连续离子层吸附与反应法(SILAR)生长ZnO多晶薄膜的研究 被引量：5

1

作者 高相东 李效民 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期610-616,共7页

采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响... 采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响,并初步探讨了以SILAR方法沉积ZnO薄膜的机理.结果表明,经200次SILAR沉积循环,所得ZnO薄膜为红锌矿结构的多晶薄膜,沿<002>方向择优生长;薄膜表面致密、光滑均匀,厚度约800nm.退火处理使ZnO薄膜氧缺位减少,晶粒沿c轴取向增强;随退火温度升高,锌间隙原子增加;500℃退火时,ZnO薄膜发生再结晶.减小前驱体溶液的[NH_3·H_2O]/[Zn^(2+)]比率可提高ZnO薄膜生长速率. 展开更多

关键词 ZNO 薄膜 连续离子层吸附与反应方法(silar)

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SILAR法制备TiO_2/CdS/Co-Pi水氧化光阳极及其性能

2

作者 周丽 刘欢欢 +1 位作者 杨玉林 强亮生 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2731-2736,共6页

采用连续离子层吸附法(SILAR)沉积Cd S制备type-II异质结TiO_2/Cd S光阳极,用光电化学沉积法在TiO_2/Cd S表面沉积催化剂(Co-Pi)得到TiO_2/Cd S/Co-Pi水氧化光阳极。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)... 采用连续离子层吸附法(SILAR)沉积Cd S制备type-II异质结TiO_2/Cd S光阳极,用光电化学沉积法在TiO_2/Cd S表面沉积催化剂(Co-Pi)得到TiO_2/Cd S/Co-Pi水氧化光阳极。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)仪等对样品结构及组成进行分析,证明Cd S与Co-Pi已成功负载在TiO_2表面。用已制备的光阳极在中性溶液中模拟水氧化测试,在较低外偏压(0 V(vs Ag/Ag Cl))和无电子牺牲剂的情况下,即使在可见光照射下,依然得到较高的初始光电流和稳定光电流,分别为1.3和0.5 m A?cm^(-2),表明制备的光阳极可以在可见光照下有效地驱动水氧化反应。光电化学池的工作原理为,Cd S吸收光子产生光生电子-空穴,TiO_2和Co-Pi分别传输电子和空穴,空穴进行水氧化,电子转移到阴极完成质子还原。 展开更多

关键词 光催化 水氧化 连续离子层吸附及反应 可见光 TiO_2/CdS/Co-Pi光阳极

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二氧化钛纳米管的制备及其光催化性能 被引量：8

3

作者 高大伟 王春霞 +4 位作者 林洪芹 魏取福 李伟伟 陆逸群 姜宇 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期22-26,共5页

为提高TiO_2的光催化性能,通过电化学阳极氧化法在金属钛箔基体上制备了结构有序的TiO_2纳米管(TiO_2NTs),并以此为基础通过连续离子层吸附反应技术(SILAR)制备了Ag、CdS共修饰的TiO_2纳米管(AgCdS/TiO_2NTs)。采用X射线衍射仪、扫描电... 为提高TiO_2的光催化性能,通过电化学阳极氧化法在金属钛箔基体上制备了结构有序的TiO_2纳米管(TiO_2NTs),并以此为基础通过连续离子层吸附反应技术(SILAR)制备了Ag、CdS共修饰的TiO_2纳米管(AgCdS/TiO_2NTs)。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、元素分析仪和紫外可见漫反射光谱等表征手段,对Ag-CdS/TiO_2NTs形貌结构、元素组成和光吸收特性等进行了表征,并研究了Ag、CdS修饰后的TiO_2纳米管的光催化性能。结果表明:Ag和CdS纳米粒子被成功沉积在TiO_2纳米管上;与纯TiO_2纳米管的吸收光谱相比,Ag-CdS/TiO_2NTs对光的吸收范围延伸到整个可见光区域;与纯TiO_2纳米管或CdS修饰的TiO_2纳米管相比,Ag(3)-CdS/TiO_2NTs对甲基橙脱色率最高,70 min后脱色率达100%。 展开更多

