期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到187篇文章
< 1 2 … 10 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
1
作者 柏娜 李钢 +1 位作者 许耀华 王翊 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第3期850-858,共9页
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个... 随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个敏感节点,使用金属氧化物半导体(MOS)管堆叠结构,较大提高了单元的稳定性。在65 nm CMOS工艺下仿真证明该单元可以解决SEU和SEMNU问题。相比于SARP12T,LWS14T,SAR14T,RSP14T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的保持静态噪声容限(HSNM)分别提升了1.4%,54.9%,58.9%,0.7%,59.1%和107.4%。相比于SARP12T,RH12T,SAR14T,RSP14T,S8N8P16T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的读取静态噪声容限(RSNM)分别提升了94.3%,31.4%,90.3%,8.9%,71.5%,90.4%和90.3%。相较于SAR14T,RSP14T和EDP12T,MNRS16T的保持功率(Hpwr)降低了24.7%,33.9%和25.7%。 展开更多
关键词 单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器
在线阅读 下载PDF
基于忆阻器存算一体架构的BCH多位纠错方法
2
作者 蔡固顺 刘锦辉 +2 位作者 谭雯丹 黄钊 王泉 《西安电子科技大学学报》 北大核心 2025年第2期167-178,共12页
忆阻器存算一体(Compute-In-Memory,CIM)架构作为一种融合存储和计算功能新技术,可以有效解决传统冯诺伊曼架构数据纠错因存储和计算分离而导致的数据传输速率受限、搬移频繁、传输功耗和延迟增加等问题,提高星载电子系统可靠性与稳定... 忆阻器存算一体(Compute-In-Memory,CIM)架构作为一种融合存储和计算功能新技术,可以有效解决传统冯诺伊曼架构数据纠错因存储和计算分离而导致的数据传输速率受限、搬移频繁、传输功耗和延迟增加等问题,提高星载电子系统可靠性与稳定性。然而,现有CIM纠错技术仅能实现单比特数据纠错,无法处理连续多位错误检错与纠错。为此,提出一种基于忆阻器CIM架构的BCH多位纠错方法。首先,将传统编码和译码中的取模、乘加、前搜索等运算转换为矩阵形式,以简化计算过程,减少资源开销;其次,分别构建了有限域乘累加及乘法单元,根据BCH算法各阶段的运算需求及计算数据特点,采用并行处理方式自适应选择相应计算单元,以进一步提高运算效率。最后,在Cadence的Calculator和MNSIM仿真平台上对所提方法进行验证。实验结果表明,该方法在实现高效稳定多位纠错同时,数据吞吐率为8.8 MHz、运行功耗小于40 mW、65 nm工艺下面积开销为3×10^(5)μm^(2)。特别地,相比FPGA与IMPLY架构,计算效率分别提升了7和400倍。 展开更多
关键词 忆阻器阵列 存算一体架构 单粒子翻转 BCH码 多比特纠错
在线阅读 下载PDF
基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
3
作者 罗尹虹 张凤祁 +2 位作者 王坦 丁李利 江新帅 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第8期1734-1741,共8页
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面... 为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。 展开更多
关键词 低能质子 重离子 等效硅层厚度 单粒子翻转截面峰 LET阈值
在线阅读 下载PDF
一种SEU实验数据的处理方法 被引量：6
4
作者 黄建国 韩建伟 +6 位作者 林云龙 黄治 路秀琴 张新 符长波 郭继宇 赵葵 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期268-274,共7页
对SEU数据—特别是看似不理想,但却包含了丰富的物理信息的所谓“坏数据”—的处理方法进行了分析讨论,并具体针对IDT7164器件的SEU数据进行了处理,从中得到了死层厚度、灵敏体积厚度、能量阈值等进行单粒子翻转预测所需要的关键参数,... 对SEU数据—特别是看似不理想,但却包含了丰富的物理信息的所谓“坏数据”—的处理方法进行了分析讨论,并具体针对IDT7164器件的SEU数据进行了处理,从中得到了死层厚度、灵敏体积厚度、能量阈值等进行单粒子翻转预测所需要的关键参数,并就如何根据国内加速器的实际情况开展有针对性的单粒子效应模拟试验提出了一些初步想法. 展开更多
关键词 单粒子翻转 灵敏体积 seu数据 空间环境效应 数据处理方法 卫星 单粒子效应
在线阅读 下载PDF
基因循环存储模块的SEU自检 被引量：4
5
作者 李丹阳 蔡金燕 +1 位作者 孟亚峰 朱赛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期312-318,共7页
