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Normalized Positive Ground State Solutions for Nonhomogeneous Kirchhoff Equations
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作者 ZHANG Xiaocang XU Liping 《应用数学》 北大核心 2025年第3期711-720,共10页
This article studies a class of nonlinear Kirchhoff equations with exponential critical growth,trapping potential,and perturbation.Under appropriate assumptions about f and h,the article obtained the existence of norm... This article studies a class of nonlinear Kirchhoff equations with exponential critical growth,trapping potential,and perturbation.Under appropriate assumptions about f and h,the article obtained the existence of normalized positive solutions for this equation via the Trudinger-Moser inequality and variational methods.Moreover,these solutions are also ground state solutions.Additionally,the article also characterized the asymptotic behavior of solutions.The results of this article expand the research of relevant literature. 展开更多
关键词 Normalized positive ground state solution Nonhomogeneous Kirchhoff equation Variational method Exponential critical growth Trapping potential
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Study on Solution Diffusion Coefficient by Kinetic Nucleation Method
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作者 Chen Wanchun Liu Dgodan Mo Wenyi 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期206-206,共1页
The solution diffusion coefficient is a great important intrinsical parameter in crystal growth.On earth,it is impossible to accurately determine the diffusion coefficient since there is nature convection.One of the m... The solution diffusion coefficient is a great important intrinsical parameter in crystal growth.On earth,it is impossible to accurately determine the diffusion coefficient since there is nature convection.One of the marked charateristics of space-crystal growth is to eleminate nature convection,so that purely diffusion-controlled condition of crystal growth could be realized and precise measurement of the diffusion coefficient should be approved. 展开更多
关键词 solution diffusion coefficient space crystal growth crystal growth kinetic nucleation method nature convection eleminate nature convectionso nature convectionone diffusion coefficient
