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题名一种基于电流比较的新型过温保护电路
被引量：2
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作者
林嵩
冯全源
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机构
西南交通大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期567-569,588,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61271090)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA012305)
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文摘
为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,提出了一种改进的高精度、低功耗、具有迟滞功能且结构简单的过温保护电路。在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能。阐述了过温保护电路的工作原理,基于先锋国际半导体公司的BiCMOS0.5μm工艺库模型进行电路设计,采用Hspice软件并用先锋国际半导体公司的BiCMOS 0.5μm工艺库模型对该电路进行模拟仿真。仿真结果表明:当外界温度达到137℃时,过温保护电路输出发生翻转,从而关断芯片内的其他电路,降低功耗,使温度降低。当温度降到120℃时,芯片回到正常工作状态,温度迟滞量为17℃,性能稳定可靠。
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关键词
低功耗
迟滞功能
过温保护电路
热振荡
BICMOS
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Keywords
low power consumption
function of hysteresis
thermal-shutdown circuit
thermaloscillations
BiCMOS
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种带热滞回功能的低功耗CMOS过热保护电路
被引量：1
- 2
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作者
孙俊岳
刘军
蒋国平
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机构
大连理工大学
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出处
《现代电子技术》
2008年第1期168-171,共4页
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文摘
采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有热滞回功能的过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,过热温度点基本保持不变,正向约为155℃,负向约为105℃,同时,在27℃,5 V电源电压工作下,电路功耗约为0.25 mW。由于其高稳定和低功耗的特性,可广泛应用在各种集成电路内部。
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关键词
CMOS
过热保护电路
低功耗
热滞回
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Keywords
CMOS
thermal - shutdown circuit
low
power consumption
hysteresis
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TP34
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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