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题名倒装芯片凸焊点的UBM
被引量：9
- 1
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作者
郭江华
王水弟
张忠会
胡涛
贾松良
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机构
清华大学微电子所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期60-64,共5页
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文摘
介绍了倒装芯片凸焊点的焊点下金属（ＵＢＭ）系统，讨论了电镀Ａｕ凸焊点用ＵＢＭ的溅射工艺和相应靶材、溅射气氛的选择，给出了凸焊点ＵＢＭ质量的考核试验方法和相关指标。
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关键词
倒装芯片
凸焊点
ubm
微电子封装
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Keywords
flip chip
bump
ubm
microelectronics packaging
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分类号
TN405.94
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名红外探测器倒装互连技术进展
被引量：11
- 2
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作者
耿红艳
周州
宋国峰
徐云
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机构
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第3期722-726,共5页
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基金
国家自然科学基金(61036010
61177070)
+3 种基金
国家重点"973计划"基础研究发展计划(2011CBA00608
2012CB619203)
国家科技重大专项计划(2011ZX01015-001)
北京市自然科学基金(4112058)
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文摘
随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。
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关键词
打底金属
铟柱
回流
倒压焊
底部填充胶
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Keywords
ubm
indium bump
reflow
flip chip bond
underfills
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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题名倒装芯片中凸点与凸点下金属层反应的研究现状
被引量：3
- 3
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作者
王来
何大鹏
于大全
赵杰
马海涛
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机构
大连理工大学材料工程系
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期16-19,共4页
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基金
辽宁省自然科学基金(20041078)
大连理工大学青年教师培养基金
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文摘
随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了界面金属间化合物层(IMC)在长时间回流焊接过程中剥落的原因,进一步指出了凸点与 UBM 反应研究的趋势。
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关键词
凸点凸点下金属层(ubm)
金属间化合物(IMC)
剥落
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Keywords
solder bump
under bump metallurgy（ubm）
intermetallic compound （IMC）
spalling
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分类号
TG425
[金属学及工艺—焊接]
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题名读出电路铟柱打底层对铟柱成球高度的影响
被引量：8
- 4
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作者
谢珩
梁宗久
杨雅茹
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期63-66,共4页
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文摘
针对超大规模红外探测器读出电路铟柱成球后高度过低导致倒装互连难度增加这一问题,设计了试验,并分析讨论了读出电路铟柱打底层(UBM)形状对铟柱成球高度的影响。得出了铟球高度与铟柱尺寸和铟柱生长高度成正比,与读出电路铟柱打底层尺寸成反比,并提出了进一步增加铟球高度的思路。
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关键词
红外探测器
读出电路
打底层
铟柱
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Keywords
infrared detector
ROIC
ubm
indium bump
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分类号
TN214
[电子电信—物理电子学]
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题名凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制
被引量：3
- 5
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作者
陈波
陈焱
谷德君
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机构
沈阳芯源微电子设备有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1209-1212,共4页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02009)
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文摘
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。
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关键词
凸点下金属层
湿法刻蚀
凸点底切
单片机
电镀凸点
刻蚀速率
刻蚀均匀度
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Keywords
ubm
wet etching
undercut
single wafer tool
electroplating bump
etching rate
etching uniformity
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN305.96
[电子电信—物理电子学]
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