VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性

1

作者 韩家贤 韦华 +5 位作者 刘汉保 惠峰 雷云 何永彬 唐康中 王茺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期825-831,共7页

针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化... 针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化了坩埚的旋转和下降速度,以调节掺杂剂Fe在熔体中的分凝、固液界面形状及晶体头部与尾部的生长速度。这些措施不仅改善了晶体的固液界面形状,使其由较凹变得平缓,同时实现了晶体生长速率的合理匹配与温度梯度的精确控制,显著提升了晶体的位错密度和电学参数的均匀性。与传统VGF法相比,VB/VGF法掺Fe InP晶体的轴向电阻率差值降低了259%,径向电阻率均匀性提高了2.0%~7.1%。 展开更多

关键词 INP 晶体生长 垂直布里奇曼(vb)法 垂直梯度凝固(VGF)法 电阻率 均匀性

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垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体的数值模拟分析 被引量：9

2

作者 马雁冰 刘滔 +4 位作者 邹鹏程 姜军 高文峰 罗川旭 林文贤 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期240-245,共6页

利用FIDAP数值软件,详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程,讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布的影响,分析了5 K/cm、10 K/cm、15 K/cm三种不同温度梯度条件对固液界面的影响。结果表明:在所采用的... 利用FIDAP数值软件,详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程,讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布的影响,分析了5 K/cm、10 K/cm、15 K/cm三种不同温度梯度条件对固液界面的影响。结果表明:在所采用的模型计算条件下,潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布有很小的影响;在生长初期和末期,固液界面变化比较剧烈;随着温度梯度的加大,在生长中期,界面凹向固态区的趋势减小,界面凹向液态区的趋势加大。 展开更多

关键词 CDZNTE FIDAP 垂直bridgman法 数值模拟

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VB-GaAs单晶生长技术 被引量：3

3

作者 林健 牛沈军 兰天平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期293-296,共4页

半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管。对于激光二极管而言,特别需要低位错材料。简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术。本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长... 半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管。对于激光二极管而言,特别需要低位错材料。简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术。本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长,拉制的50 mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500 cm-2,最大为1000 cm-2。 展开更多

关键词 垂直布里奇曼法 砷化镓 单晶 位错密度

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垂直Bridgman法多组元晶体生长的多场耦合模型 被引量：1

4

作者 陆军 李恒 +4 位作者 苏燕兵 白博峰 王跃社 王国祥 郭烈锦 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期582-586,共5页

对垂直Bridgman法多组元晶体生长的准稳态模型所采用的Boussinesq线性密度假设进行了改进,基于密度的Taylor展开式,得到了熔体密度随温度、浓度变化的非线性函数关系并引入到模型中,改进后的准稳态模型(PSSM)能揭示晶体生长过程的非线... 对垂直Bridgman法多组元晶体生长的准稳态模型所采用的Boussinesq线性密度假设进行了改进,基于密度的Taylor展开式,得到了熔体密度随温度、浓度变化的非线性函数关系并引入到模型中,改进后的准稳态模型(PSSM)能揭示晶体生长过程的非线性本质.明确了模型的边界条件,得到了晶体生长的完整数学描述.改进后的PSSM以及已获得的多组元晶体准确物性为晶体生长的多场耦合定量数值模拟研究奠定了基础. 展开更多

关键词 垂直bridgman 多场耦合 准稳态模型

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6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术

5

作者 周春锋 兰天平 +2 位作者 边义午 曹志颖 罗惠英 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期383-389,共7页

为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采... 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。 展开更多

关键词 GAAS 半绝缘单晶 单晶生长 垂直梯度凝固(VGF)法 垂直布里奇曼(vb)法

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数值模拟在VB法生长碲锌镉晶体中的应用

6

作者 王旭 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期3-7,共5页

数值模拟是晶体生长研究中一种非常有效的辅助分析技术,借助该技术可以模拟晶体生长过程,分析获得一定的规律或参数,从而指导工艺研究。本文介绍了晶体生长数值模拟的概念、基本方法,并结合VB法生长碲锌镉晶体难点,对数值模拟技术在碲... 数值模拟是晶体生长研究中一种非常有效的辅助分析技术,借助该技术可以模拟晶体生长过程,分析获得一定的规律或参数,从而指导工艺研究。本文介绍了晶体生长数值模拟的概念、基本方法,并结合VB法生长碲锌镉晶体难点,对数值模拟技术在碲锌镉晶体技术研究中的应用情况进行了归纳总结。 展开更多

关键词 数值模拟 垂直布里奇曼 碲锌镉

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垂直Bridgman法生长氟化钙晶体的数值分析 被引量：1

7

作者 姚静 周海 +3 位作者 卢一民 万汉城 王晓阳 李建 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期640-644,共5页

利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和... 利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度的影响。分析结果表明:熔体对流传热的效果随晶体生长的不断进行逐渐减弱;固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度有重要影响;晶体的结晶速度和坩埚的下降速度存在不一致性。 展开更多