关键词 二氧化钛 纳米管 连续离子层吸附反应技术法 修饰 光催化

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CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能 被引量：3

4

作者 高相东 李效民 +2 位作者 于伟东 邱继军 甘小燕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期535-539,共5页

采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关... 采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50～100nm的较大颗粒和20～30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400～800nm波段的透过率为50%～70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S_2O_3^(2-)与Cu^(2+)的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜. 展开更多

关键词 CUSCN 薄膜 连续离子层吸附与反应 silar 光学性能

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基于氧化物异质结的量子点敏化太阳电池 被引量：1

5

作者 李毅 张嘉 +5 位作者 刘锋 魏俊峰 朱俊 唐军旺 胡林华 戴松元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2218-2221,共4页

将半导体钒酸铋(BiVO4)作为光俘获材料,采用连续离子层吸附和反应法(SILAR)将其沉积在纳米晶TiO2多孔薄膜上并用作光阳极制备液态量子点敏化太阳电池。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究BiVO4前驱体溶液的浓度、离子沉... 将半导体钒酸铋(BiVO4)作为光俘获材料,采用连续离子层吸附和反应法(SILAR)将其沉积在纳米晶TiO2多孔薄膜上并用作光阳极制备液态量子点敏化太阳电池。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究BiVO4前驱体溶液的浓度、离子沉积次数以及浸泡处理时间对BiVO4敏化的TiO2薄膜的影响及机理。结果表明:采用Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3的水溶液作为前驱体溶液时,当NH4VO3水溶液的pH=3,连续沉积20次后,电池具有最佳光伏性能:电池短路电流密度为1.78mA/cm2,光电转换效率达到0.32%。结果表明,BiVO4作为光俘获材料,在量子点敏化太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多

关键词 太阳电池 量子点 钒酸铋 连续离子层吸附和反应法

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CuInS2量子点敏化ZnO基光阳极的制备与性能研究 被引量：1

6

作者 夏冬林 郭锦华 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2274-2281,共8页

采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪(XRD... 采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流密度-电压(J-V)曲线等技术手段对不同光阳极样品的晶相结构、微观形貌、化学组成、光吸收性能和太阳电池性能进行了表征。实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒和ZnO∶Y纳米棒为六方纤锌矿结构。CuInS2量子点敏化的ZnO纳米棒薄膜的光学带隙从3.22 eV减小为2.98 eV。CuInS2量子点敏化ZnO∶Y太阳能电池的短路电流密度和光电转换效率比未掺杂的ZnO纳米棒组装的太阳能电池分别提高了6.5%和50.4%。 展开更多

关键词 量子点敏化太阳能电池 氧化锌光阳极 钇掺杂氧化锌纳米棒 CuInS2量子点 连续离子层吸附反应法

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纳米硫氰酸亚铜制备与应用

7

作者 叶明富 王标 +3 位作者 孔祥荣 王成 许立信 金玲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期229-231,234,共4页

综述了纳米硫氰酸亚铜的制备方法,包括液相沉淀法、电沉积法、连续离子层吸附与反应法、前驱体法等,及其在太阳能电池、防污涂料和电存储材料等方面的应用,并对其应用前景进行了展望。

关键词 CUSCN 液相沉淀法 电沉积法 连续离子层吸附与反应法 应用

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CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能 被引量：9

8

作者 张桥保 冯增芳 +3 位作者 韩楠楠 林玲玲 周剑章 林仲华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2927-2934,共8页

采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱... 采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合. 展开更多

关键词 ZNO纳米棒阵列 CDS量子点 CdS量子点/ZnO纳米棒 连续式离子层吸附与反应法 光电化学性能

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PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性（英文） 被引量：4