胚胎电子细胞的基因循环存储模块在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列在深空等辐射环境中的应用。本文设计了一种新型的具有SEU自修复能力的触发器单元,并结合汉明纠错码,设计了一种... 胚胎电子细胞的基因循环存储模块在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列在深空等辐射环境中的应用。本文设计了一种新型的具有SEU自修复能力的触发器单元,并结合汉明纠错码,设计了一种新型的具有SEU自检和自修复能力的基因循环存储模块,可以在维持胚胎电子细胞阵列正常工作的情况下,实时有效的检测并修复1 bit SEU。以2 bit进位加法器为例,通过仿真实验,验证了胚胎电子细胞的SEU自检和自修复能力。 展开更多
关键词 胚胎电子细胞 基因循环存储模块 单粒子翻转(seu) 汉明码 自修复
在线阅读 下载PDF
大气中子在系统级封装器件中引起的单粒子效应特性及机理研究
6
作者 叶结锋 梁朝辉 +5 位作者 张战刚 郑顺顺 雷志锋 刘志利 耿高营 韩慧 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第5期1154-1164,共11页
基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SR... 基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SRAM)模块以及现场可编程门阵列(FPGA)内部的块随机存取存储器(BRAM)模块。SEFI的错误类型主要是上位机程序闪退以及DSP状态机卡死。基于加速辐照实验结果计算了中子导致的SEU截面,探讨了工艺节点、中子束流能谱对SEU截面的影响。当工艺节点从40 nm减小到28 nm时,U型SEU截面减少了73%。热中子对SRAM模块的SEU截面有较大影响,滤除中子束流中的热中子成分后,SRAM的SEU截面下降了28.8%。基于GEANT4仿真软件对实验结果进行了分析,解释了实验组SEU截面较低的原因。最后,通过计算纽约海平面的软错误率发现,SEU最敏感模块为FPGA内部的BRAM,能量大于1 MeV高能中子引起的软错误率为766.8 FIT/Mbit,未在第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)、FPGA内部的可配置逻辑块(CLB)和只读存储器(ROM)中发现SEU;SEFI最敏感模块为DSP。实验数据对SiP的抗中子辐照设计有重要意义。 展开更多
关键词 单粒子效应 中子辐照 系统级封装 单粒子翻转截面 热中子 软错误率
在线阅读 下载PDF
SRAM型FPGA的抗SEU方法研究 被引量：13
7
作者 黄影 张春元 刘东 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期57-65,共9页
通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错... 通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错码(Error Correction Code,ECC)和擦洗(Scrubbing),提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法。在FPGA平台上对线性反馈移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,LFSR)逻辑进行软件仿真的抗SEU验证实现,将各种容错设计方法实现后获得的实验数据进行分析比较。结果表明,64阶LFSR的抗SEU容错开销与基于硬件的TMR方法相比,可以节省92%的冗余逻辑资源;与基于时间的TMR相比,附加时间延迟缩短26%。 展开更多
关键词 单粒子翻转 现场可编程门阵列 三模冗余 错误代码校验 空间电子干扰
在线阅读 下载PDF
软硬件协同设计的SEU故障注入技术研究 被引量：4
8
作者 王晶 荣金叶 +3 位作者 周继芹 于航 申娇 张伟功 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期2534-2538,共5页
针对现有容错计算机故障注入方法缺乏对空间环境中频发的单粒子故障模型的支持,本文提出了一种利用背板技术的软硬件协同仿真与故障注入技术,分别针对寄存器部件和存储器部件的特性,设计了多位错误的单粒子故障模型,在寄存器传输级实现... 针对现有容错计算机故障注入方法缺乏对空间环境中频发的单粒子故障模型的支持,本文提出了一种利用背板技术的软硬件协同仿真与故障注入技术,分别针对寄存器部件和存储器部件的特性,设计了多位错误的单粒子故障模型,在寄存器传输级实现了通过软件生成故障并注入到硬件设计中的软硬件协同故障注入方案,避免了在硬件设计中修改代码生成故障破坏系统完整性的问题.基于Leon2内核的故障注入实验表明,本文设计的平台为处理器容错设计提供了一个自动化、非侵入、低开销的故障注入和可靠性评估方案. 展开更多
关键词 容错 故障注入 软硬件协同 单粒子翻转 微处理器 寄存器传输级
在线阅读 下载PDF
多重散射对40nm SRAM和3D-SRAM单粒子翻转的影响
9
作者 罗云龙 李刚 张宇 《安徽大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期53-60,共8页