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脱硫石膏常压盐溶液法制备硫酸钙晶须的研究进展 被引量:1
3
作者 刘虎林 王静 +3 位作者 伍媛婷 海鸥 薛云龙 张新孟 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期60-74,共15页
脱硫石膏是对含硫燃料燃烧烟气进行脱硫处理后得到的工业副产品。以其为原料制备硫酸钙晶须是实现脱硫石膏高附加值利用的主要途径之一。围绕近年来制备硫酸钙晶须的研究成果,在分析脱硫石膏和硫酸钙晶体基本特征的基础上,总结了常压盐... 脱硫石膏是对含硫燃料燃烧烟气进行脱硫处理后得到的工业副产品。以其为原料制备硫酸钙晶须是实现脱硫石膏高附加值利用的主要途径之一。围绕近年来制备硫酸钙晶须的研究成果,在分析脱硫石膏和硫酸钙晶体基本特征的基础上,总结了常压盐溶液法制备硫酸钙晶须的反应机理和工艺条件,讨论了以脱硫石膏为原料制备硫酸钙晶须的几个关键问题。分析表明,常压盐溶液法中硫酸钙晶须的生长包括二水硫酸钙溶解、半水硫酸钙析出与晶须生长三个过程,在一定范围内提高反应温度、增大盐溶液浓度和料浆浓度、降低pH值均有利于硫酸钙晶须的生长。脱硫石膏中存在的多种杂质会影响硫酸钙晶须制品的纯度和形貌,需要通过物理手段和化学方法进行预处理。选择含Na^(+)或Mg^(2+)的氯盐或者硝酸盐可增大二水硫酸钙溶解度、降低溶液水活度和调控脱水速率进而促进半水硫酸钙晶须的生长,而通过转晶剂离子在硫酸钙晶须不同晶面的选择吸附可控制晶须形貌。一般金属阳离子可促进晶须生长,增大长径比;有机阴离子会抑制晶须生长,形成短柱状硫酸钙。 展开更多
关键词 脱硫石膏 硫酸钙晶须 常压盐溶液法 生长机理
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提拉法生长Ca(BO_(2))_(2)晶体的包裹体缺陷研究
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作者 黎诗锋 杨金凤 +4 位作者 黄云棋 张博 刘子琦 孙军 潘世烈 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1501-1508,共8页
偏硼酸钙(Ca(BO_(2))_(2))晶体的紫外透过截止边短,紫外波段透过率高,且具有较大的双折射率,是一种具有巨大发展潜力和广阔应用前景的深紫外双折射晶体,但目前生长的晶体易产生包裹体缺陷,严重影响其应用。本文采用提拉法生长Ca(BO_(2))... 偏硼酸钙(Ca(BO_(2))_(2))晶体的紫外透过截止边短,紫外波段透过率高,且具有较大的双折射率,是一种具有巨大发展潜力和广阔应用前景的深紫外双折射晶体,但目前生长的晶体易产生包裹体缺陷,严重影响其应用。本文采用提拉法生长Ca(BO_(2))_(2)晶体并制备测试样品,利用偏光显微镜、扫描电子显微镜、拉曼光谱等手段对包裹体的形貌、尺寸、分布和成分进行检测,结合晶体生长的过程,分析了包裹体的形成机制,并提出了其消除策略。研究表明,Ca(BO_(2))_(2)晶体中的包裹体为气相包裹体,来源于熔体中溶解的气体分子,在晶体中以“球形”、“线状”与“蝌蚪状”形貌出现;其形成是由晶体生长速率和气泡扩散速率共同决定,通过对熔体进行过热处理、提高生长界面的温度梯度、降低生长速率、提高晶体生长旋转速度等方式可以完全消除晶体中包裹体缺陷。 展开更多
关键词 Ca(BO_(2))_(2)晶体 提拉法 包裹体 生长速率 温度梯度 溶质边界层
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R^(4)中一类带陡峭位势的临界Kirchhoff型方程的基态解
5
作者 陈征艳 张家锋 《数学物理学报(A辑)》 北大核心 2025年第2期450-464,共15页
该文致力于研究R^(4)中一类带有陡峭位势的临界Kirchhoff型方程{-(a+b∫_(R^(4))|▽u|^(2)dx)Δu+λV(x)u=|u|^(2)u+f(u),x∈R^(4),u∈H^(1)(R^(4)),其中a,b>0是常数且参数λ>0.在4维空间中,|u|^(2)u的非线性增长在2^(*)=4时达到S... 该文致力于研究R^(4)中一类带有陡峭位势的临界Kirchhoff型方程{-(a+b∫_(R^(4))|▽u|^(2)dx)Δu+λV(x)u=|u|^(2)u+f(u),x∈R^(4),u∈H^(1)(R^(4)),其中a,b>0是常数且参数λ>0.在4维空间中,|u|^(2)u的非线性增长在2^(*)=4时达到Sobolev临界指数.假设非负连续位势V是底部为V^(-1)(0)的陡峭位势且f∈C(R,R)满足一定的条件.利用变分方法,获得了方程至少存在一个基态解.此外,还研究了当|x|→∞时,基态解的集中行为和当b→0,λ→∞时,基态解的渐近行为. 展开更多
关键词 Kirchhoff型方程 临界增长 变分方法 陡峭位势 基态解
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基于溶液法制备卤化铅钙钛矿的直接型辐射探测器研究进展 被引量:1
6
作者 秦峰 吴金杰 +4 位作者 邓宁勤 焦志伟 朱伟峰 汤显强 赵瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期554-571,共18页
