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倒装芯片凸焊点的UBM 被引量:8
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作者 郭江华 王水弟 +2 位作者 张忠会 胡涛 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期60-64,共5页
介绍了倒装芯片凸焊点的焊点下金属(UBM)系统,讨论了电镀Au凸焊点用UBM的溅射工艺和相应靶材、溅射气氛的选择,给出了凸焊点UBM质量的考核试验方法和相关指标。
关键词 倒装芯片 凸焊点 ubm 微电子封装
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UBM凸点互连结构信号完整性分析
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作者 梁颖 林训超 +2 位作者 黄春跃 邵良滨 张欣 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期9-12,113,共4页
建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信... 建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信号完整性的影响.结果表明,不同信号频率下电场强度在凸点及UBM各层表面分布不均匀,越接近UBM顶端电场强度越大;随信号频率的提高,UBM凸点互连结构的回波损耗增大而插入损耗减小;随镍层厚度、铜层厚度和钛层厚度的增加插入损耗减小;采用Ti-Wu-Au组合UBM凸点互连结构的信号完整性最好,Ti-Cu-Ni组合次之,而Cr-Ni-Au组合最差. 展开更多
关键词 凸点下金属层 电场强度 回波损耗 插入损耗 信号完整性
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FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
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作者 奚嘉 陈妙 +3 位作者 肖斐 龙欣江 张黎 赖志明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期692-698,共7页
Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。... Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。通过断面与截面分析,研究其在不同处理条件下的金属间化合物生长情况,分析其断裂模式。结果表明,Fe Ni UBM焊点剪切力高于Cu UBM。Fe47Ni UBM与焊料反应生成的金属间化合物较薄,对于剪切力影响较小,而Fe64Ni UBM与焊料反应生成离散的Cu Ni Sn金属间化合物,对于其焊点强度有提高作用,Cu UBM与焊料反应生成较厚的金属间化合物,会明显降低焊点的剪切力。断面分析表明,Cu UBM会随焊球发生断裂,其强度明显小于Fe Ni UBM。 展开更多
关键词 圆片级封装(WLP) 凸点下金属(ubm) FeNi合金 剪切力 金属间化合物(IMC)
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红外探测器倒装互连技术进展 被引量:11
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作者 耿红艳 周州 +1 位作者 宋国峰 徐云 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期722-726,共5页
随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装... 随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。 展开更多
关键词 打底金属 铟柱 回流 倒压焊 底部填充胶
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读出电路铟柱打底层对铟柱成球高度的影响 被引量:8
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作者 谢珩 梁宗久 杨雅茹 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期63-66,共4页
针对超大规模红外探测器读出电路铟柱成球后高度过低导致倒装互连难度增加这一问题,设计了试验,并分析讨论了读出电路铟柱打底层(UBM)形状对铟柱成球高度的影响。得出了铟球高度与铟柱尺寸和铟柱生长高度成正比,与读出电路铟柱打底层尺... 针对超大规模红外探测器读出电路铟柱成球后高度过低导致倒装互连难度增加这一问题,设计了试验,并分析讨论了读出电路铟柱打底层(UBM)形状对铟柱成球高度的影响。得出了铟球高度与铟柱尺寸和铟柱生长高度成正比,与读出电路铟柱打底层尺寸成反比,并提出了进一步增加铟球高度的思路。 展开更多
关键词 红外探测器 读出电路 打底层 铟柱
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倒装芯片中凸点与凸点下金属层反应的研究现状 被引量:3
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作者 王来 何大鹏 +2 位作者 于大全 赵杰 马海涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期16-19,共4页
随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了... 随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了界面金属间化合物层(IMC)在长时间回流焊接过程中剥落的原因,进一步指出了凸点与 UBM 反应研究的趋势。 展开更多
关键词 凸点凸点下金属层(ubm) 金属间化合物(IMC) 剥落
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用于圆片级封装的金凸点研制 被引量:5