关键词 氟化钙(CaF2) Fluent软件 垂直bridgman法 数值模拟

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垂直Bridgman法生长CaF_2单晶传热过程的数值分析 被引量：1

8

作者 姚静 周海 +1 位作者 卢一民 万汉城 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期48-53,共6页

采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化... 采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化;晶体生长速率与坩埚下降速率不一致;25 K/cm为合适的梯度区温度梯度;晶体内部辐射传热对单晶生长传热过程有重要影响.计算结果表明,3个时期的固相等温线的曲率小于液相的.根据数值模拟结果进行了晶体生长实验,生长出的晶体完整,透明,无宏观缺陷. 展开更多

关键词 CAF2 有限元法 垂直bridgman法 数值模拟 传热 温度场

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VB法生长CdZnTe晶体的放肩角度优化

9

作者 上官旻杰 袁文辉 +4 位作者 梁红昱 汪帅 饶吉磊 万佳琪 黄立 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1555-1561,共7页

基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩... 基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩角度中,120°能在放肩段得到最平坦的固液界面。随着生长进行,不同角度下固液界面的形态差异逐渐减小,在主体生长中所有界面形状趋于一致。根据模型参数进一步实施了CdZnTe晶体的生长实验,结果表明,在90°/120°/150°三种放肩角度中,120°放肩时晶锭头部的单晶率更高。 展开更多

关键词 碲锌镉晶体 垂直布里奇曼法 放肩角度 数值模拟 生长固液界面

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垂直布里奇曼法制备碲化汞晶体技术研究

10

作者 段晋胜 张红梅 王宏杰 《电子工业专用设备》 2024年第4期17-20,共4页

介绍了碲化汞单晶材料的性能特点、应用领域、制备技术及面临的挑战。根据材料特性采用布里奇曼法设计和优化设备细节和核心工艺参数,分析了炉体核心材料、热场结构以及杂质去除技术和精确控制生长速度等对碲化汞晶体材料质量的影响,为... 介绍了碲化汞单晶材料的性能特点、应用领域、制备技术及面临的挑战。根据材料特性采用布里奇曼法设计和优化设备细节和核心工艺参数,分析了炉体核心材料、热场结构以及杂质去除技术和精确控制生长速度等对碲化汞晶体材料质量的影响,为设备和工艺优化积累了依据。展望了布里奇曼法制备碲化汞单晶的技术创新措施可以提高单晶体的质量和性能,推动相关领域的技术进步和产业升级。 展开更多

关键词 红外探测 半导体光电材料 碲化汞 垂直布里奇曼法 晶体生长

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优质碲锌镉单晶的生长及性能测试 被引量：7

11

作者 巩锋 周立庆 +1 位作者 刘兴新 董瑞清 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期362-363,共2页

采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te)。通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红外透射光谱、X Ray形貌、X射线双晶摇摆曲线对碲锌镉晶体的性能进行了研究。

关键词 生长 优质 傅立叶 密度 直径 形貌 单晶 摇摆曲线 晶体 垂直布里奇曼法

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磷锗锌晶体生长技术研究进展 被引量：2

12

作者 赵欣 朱世富 李梦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期241-248,260,共9页

磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体是一种性能优异的红外非线性光学晶体材料,被广泛应用于各种先进的光学器件。研究ZnGeP_2晶体的生长方法,对低成本制备大体积、高质量的ZnGeP_2晶体具有重要意义。介绍了ZnGeP_2晶体的结构和应用领域,给出了ZnGeP_... 磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体是一种性能优异的红外非线性光学晶体材料,被广泛应用于各种先进的光学器件。研究ZnGeP_2晶体的生长方法,对低成本制备大体积、高质量的ZnGeP_2晶体具有重要意义。介绍了ZnGeP_2晶体的结构和应用领域,给出了ZnGeP_2多晶合成与单晶生长技术研究发展的最新动态,并基于晶体生长原理以及生长条件控制方法的差异,综述了水平温度梯度冷凝(HGF)法、液封提拉(LEC)法、高压气相(HPVT)法和垂直布里奇曼(VB)法4种主要的ZnGeP_2单晶体生长方法的优缺点;重点阐述了较成熟的HGF和VB法生长ZnGeP_2晶体的影响因素和研究进展,提出了ZnGeP_2单晶制备技术存在的主要问题和今后的发展方向。 展开更多

关键词 磷锗锌(ZGP)单晶体 多晶合成 单晶生长 水平温度梯度冷凝(HGF)法 垂直布里奇曼(vb)法

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ZnGeP_2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进 被引量：3

13

作者 赵欣 朱世富 程江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期516-519,553,共5页

分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍... 分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。 展开更多

关键词 磷锗锌 多晶合成 安瓿爆炸 垂直布里奇曼法 晶体生长

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碘化铅多晶合成与单晶体生长研究 被引量：2

14

作者 赵欣 朱兴华 +1 位作者 杨晓龙 金应荣 《西华大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第S1期253-255,共3页

碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化铅原料的合成与晶体生长工艺进行了初步研究 ,用垂直布里奇曼法生长出了直径达 2 0mm、长约 3

关键词 碘化铅单晶体 垂直布里奇曼法 晶体生长

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高电阻率均匀性4英寸半绝缘GaAs单晶生长技术 被引量：1

15

作者 兰天平 周春锋 +2 位作者 边义午 宋禹 马麟丰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期287-292,303,共7页

4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔。但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)法晶体生长工艺所得的单晶尾部径向电阻率均匀性较差,严... 4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔。但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)法晶体生长工艺所得的单晶尾部径向电阻率均匀性较差,严重影响了相关器件性能的一致性。对采用VGF和(VGF+垂直布里奇曼(VB))两种晶体生长工艺所得的半绝缘GaAs单晶头尾径向电阻率不均匀性测试进行分析,优化了(VGF+VB)晶体生长相关工艺条件,并确定了VB晶体生长部分比较合理的起始位置及生长速度。在保证晶锭头尾电阻率均达到10~8Ω·cm以上的情况下,有效地降低了晶体尾部径向电阻率不均匀性,使其由原来的大于20%降低到小于10%,提高了晶体质量。通过该工艺还可有效排杂到晶体尾部,增加高电阻率单晶有效长度。 展开更多

关键词 GAAS 垂直梯度凝固(VGF) 垂直布里奇曼(vb) 晶体生长 电阻率 均匀性

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垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析 被引量：1

16

作者 栾丽君 介万奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期57-61,共5页

Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选... Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图。计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:a=0.31nm,b=0.79nm,c=0.47nm,β=92.71°。确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0■1)Te//(■02)CMT,[100]Te//[111]CMT。最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析。 展开更多

关键词 垂直布里奇曼(vb)法 稀释磁性半导体 Cd0.8Mn0.2Te Te沉淀

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锗酸盐晶体的坩埚下降法生长研究 被引量：1

17

作者 徐家跃 武安华 +5 位作者 吴宪君 陈红兵 丁嘉宣 周娟 廖晶莹 范世(马岂) 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2004年第5期92-99,共8页

锗酸盐晶体是一类重要的功能晶体材料。其中,Bi4Ge3O12(BGO)是一种优良的闪烁 晶体,广泛应用于高能物理、地质勘察和医疗成像等领域;Sr3Ga2Ge4O14(SGG)是重要的压电 晶体,作为基片材料可以制作高性能的声表面波(SAW)器件,在移动... 锗酸盐晶体是一类重要的功能晶体材料。其中,Bi4Ge3O12(BGO)是一种优良的闪烁 晶体,广泛应用于高能物理、地质勘察和医疗成像等领域;Sr3Ga2Ge4O14(SGG)是重要的压电 晶体,作为基片材料可以制作高性能的声表面波(SAW)器件,在移动通讯、高温探测等方面有 良好的应用前景;Pb5Ge3O11(PGO)晶体具有小的介点常数和比较大的热释电系数,被认为是 优秀的热释电探测器材料,而其旋光性则可应用于信息存储和信号处理等过程;Sr3Ga2Ge4O14 (Nd:SGG)晶体是高峰值、短脉冲和高频率固态激光器用潜在的激光晶体材料;Bi12GeO20 (BGO)是一种有前途的多功能晶体材料,在光折变、电光、压电等方面都有着重要的应用; Bi4GexSi1-xO12混晶的生长有望获得成本低、性能好的无机闪烁晶体。作者采用改进型坩埚下 降法生长技术成功生长了闪烁晶体BGO、铁电晶体PGO、压电晶体SGG、光折变晶体BGO、 激光晶体Nd:SGG、闪烁体BGSO混晶等多种锗酸盐功能晶体。 展开更多

关键词 锗酸盐 坩埚下降法 晶体生长 功能晶体材料

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碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究

18

作者 王领航 介万奇 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页

以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对... 以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象. 展开更多

关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直bridgman法 半导体材料 近红外光电探测器

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坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究 被引量：2

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作者 金敏 徐家跃 +3 位作者 范世骥 申慧 何庆波 谈慧祖 《应用技术学报》 2017年第1期10-13,88,共5页

利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部... 利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70%.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868cm-2和1 436cm-2,电阻率达107Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55%,接近最高理论透过率55.8%.满足工业界使用要求. 展开更多

关键词 坩埚下降法 红外 砷化镓晶体 透过率

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垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件优化

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作者 范叶霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期934-938,共5页

分析了利用垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件,如坩埚的材质和形状、炉体温场、固液界面形状、生长速率以及采用籽晶等生长条件对晶体单晶率和质量的影响,并提出了优化垂直布里奇曼法生长Cd Zn Te晶体的条件。

关键词 垂直布里奇曼法 PBN 坩埚 籽晶生长 碲锌镉晶体

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