11.14%。 展开更多
关键词 深亚微米工艺 多点温度 片上系统 低功耗测试调度
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深亚微米电路N MOS器件HCI退化建模与仿真
11
作者 李康 马晓华 +2 位作者 郝跃 陈海峰 王俊平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期721-724,753,共5页
提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区... 提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模,提高了模型描述器件退化的准确度.用基于0.25μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证,测试数据与仿真结果吻合得很好. 展开更多
关键词 深亚微米NMOSFET 热载流子注入退化 ΔId模型 电路可靠性
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深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟
12
作者 张兴 石涌泉 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期93-95,共3页
本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米SOIMOSFET的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生-复合作用,采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程,提高了计算效率和收敛性。利用此... 本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米SOIMOSFET的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生-复合作用,采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程,提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜SOIMOSFET不同于厚膜SOIMOSFET的工作机理及特性,发现薄膜SOIMOSFET的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比,两者吻合得较好。 展开更多
关键词 数值模拟 深亚微米薄膜 SOI器件 集成电路
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超深亚微米工艺下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法
13
作者 焦铬 李浪 +1 位作者 刘辉 邹祎 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2015年第12期3682-3684,3696,共4页
在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米工艺下,漏电功耗、空闲芯核唤... 在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米工艺下,漏电功耗、空闲芯核唤醒功耗、分区开销和热量等约束条件对So C芯片测试的影响,利用叠加原理迅速而准确地计算功耗和热量分布,提出了一种基于热量分区的热感知测试调度方法,避免出现芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,该方法在保证芯片热安全的同时,能有效地减少测试时间。 展开更多
关键词 超深亚微米 片上系统 热量分区 热感知测试调度
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测量深亚微米薄膜内微小残余应力的测试圆环结构
14
作者 乔大勇 郑晓沛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1263-1267,共5页
为能灵敏地测出深亚微米薄膜中的微小残余应力,对现有的圆环临界屈曲结构做进一步改进,并利用改进后的圆环结构测量3种不同厚度的深亚微米尺度薄膜残余应力。通过在线监测系统对释放过程进行观察并测量其临界腐蚀深度,然后借助ANSYS软... 为能灵敏地测出深亚微米薄膜中的微小残余应力,对现有的圆环临界屈曲结构做进一步改进,并利用改进后的圆环结构测量3种不同厚度的深亚微米尺度薄膜残余应力。通过在线监测系统对释放过程进行观察并测量其临界腐蚀深度,然后借助ANSYS软件的特征值屈曲法计算出残余应力大小。改进后的测试圆环结构最终成功地测量出3种深亚微米尺度薄膜中10MPa以下的微小残余压应力,而制作在同一薄膜上的微旋转机构因在如此低的应力状态下未发生明显的形变而未能实现残余应力的测量。 展开更多
关键词 微小残余应力 深亚微米尺度薄膜 灵敏度
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深亚微米精度电感位移传感器及测量电路研究 被引量:3
15
作者 刘晓 赵辉 +1 位作者 刘伟文 俞朴 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2428-2431,共4页
针对传统电感传感器及其测量系统难于同时满足测量精度和采样速度的现状,提出一种适合动态位移超精测量方法.采用半桥式电感传感器作测量探头,利用集成信号调理电路和Δ-Σ型AD转换器,将高速过采样和平均滤波有机融和,实现了动态微位移... 针对传统电感传感器及其测量系统难于同时满足测量精度和采样速度的现状,提出一种适合动态位移超精测量方法.采用半桥式电感传感器作测量探头,利用集成信号调理电路和Δ-Σ型AD转换器,将高速过采样和平均滤波有机融和,实现了动态微位移的精密测量.实验结果表明,该方法在保障100Hz速度的前提下,测量稳定性优于±0.01μm. 展开更多
关键词 电感传感器 动态位移 深亚微米 过采样 平均滤波
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超深亚微米物理设计中天线效应的消除 被引量:5
16
作者 张智胜 吴秀龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期429-432,共4页
分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效... 分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效应对时钟延时和时钟偏斜的影响降到最低,从而对芯片时序的影响降到最低。最后结合一款芯片的物理设计,该设计采用台积电(TSMC)65 nm低功耗(LP)工艺,在布局布线中运用所述的方法进行时钟树综合并且使得时钟网络布线具有最大的优先权。此方法有效地消除了设计中存在的天线效应,并且使得天线效应对时钟树的影响降到最低以及对时序的影响降到最小。 展开更多
关键词 超深亚微米 天线效应 时钟树综合 时序 布局布线
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超深亚微米IC设计中的天线效应分析 被引量:1
17
作者 李蜀霞 刘辉华 +1 位作者 赵建明 何春 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期113-117,共5页
天线效应(PAE)是超深亚微米IC设计后端设计流程中的一个关键问题。该文具体分析了在芯片制造过程中产生天线效应的原因和影响因素,根据其产生机理提出了四种消除天线效应的方法,同时还给出了设计中的天线规则和天线比率的具体计算方法... 天线效应(PAE)是超深亚微米IC设计后端设计流程中的一个关键问题。该文具体分析了在芯片制造过程中产生天线效应的原因和影响因素,根据其产生机理提出了四种消除天线效应的方法,同时还给出了设计中的天线规则和天线比率的具体计算方法。在真实的设计实例中,运用该方法解决了设计中存在的天线效应问题,证明了它的切实可行性。 展开更多
关键词 天线规则 栅氧 天线效应 超深亚微米
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光刻技术在微细加工中的应用 被引量:7
18
作者 刘建海 陈开盛 曹庄琪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期37-39,48,共4页
介绍光刻技术中的曝光设备与技术、光刻工艺及工艺控制在集成电路微细加工中的应用。
关键词 光刻 深亚微米 曝光分辨率 微细加工 微电子
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深亚微米SOC芯片分层设计方法 被引量:1
19
作者 刘德启 胡忠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期335-338,共4页
根据深亚微米SOC设计的特点和需求,提出了一种新的基于模块的全芯片分层设计方法,它把系统架构、逻辑设计以及物理实现有机结合到一起。通过渐进式时序收敛完成芯片的层次规划,并最终达到一次实现芯片级的时序收敛,大大提高了深亚微米SO... 根据深亚微米SOC设计的特点和需求,提出了一种新的基于模块的全芯片分层设计方法,它把系统架构、逻辑设计以及物理实现有机结合到一起。通过渐进式时序收敛完成芯片的层次规划,并最终达到一次实现芯片级的时序收敛,大大提高了深亚微米SOC设计的效率,并在实际设计之中得到了有效验证。 展开更多
关键词 深亚微米 片上系统 分层 渐进收敛
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深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法 被引量:2
20
作者 夏增浪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期45-49,共5页
详述了目前用于深亚微米CMOSIC的静电放电(ESD)保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合PMOS触发/NMOS触发横向可控硅(PTLSCR/NTLSCR)ESD保护电路的工作原理。
关键词 深亚微米 低压CMOS IC ESD保护电路
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