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封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究
被引量：
3
1
作者
李琦
徐弘毅
+3 位作者
金锐
谢刚
郭清
盛况
《机电工程》
CAS
2015年第5期707-711,共5页
为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝...
为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
uis
失效分析
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职称材料
级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理
被引量：
3
2
作者
钱乐
李胜
+2 位作者
张弛
刘斯扬
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1103-1108,共6页
对级联型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在非钳位感性负载开关(UIS)应力下的可靠性机理进行研究.通过实验分析和软件仿真验证,揭示级联型氮化镓功率器件在单脉冲UIS应力下的耐受机理、失效机理以及在多脉冲UIS应力下的电参数退化机...
对级联型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在非钳位感性负载开关(UIS)应力下的可靠性机理进行研究.通过实验分析和软件仿真验证,揭示级联型氮化镓功率器件在单脉冲UIS应力下的耐受机理、失效机理以及在多脉冲UIS应力下的电参数退化机理.在常开型氮化镓晶体管从开态转换到关态的过程中,器件源漏两端的电压增大.通过自配置级联的方式,观察器件内部节点的电压情况,从而分析其失效过程.实验结果表明器件的失效位置出现在低压硅基器件上,利用仿真软件分析得出逆压电效应引起关态漏电的增大,最终导致器件失效.此外,结合测试结果与仿真分析,发现重复UIS应力会引起电子陷阱的产生与积累,从而导致相关电参数的退化.
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关键词
级联型氮化镓HEMT
uis
失效
退化
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职称材料
题名
封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究
被引量：
3
1
作者
李琦
徐弘毅
金锐
谢刚
郭清
盛况
机构
浙江大学电气工程学院
国家电网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所
出处
《机电工程》
CAS
2015年第5期707-711,共5页
基金
国家电网公司科技资助项目(SGRI-WD-71-14-005)
浙江省教育厅科研资助项目(Y201329864)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014FZA4014)
文摘
为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
uis
失效分析
Keywords
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
unclamped inductive switching （uis）
failure analysis
分类号
TM7 [电气工程—电力系统及自动化]
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理
被引量：
3
2
作者
钱乐
李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1103-1108,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2020YFF0218501)
江苏省科技成果转化基金资助项目(BA2020027)
江苏省成果转化项目(BA2020030).
文摘
对级联型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在非钳位感性负载开关(UIS)应力下的可靠性机理进行研究.通过实验分析和软件仿真验证,揭示级联型氮化镓功率器件在单脉冲UIS应力下的耐受机理、失效机理以及在多脉冲UIS应力下的电参数退化机理.在常开型氮化镓晶体管从开态转换到关态的过程中,器件源漏两端的电压增大.通过自配置级联的方式,观察器件内部节点的电压情况,从而分析其失效过程.实验结果表明器件的失效位置出现在低压硅基器件上,利用仿真软件分析得出逆压电效应引起关态漏电的增大,最终导致器件失效.此外,结合测试结果与仿真分析,发现重复UIS应力会引起电子陷阱的产生与积累,从而导致相关电参数的退化.
关键词
级联型氮化镓HEMT
uis
失效
退化
Keywords
cascode Gallium nitride high electron mobility transistor(GaN HEMT)
unclamped
inductive
switching
(
uis
)
failure
degradation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究
李琦
徐弘毅
金锐
谢刚
郭清
盛况
《机电工程》
CAS
2015
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理
钱乐
李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
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职称材料
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