X射线和γ射线探测在医学成像、安防检查、国土安全、无损检测等各个领域得到广泛应用,钙钛矿材料具有高辐射吸收系数、高载流子迁移率-寿命乘积、特殊的缺陷容忍特性而成为辐射探测器件优异的候选材料。溶液法在制备钙钛矿材料方面具... X射线和γ射线探测在医学成像、安防检查、国土安全、无损检测等各个领域得到广泛应用,钙钛矿材料具有高辐射吸收系数、高载流子迁移率-寿命乘积、特殊的缺陷容忍特性而成为辐射探测器件优异的候选材料。溶液法在制备钙钛矿材料方面具有显著的优势,溶液法的成本较低,能在低温或环境条件下制备,更易推行工业化生产,是未来优化材料体系,制备高质量、大尺寸晶体材料的关键技术。本文从溶液法制备卤化铅钙钛矿材料的角度出发,分析晶体生长及材料组成对辐射探测性能的影响,重点介绍从优化晶体生长质量和器件结构设计等方面提升辐射探测性能,最后总结钙钛矿材料在辐射探测领域面临的挑战,并展望了未来研究的发展方向,期望为钙钛矿材料在辐射探测领域走向工业化提供参考。 展开更多
关键词 晶体生长 卤化铅钙钛矿 溶液法 半导体器件 辐射探测器
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溶液法生长碳化硅单晶的位错转换研究进展
7
作者 苏奕霖 米国发 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S02期56-62,共7页
碳化硅作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、饱和电子漂移速度快等特性,在高温以及大功率器件等领域具有应用前景。由于溶液法SiC晶体生长过程接近热力学平衡,生长时会发生TSDs与TEDs向BPDs或SFs转换,并随着生长的进行从晶体边缘排出,... 碳化硅作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、饱和电子漂移速度快等特性,在高温以及大功率器件等领域具有应用前景。由于溶液法SiC晶体生长过程接近热力学平衡,生长时会发生TSDs与TEDs向BPDs或SFs转换,并随着生长的进行从晶体边缘排出,从而实现SiC的低位错密度、高质量生长,因此吸引了大量科研工作者对溶液法生长SiC的工艺与机理进行研究。本文对溶液法生长SiC的位错转换研究现状进行了总结,汇总了影响位错转换的因素,介绍了不同位错转换行为的差异以及利用位错转换机制生长高质量SiC的方式,最后对未来溶液法制备SiC的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 溶液法 碳化硅 晶体生长 位错转换
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溶液法生长大尺寸CsCu_(2)I_(3)钙钛矿单晶及其光学性能研究
8
作者 凌昊 徐乐 +5 位作者 陈思贤 唐远之 孙海滨 郭学 冯玉润 胡强强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1121-1126,共6页
近年来,铜基钙钛矿因其出色的稳定性和环境友好性在发光和闪烁等领域受到了广泛关注。然而,目前对CsCu_(2)I_(3)晶体材料的研究主要集中在0维和1维领域,这限制了人们对材料本征性质和各向异性的深入理解,也限制了其在闪烁体中的实际应... 近年来,铜基钙钛矿因其出色的稳定性和环境友好性在发光和闪烁等领域受到了广泛关注。然而,目前对CsCu_(2)I_(3)晶体材料的研究主要集中在0维和1维领域,这限制了人们对材料本征性质和各向异性的深入理解,也限制了其在闪烁体中的实际应用。本文通过溶液降温法开展了CsCu_(2)I_(3)体块单晶的生长工艺研究,成功得到了长度达5 mm的高质量CsCu_(2)I_(3)单晶,该晶体无色透明、棱角分明、显露面完整。XRD测试结果表明,CsCu_(2)I_(3)晶体在经过6个月后依然保持了良好的稳定性;吸收光谱显示该晶体在310 nm波段具有明显的吸收峰,计算得到其禁带宽度为3.42 eV,表明CsCu_(2)I_(3)晶体属于宽禁带半导体;发射光谱显示该晶体发射波长位于580 nm处,半峰全宽为75 nm,绘制CIE色度图得到其发光色度坐标为(0.47,0.50),位于黄光区域,属于暖白色调(色温3000 K),这与该晶体在紫外灯照射下发出黄色荧光的现象一致;CsCu_(2)I_(3)晶体的荧光寿命测得为51.6和215.5 ns。 展开更多
关键词 CsCu_(2)I_(3) 晶体生长 溶液法 体块单晶 光学性能
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溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展
9
作者 张庆文 单东明 +1 位作者 张虎 丁然 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期572-584,共13页
