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一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法
被引量：
1
1
作者
史丽云
沈溧
+1 位作者
唐旻
高建军
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2016年第9期82-85,95,共5页
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT...
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。
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关键词
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
大信号
模型
片上(在片)测试
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职称材料
基于Agilent VEE的HEMT器件在片虚拟仪器测试系统
被引量：
1
2
作者
欧阳思华
武锦
+1 位作者
李艳奎
刘新宇
《电子测量技术》
2008年第6期111-113,139,共4页
AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高温和大功率领域具有广泛的应用前景。然而,HEMT器件的在片评价测量将会涉及到多台测试仪表,在协调仪器间共同工作带来巨大的挑战的同时,而且由于接口的不统一,使得数据的采集和存储也极...
AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高温和大功率领域具有广泛的应用前景。然而,HEMT器件的在片评价测量将会涉及到多台测试仪表,在协调仪器间共同工作带来巨大的挑战的同时,而且由于接口的不统一,使得数据的采集和存储也极为不便,显然,手动测试已不能满足目前的需要。本文正是在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍一种采用AgilentVEE语言来实现HEMT器件在片的自动化测试系统的方法。这套系统很好的解决了测试数据的快捷传输,实现了测试过程的自动化,加快了测试速度。
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关键词
AGILENT
VEE
hemt
在片测试
自动化测试系统
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职称材料
基于回波替代的毫米波矢量网络测试校准方法
被引量：
11
3
作者
苏江涛
郭庭铭
+2 位作者
杨保国
王翔
郑兴
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期77-84,共8页
毫米波频段矢量网络测试是射频半导体器件建模和电路设计中不可缺少的环节。提出了一种新型的旨在提高毫米波频段测试精度的校准方法。该方法通过反向注入回波的方式来降低毫米波频段矢量校准中传输线原始测量数据的不确定性,进而降低...
毫米波频段矢量网络测试是射频半导体器件建模和电路设计中不可缺少的环节。提出了一种新型的旨在提高毫米波频段测试精度的校准方法。该方法通过反向注入回波的方式来降低毫米波频段矢量校准中传输线原始测量数据的不确定性,进而降低了校准过程中对校准件精度的要求,获得了更具鲁棒性的校准误差模型参数。基于国产AV3672矢量网络分析仪在1～50 GHz内对该校准方法相较于传统校准方法的有效性进行了验证。采用这种方法校准后,直通校准件的S_(21)测试误差下降至0.02 dB,短路校准件S_(11)误差下降至-50 dB。实验结果证明,该方法在不依赖于昂贵的附加仪器仪表设备的同时,明显提升了毫米波矢量测试精度,而且算法复杂度并没有急剧增加,具备极强的实用性和通用性。
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关键词
校准技术
毫米波测试
在片测试系统
矢量网络分析仪
器件模型
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职称材料
题名
一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法
被引量：
1
1
作者
史丽云
沈溧
唐旻
高建军
机构
上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室
华东师范大学信息科学技术学院
出处
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2016年第9期82-85,95,共5页
基金
国家自然科学基金重点项目61234001
文摘
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。
关键词
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
大信号
模型
片上(在片)测试
Keywords
AlGaN/GaN
hemt
large-signal
model
on
-
wafer
measure
ment
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于Agilent VEE的HEMT器件在片虚拟仪器测试系统
被引量：
1
2
作者
欧阳思华
武锦
李艳奎
刘新宇
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子测量技术》
2008年第6期111-113,139,共4页
文摘
AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高温和大功率领域具有广泛的应用前景。然而,HEMT器件的在片评价测量将会涉及到多台测试仪表,在协调仪器间共同工作带来巨大的挑战的同时,而且由于接口的不统一,使得数据的采集和存储也极为不便,显然,手动测试已不能满足目前的需要。本文正是在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍一种采用AgilentVEE语言来实现HEMT器件在片的自动化测试系统的方法。这套系统很好的解决了测试数据的快捷传输,实现了测试过程的自动化,加快了测试速度。
关键词
AGILENT
VEE
hemt
在片测试
自动化测试系统
Keywords
Agilent VEE
the on wafer hemt device measure
automatic
measure
d system
分类号
TP202 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
基于回波替代的毫米波矢量网络测试校准方法
被引量：
11
3
作者
苏江涛
郭庭铭
杨保国
王翔
郑兴
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
电子测试技术国防科技重点实验室
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期77-84,共8页
基金
浙江省自然科学基金(LY17F010016
LY17F010017
+6 种基金
LZ17F010001
LQ15F010005)
国家自然科学基金(61727804
61701147
61827806
61871161)
装备预研重点实验室基金(61420010101)项目资助
文摘
毫米波频段矢量网络测试是射频半导体器件建模和电路设计中不可缺少的环节。提出了一种新型的旨在提高毫米波频段测试精度的校准方法。该方法通过反向注入回波的方式来降低毫米波频段矢量校准中传输线原始测量数据的不确定性,进而降低了校准过程中对校准件精度的要求,获得了更具鲁棒性的校准误差模型参数。基于国产AV3672矢量网络分析仪在1～50 GHz内对该校准方法相较于传统校准方法的有效性进行了验证。采用这种方法校准后,直通校准件的S_(21)测试误差下降至0.02 dB,短路校准件S_(11)误差下降至-50 dB。实验结果证明,该方法在不依赖于昂贵的附加仪器仪表设备的同时,明显提升了毫米波矢量测试精度,而且算法复杂度并没有急剧增加,具备极强的实用性和通用性。
关键词
校准技术
毫米波测试
在片测试系统
矢量网络分析仪
器件模型
Keywords
calibrati
on
technique
mm-wave test
on
-
wafer
measure
ment system
vector network analysis(VNA)
device
model
分类号
TN015 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法
史丽云
沈溧
唐旻
高建军
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于Agilent VEE的HEMT器件在片虚拟仪器测试系统
欧阳思华
武锦
李艳奎
刘新宇
《电子测量技术》
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于回波替代的毫米波矢量网络测试校准方法
苏江涛
郭庭铭
杨保国
王翔
郑兴
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
11
在线阅读
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职称材料
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