针对TSV数量限制下的3D No C测试,如何在功耗约束条件下充分利用有限的TSV资源快速地完成3D No C测试,这属于NP难问题,采用基于云模型的进化算法对有限的TSV资源进行位置寻优,以及对通信资源进行分配研究,在满足功耗约束以及路径不冲突...针对TSV数量限制下的3D No C测试,如何在功耗约束条件下充分利用有限的TSV资源快速地完成3D No C测试,这属于NP难问题,采用基于云模型的进化算法对有限的TSV资源进行位置寻优,以及对通信资源进行分配研究,在满足功耗约束以及路径不冲突条件下调度测试数据,以实现芯核的最大化并行测试,减少测试时间。以ITC’02测试标准电路作为实验对象,实验结果表明,本文方法可以有效地进行TSV的位置寻优以及资源的合理分配,从而提高TSV利用率,减少测试时间。展开更多
文摘对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
文摘针对TSV数量限制下的3D No C测试,如何在功耗约束条件下充分利用有限的TSV资源快速地完成3D No C测试,这属于NP难问题,采用基于云模型的进化算法对有限的TSV资源进行位置寻优,以及对通信资源进行分配研究,在满足功耗约束以及路径不冲突条件下调度测试数据,以实现芯核的最大化并行测试,减少测试时间。以ITC’02测试标准电路作为实验对象,实验结果表明,本文方法可以有效地进行TSV的位置寻优以及资源的合理分配,从而提高TSV利用率,减少测试时间。