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作者 王水弟 蔡坚 +3 位作者 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期27-30,共4页
介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系... 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。 展开更多
关键词 金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射
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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制 被引量:3
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作者 陈波 陈焱 谷德君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1209-1212,共4页
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及... 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。 展开更多
关键词 凸点下金属层 湿法刻蚀 凸点底切 单片机 电镀凸点 刻蚀速率 刻蚀均匀度
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添加奶粉对土壤中铬、镍、锰、铜生物可给性的影响 被引量:1
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作者 王鹏飞 尹乃毅 +5 位作者 都慧丽 蔡晓琳 李泽姣 孙国新 刘文菊 崔岩山 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1451-1456,共6页
为了探究不同成分的奶粉对土壤中Cr、Ni、Mn、Cu生物可给性的影响,本文通过in vitro实验研究了添加全脂或脱脂奶粉后,胃肠阶段土壤中Cr、Ni、Mn、Cu的生物可给性的变化.结果表明,胃阶段,土壤中Cr、Ni、Mn、Cu的生物可给性分别为3.9%—46... 为了探究不同成分的奶粉对土壤中Cr、Ni、Mn、Cu生物可给性的影响,本文通过in vitro实验研究了添加全脂或脱脂奶粉后,胃肠阶段土壤中Cr、Ni、Mn、Cu的生物可给性的变化.结果表明,胃阶段,土壤中Cr、Ni、Mn、Cu的生物可给性分别为3.9%—46.2%、4.5%—64.0%、21.2%—72.5%、4.5%—69.5%;添加奶粉后,4种金属的生物可给性均有升高,是未加奶粉的1.1—1.5倍、1.3—2.2倍、1.1—2.1倍、1.0—3.6倍(全脂奶粉)和1.1—1.4倍、1.4—2.4倍、1.2—2.5倍、1.0—4.2倍(脱脂奶粉).小肠阶段,土壤中Cr、Ni、Cu的生物可给性有一定上升,但Mn的生物可给性相比胃阶段降低了;奶粉的添加使Cr、Ni、Mn、Cu等4种金属的溶出量增加,分别是未添加的1.2—1.3倍、1.3—2.3倍、2.0—4.5倍、1.0—1.5倍(全脂奶粉)和1.1—1.5倍、1.6—2.5倍、2.5—6.9倍、1.2—1.8倍(脱脂奶粉),其中Ni、Mn的生物可给性增加显著,且Ni、Mn的生物可给性的增加率高于胃阶段.由此可见,奶粉的添加,尤其是脱脂奶粉,促进了土壤中Cr、Ni、Mn、Cu的溶出释放,可能增大了其对人体的健康风险. 展开更多
关键词 土壤 生物可给性 金属 奶粉 ubm方法
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一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装 被引量:2
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作者 刘秀博 王绍东 +1 位作者 王志强 付兴昌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期779-783,共5页
采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、... 采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。 展开更多
关键词 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP) 重分配布线层 金属凸点 CMOS驱动器 剪切力
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面向先进电子封装的扩散阻挡层的研究进展
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作者 郑永灿 罗一鸣 +1 位作者 徐子轩 刘俐 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期28-40,共13页
功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(... 功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(IMCs)的生成急剧增加,对焊点的可靠性提出了挑战。在封装结构中,扩散阻挡层对于金属间化合物的产生有着重要影响,因此,高可靠性扩散阻挡层成为先进电子封装领域的研究热点之一。本文综述了近年来先进电子封装领域关于不同材料类型扩散阻挡层单质、二元化合物、三元化合物、复合材料和多层膜结构的研究进展。在此基础上总结扩散阻挡层的三种扩散阻挡机制,包括IMCs的晶粒细化、合金元素的偏析及抑制柯肯达尔空洞,同时分析阻挡层的几种失效机制,讨论扩散阻挡层对焊点可靠性的影响。最后指出现有扩散阻挡层研究仍处于制造工艺与材料性能探索阶段,未来可针对高熵合金、多物理场耦合作用、失效及扩散阻挡机理等方面展开深入和系统的研究。 展开更多
关键词 先进封装 金属间化合物 凸点下金属层 扩散阻挡性能 失效机制
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