近年来,有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料因其出色的光电特性在国际上备受瞩目,并已成功应用于太阳能光伏、光电探测、电致发光等多个领域。目前绝大部分器件研究都集中在钙钛矿多晶材料上,但钙钛矿单晶材料拥有更低的缺陷态密度、更高的... 近年来,有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料因其出色的光电特性在国际上备受瞩目,并已成功应用于太阳能光伏、光电探测、电致发光等多个领域。目前绝大部分器件研究都集中在钙钛矿多晶材料上,但钙钛矿单晶材料拥有更低的缺陷态密度、更高的载流子迁移率、更长的载流子复合寿命、更宽的光吸收范围,以及更高的稳定性等优异的性质,可有效减少载流子传输过程中的散射损失,以及在晶界处的非辐射复合,并抑制离子迁移所引起的迟滞效应。采用钙钛矿单晶薄膜作为器件有源层有望制备性能更高效且更稳定的钙钛矿光电器件。目前,已报道的多种钙钛矿单晶薄膜制备方法包括溶液空间限域法、化学气相沉积法、自上而下加工法等,其中溶液空间限域法的发展和应用最为广泛。本文聚焦利用溶液空间限域法制备高质量钙钛矿单晶薄膜的相关方法,以及钙钛矿单晶薄膜在光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和发光二极管等相关器件应用中的研究进展,并对钙钛矿单晶薄膜及其光电器件的未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 钙钛矿半导体材料 溶液空间限域法 钙钛矿单晶薄膜 光电子器件 单晶薄膜生长
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顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展
10
作者 顾鹏 雷沛 +2 位作者 叶帅 胡晋 吴戈 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期741-759,共19页
因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前... 因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前电子器件对大尺寸、高质量和低成本SiC单晶衬底的迫切需求。顶部籽晶溶液(TSSG)法可以在更低的温度和近热力学平衡条件下实现SiC晶体制备,能够显著弥补PVT法的不足,正逐渐成为极具竞争力的低成本、高质量SiC单晶衬底创新技术之一。本文首先阐述了TSSG法生长SiC晶体的理论依据,并给出了各工艺环节要点,然后归纳了TSSG法生长SiC晶体的主要技术优势,梳理了国内外在该技术领域的研究现状并重点讨论了TSSG法生长SiC晶体关键技术问题、产生机制,以及可能的解决途径等。最后,对TSSG法生长SiC晶体的未来发展做出展望。 展开更多
关键词 第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能
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一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能 被引量:13
11
作者 陈建刚 郭常新 +1 位作者 张琳丽 胡俊涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期59-65,共7页
用硝酸锌(Zn(NO3)2·4H2O)或醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH2)6N4)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5—8μm,直径300-700nm)... 用硝酸锌(Zn(NO3)2·4H2O)或醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH2)6N4)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5—8μm,直径300-700nm)。测量了样品的XRD和扫描电镜像。经XRD分析,所得样品均为纤锌矿的ZnO六角型晶体。扫描电镜(SEM)像表明,生长时间为3h或5h时,样品为细长条的棒状结构,长径比超过10:1;生长48h后的ZnO亚微米棒的一端被腐蚀成一定深度的ZnO亚微米管。用负离子配位四面体生长模型分析了ZnO亚微米棒的生长机理。ZnO亚微米棒退火前后的光致发光谱表明,退火处理后的发射谱中的紫外峰消失,而红色发光峰红移并且增强(峰值由630nm左右移到710nm),同时它的激发光谱中的室温激子激发峰也增强。 展开更多
关键词 氧化锌 光致发光 晶体生长 化学溶液法 纳米晶
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KDP/DKDP晶体生长的研究进展 被引量:18
12
作者 王波 房昌水 +6 位作者 王圣来 孙洵 顾庆天 许心光 李义平 刘冰 牟晓明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期247-252,共6页
