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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件
被引量：
12
1
作者
李泽宏
张磊
谭开洲
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期621-623,共3页
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据...
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。
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关键词
功率VDMOS器件
薄栅氧化层
阈值电压漂移
总剂量辐照
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职称材料
题名
总剂量辐照加固的功率VDMOS器件
被引量：
12
1
作者
李泽宏
张磊
谭开洲
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期621-623,共3页
基金
国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606)
文摘
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。
关键词
功率VDMOS器件
薄栅氧化层
阈值电压漂移
总剂量辐照
Keywords
power VDMOS device
thin gate sio2
threshold voltage shift
total dose radiation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
总剂量辐照加固的功率VDMOS器件
李泽宏
张磊
谭开洲
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
12
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