期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种R-C-R组合式12位逐次逼近A/D转换器 被引量:4
1
作者 佟星元 陈杉 +2 位作者 蔡乃琼 朱樟明 杨银堂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期904-910,共7页
采用一种R-C-R组合式逐次逼近A/D转换方法,基于UMC 90 nm CMOS工艺设计了一种12位1兆赫兹采样频率的逐次逼近型A/D转换器.在电路设计上,通过复用两段式电阻梯结构,有效地降低了系统对电容阵列的匹配性要求.在版图设计方面,采用了特殊的... 采用一种R-C-R组合式逐次逼近A/D转换方法,基于UMC 90 nm CMOS工艺设计了一种12位1兆赫兹采样频率的逐次逼近型A/D转换器.在电路设计上,通过复用两段式电阻梯结构,有效地降低了系统对电容阵列的匹配性要求.在版图设计方面,采用了特殊的电阻梯版图设计方法来减小连接电阻的失配影响,并采用金属叉指电容来提高工艺兼容性以减小工艺成本.在3.3 V模拟电源电压和1.0 V数字电源电压下,测得微分非线性为0.78最低有效位.当采样速率为1兆采样点每秒,输入信号频率为10 kHz时,测得的有效位数为10.3,包括输出驱动在内,功耗不足10 mW.整个转换器的有源面积小于0.31 mm2,符合嵌入式片上系统的应用要求. 展开更多
关键词 A/D转换器 逐次逼近 两段式电阻梯 金属叉指电容 低成本
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部