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKD... 采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。 展开更多
关键词 KDP/DKDP晶体 惯性约束核聚变 溶液晶体生长 传统降温法 “点籽晶”快速生长法
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中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究 被引量:10
13
作者 吴海信 黄飞 +3 位作者 倪友保 王振友 陈林 程干超 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期711-715,共5页
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生... 红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Φ19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3~20μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm^(-1),品质良好,已能满足激光实验要求。 展开更多
关键词 材料 CDSE 温度梯度熔体区熔法 单晶生长 非线性
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一步水溶液法快速合成花状纳米ZnO及其表征 被引量:3
14
作者 胡进勇 黄欣 李平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期454-458,共5页
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用一步水溶液法,不添加任何表面活性剂,在85℃条件下反应30 min制备出形貌规则、结晶良好的三维(3-D)花状ZnO纳米晶体。用X-射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射... 以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用一步水溶液法,不添加任何表面活性剂,在85℃条件下反应30 min制备出形貌规则、结晶良好的三维(3-D)花状ZnO纳米晶体。用X-射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等,分别对产物的结构和形貌进行了表征。通过对花状ZnO生长过程的研究,得出了其在液相中的生长机理。对样品的光致发光(PL)分析显示,Zn O在紫外光区有一个较强的发射,在可见光区有一个较宽的发射;通过在样品中掺杂少量过渡金属离子Co2+可有效屏蔽可见光区的缺陷发光。 展开更多
关键词 ZNO 溶液法 形成机理 光致发光
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溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体 被引量:20
15
作者 鲁智宽 高樟寿 +1 位作者 李义平 王灿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期19-22,共4页
本文研究了溶液循环流动法生长大截面KDP晶体的工艺条件.发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热、流动体系的流量和生长相的温场.测定了不同条件下生长槽的温场,确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度... 本文研究了溶液循环流动法生长大截面KDP晶体的工艺条件.发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热、流动体系的流量和生长相的温场.测定了不同条件下生长槽的温场,确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度、加快晶体生长速度. 展开更多
关键词 磷酸二氢钾晶体 晶体生长 光学晶体 水溶液法
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晶种面织构对溶液化学法生长ZnO纳米棒的影响 被引量:4
16
作者 赵娟 靳正国 刘晓新 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1643-1648,共6页