9

作者 丁绪坤 李效民 +3 位作者 高相东 张树德 黄宇迪 李浩然 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第3期576-582,共7页

有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底... 有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用. 展开更多

关键词 CH3NH3PbI3 薄膜 钙钛矿 连续离子吸附与反应法 气相过程 光电材料

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CdS/TiO_2复合纳米管制备和光催化性能的研究

10

作者 马骏 王学敏 +1 位作者 沈逸枭 侯兴刚 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第3期49-54,共6页

采用阳极氧化法在纯钛箔上制备TiO2纳米管,再通过连续离子层沉积法在TiO2纳米管上沉积CdS粒子,沉积3层CdS后,进行退火处理,退火后再沉积3层CdS.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱对纳米管的形... 采用阳极氧化法在纯钛箔上制备TiO2纳米管,再通过连续离子层沉积法在TiO2纳米管上沉积CdS粒子,沉积3层CdS后,进行退火处理,退火后再沉积3层CdS.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱对纳米管的形貌、物相结构和元素价态等特性进行分析.结果表明:经阳极氧化法制备的TiO2纳米管为锐钛矿结构,随后沉积的CdS同时出现了立方相与六方相晶格结构,400℃退火可以显著增加立方相CdS的结晶程度;纳米管中CdS粒子的直径均小于5 nm,CdS粒子由一大一小2个纳米粒子组成,大粒子由退火过程形成.光催化实验表明:经过退火处理的CdS/TiO2复合纳米管的可见光光催化能力约是未退火样品的3倍,说明退火处理可以有效提高TiO2可见光光催化能力. 展开更多

关键词 CdS/TiO2复合纳米管 连续离子层沉积法 可见光光催化

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4.81%光电转换效率的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池（英文） 被引量：2

11

作者 陈军军 史成武 +3 位作者 张正国 肖冠南 邵章朋 李楠楠 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2029-2034,共6页

利用TiO_2纳米棒阵列和在旋涂辅助连续离子层吸附反应过程中使用乙二硫醇的策略,成功地在TiO_2纳米棒阵列上获得了致密PbS量子点薄膜,组装了新颖结构的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池。研究了TiO_2纳米棒阵列长度... 利用TiO_2纳米棒阵列和在旋涂辅助连续离子层吸附反应过程中使用乙二硫醇的策略,成功地在TiO_2纳米棒阵列上获得了致密PbS量子点薄膜,组装了新颖结构的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池。研究了TiO_2纳米棒阵列长度对全固态致密PbS量子点薄膜敏化太阳电池光伏性能的影响,发现TiO_2纳米棒阵列长度为290、540和1040 nm时,相应太阳电池的光电转换效率分别是2.02%、4.81%和1.95%。对于组装全固态量子点敏化太阳电池,综合考虑空穴传输长度和量子点担载量的平衡是获得较高光电转换效率的关键所在。 展开更多

关键词 致密PbS量子点薄膜 TiO2纳米棒阵列 乙二硫醇 连续离子层吸附反应 全固态量子点敏化太阳电池

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ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列的制备及性能

12

作者 傅艳珏 王春瑞 《东华大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2017年第2期286-292,共7页

采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明... 采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明,CdS鞘和MoS_2鞘依次均匀地包覆在垂直生长的ZnO纳米棒上,且结合过程中未明显影响内芯ZnO的棒状结构.在异质结结构中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS_2界面接触良好且晶格失配率低.此外,一维ZnO纳米棒阵列的存在也抑制了MoS_2在c轴方向上的堆积,使包覆在纳米棒上的MoS_2以少层的形式存在.原位电输运特性表明,与ZnO纳米棒和ZnO/CdS异质结纳米棒相比,ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒则呈现出了更优的电学特性. 展开更多

关键词 连续离子层吸附法 少层二硫化钼 ZnO/CdS/MoS2异质结 原位电性能

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