采用化学沉积法,在ZnO晶种面上研究了纳米棒于70℃过饱和硝酸锌/氢氧化钠溶液中的定向生长。通过sol-gel法在玻璃基底上引入了ZnO的晶种面,通过热处理温度、冷却方式和拉膜速度改变其织构,重点考察其对ZnO纳米棒生长形态的影响。采用XRD... 采用化学沉积法,在ZnO晶种面上研究了纳米棒于70℃过饱和硝酸锌/氢氧化钠溶液中的定向生长。通过sol-gel法在玻璃基底上引入了ZnO的晶种面,通过热处理温度、冷却方式和拉膜速度改变其织构,重点考察其对ZnO纳米棒生长形态的影响。采用XRD和SEM分析了不同晶种面以及相应棒晶的生长形态。结果表明,随热处理温度的提高,晶种长大,相应的棒晶直径从25nm增加到50nm,1.5h的生长棒长达约800nm。300 ̄400℃热处理、急冷或低的拉膜速度条件下制备的晶种面具有更高的晶体取向和较少的表面缺陷。从而导致生长面高的成核密度,使得ZnO纳米棒能够在垂直于基底的方向上择优生长。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 晶种面 溶液化学法 晶体生长
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溶液蒸发法左旋葡聚糖单晶生长的研究 被引量:2
17
作者 李志鹏 丁瑞 +2 位作者 周恒为 鹿桂花 黄以能 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2300-2304,共5页
根据平衡法测量左旋葡聚糖(LG)在四氢呋喃溶剂中的溶解度,以溶液蒸发法在四氢呋喃溶剂中首次生长出LG单晶,并对其生长质量进行了表征。结果表明:(1)在303 K以下温区,左旋葡聚糖在四氢呋喃溶剂中具有较小的温度系数,适用于溶液蒸发法生... 根据平衡法测量左旋葡聚糖(LG)在四氢呋喃溶剂中的溶解度,以溶液蒸发法在四氢呋喃溶剂中首次生长出LG单晶,并对其生长质量进行了表征。结果表明:(1)在303 K以下温区,左旋葡聚糖在四氢呋喃溶剂中具有较小的温度系数,适用于溶液蒸发法生长单晶;(2)生长出尺寸为0. 85 cm×0. 35 cm×0. 4 cm单晶,晶体结构为正交晶系;(3)通过金相显微镜、拉曼光谱和X射线衍射分析表明,LG单晶质量较好。 展开更多
关键词 左旋葡聚糖 溶液蒸发法 单晶生长
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晶体溶解动力学实验方法研究 被引量:3
18
作者 陈万春 刘道丹 +1 位作者 吕佩德 马文漪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期107-112,共6页
本文用新型溶液等组分技术研究了HAP(HydroxylaPatite)晶体的溶解动力学。探讨了动力学过程的再现性。分析了影响再现性的因素。测定了溶解过程中不同时刻溶液中ca和P的离子浓度。实验结果表明:使用等组分技术可以获得动力学溶解过程的... 本文用新型溶液等组分技术研究了HAP(HydroxylaPatite)晶体的溶解动力学。探讨了动力学过程的再现性。分析了影响再现性的因素。测定了溶解过程中不同时刻溶液中ca和P的离子浓度。实验结果表明:使用等组分技术可以获得动力学溶解过程的高再现性。等组分技术是用于研究晶体生长基础(诸如:溶液体系的晶体成核,溶质扩散和输运,生长结晶和微重力结晶)的有用方法。 展开更多
关键词 羟基磷灰石 晶体 溶解动力学
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Fe-0.04%C合金焊缝熔池凝固过程中枝晶生长及溶质浓度分布模拟 被引量:2
19
作者 张敏 李露露 +1 位作者 徐蔼彦 李继红 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2854-2862,共9页
基于枝晶生长的扩散界面模型,改进元胞自动机法,并结合有限差分法,综合考虑浓度场、温度场以及熔池形状,建立Fe-0.04%C(质量分数)合金枝晶生长和溶质浓度分布模型。模拟单个等轴晶的生长形貌及枝晶尖端生长速度随时间的变化关系、多个... 基于枝晶生长的扩散界面模型,改进元胞自动机法,并结合有限差分法,综合考虑浓度场、温度场以及熔池形状,建立Fe-0.04%C(质量分数)合金枝晶生长和溶质浓度分布模型。模拟单个等轴晶的生长形貌及枝晶尖端生长速度随时间的变化关系、多个等轴晶的生长形貌和溶质浓度分布、柱状晶的生长形貌和耦合温度场后的柱状晶-等轴晶转变过程,并与实验进行对比。结果表明:取向角对枝晶形貌有一定的影响;枝晶尖端生长速度随时间的延长最后趋于稳定;熔池形状影响柱状晶生长形貌;溶质主要富集在枝晶根部及晶界处。模拟结果与实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 元胞自动机-有限元法 枝晶生长 溶质分布 温度分布
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一类半线性椭圆型方程Dirichlet问题解的存在性 被引量:2
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作者 周冉 韦玉程 《吉林大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2022年第6期1217-1223,共7页
利用上下解方法讨论一类具有超临界增长非线性项的椭圆方程,先证明Dirichlet问题在限制区域内解的存在性,再结合新的变分原理,证明限制区域内的局部解可延展到全区域.
关键词 超临界增长 变分法 上下解 Carathéodory函数
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