基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(... 基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(-2)).基于3D-IC技术设计了一种新的3D-SRAM器件,通过Geant4进行了建模和单粒子翻转模拟,结果表明,在同一3D-SRAM器件中上层单元对下层单元有防护作用.通过改变覆盖层中的高Z材料,发现高Z材料可以有效地减少Fe离子在射程末端的多重散射,且Ta的效果优于W.在同一3D-SRAM器件中,下层单元(die3)的多重散射截面峰值更低. 展开更多
关键词 GEANT4 单粒子翻转 多重散射 3D-SRAM
在线阅读 下载PDF
一种针对SEU的同步纠错流水线设计 被引量：1
10
作者 王党辉 辛明瑞 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期941-945,共5页
单粒子效应是星载计算机工作异常和发生故障的重要诱因之一,国内外多颗卫星曾遭受了单粒子效应的危害,造成巨大的经济损失。文章提出了一种同步纠错的流水线结构,对错误的检测与纠正进行了任务分解;当存在可纠正错误时,将纠正后的数据... 单粒子效应是星载计算机工作异常和发生故障的重要诱因之一,国内外多颗卫星曾遭受了单粒子效应的危害,造成巨大的经济损失。文章提出了一种同步纠错的流水线结构,对错误的检测与纠正进行了任务分解;当存在可纠正错误时,将纠正后的数据写入寄存器堆之后重启流水线。采用直接纠错流水线技术的Longtium-FT2容错处理器的抗辐射总剂量能力在采用普通商用加工工艺实现时达到了30 krad(Si)。 展开更多
关键词 微处理器芯片 可靠性 抗辐射 单粒子效应 同步纠错流水线
在线阅读 下载PDF
一种新型SEU/SET加固鉴频鉴相器设计
11
作者 陈吉华 秦军瑞 +1 位作者 赵振宇 刘衡竹 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1-5,11,共6页
分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环... 分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环的电学性能没有改变,锁定时间保持一致。对传统D触发器型PFD和设计加固的PFD进行了遍历轰击模拟,结果显示,提出的抗辐照PFD加固效果非常明显,敏感节点的数目可以降低80%左右。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 单粒子翻转 设计加固 锁相环 鉴频鉴相器
在线阅读 下载PDF
NMOS阱内外碰撞SEU特性的仿真分析
12
作者 汪俊 师谦 谢国雄 《山东科技大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第4期95-98,104,共5页
通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等因素变化时,SRAM单元的SEU特性将发生变化,器件阱外碰撞一直比阱内碰撞时对SEU敏感。参数变化过程中对阱内外碰撞时器件SEU敏感... 通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等因素变化时,SRAM单元的SEU特性将发生变化,器件阱外碰撞一直比阱内碰撞时对SEU敏感。参数变化过程中对阱内外碰撞时器件SEU敏感性的影响情况不同,器件阱外碰撞时参数变化对SEU特性影响较小,但器件阱内碰撞时参数变化对SEU特性影响较大。 展开更多
关键词 单粒子翻转 线能量传输 耦合电阻 阱内碰撞 阱外碰撞
在线阅读 下载PDF
纳米级SRAM多位翻转检纠错方法实现
13
作者 薛国凤 安军社 周昌义 《哈尔滨工业大学学报》 北大核心 2025年第9期39-45,共7页
为解决纳米级SRAM(100 nm以内工艺)在航天工程应用中出现的多位翻转问题,依据纳米级SRAM的翻转特性,在传统串行编译码的基础上优化改进,采用并行编译码的方式,实现了基于RS(12,8,4)码的纳米级SRAM的加固方法,在单时钟节拍内实现编译码... 为解决纳米级SRAM(100 nm以内工艺)在航天工程应用中出现的多位翻转问题,依据纳米级SRAM的翻转特性,在传统串行编译码的基础上优化改进,采用并行编译码的方式,实现了基于RS(12,8,4)码的纳米级SRAM的加固方法,在单时钟节拍内实现编译码输出。以FPGA为平台,验证该加固方法的延时和纠错能力。测试结果表明:与Xilinx自带的可检二纠一汉明码的块RAM相比,本文提出的方法访问延时相近,但纠错能力是汉明码的5~8倍;与FUEC-QUAEC、CLC等编译码方法相比,将连续5 bit翻转错误的纠正率提高到100%。采用并行编译码实现的基于RS(12,8,4)码加固方法可用于纳米级SRAM抗多位翻转加固,以较小的延时代价实现纠正一个码字(48 bit)内任意两个符号(最多8 bit)内的错误,可完全纠正空间单粒子环境中出现的单个字内连续5 bit翻转的错误。该加固方法可扩展应用到CPU外部存储器的访问控制以及CPU内部cache的加固,以解决现有航天处理器采用检二纠一码无法纠正其cache多位翻转错误的问题。 展开更多
关键词 单粒子效应 多位翻转 RS编码 纳米级SRAM
在线阅读 下载PDF
近地卫星长期SEU事件退火分析 被引量：2
14
作者 李强 李会锋 +2 位作者 孙先伟 耿西英智 朱俊 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期458-468,共11页
针对近地卫星在轨运行中的单粒子翻转事件(Single Event Upset,SEU)的退火问题,选取某卫星器件长期积累的SEU数据为样本,在分析器件长期温度变化的基础上,详细统计SEU事件的星下点以及年、月等时空分布特征,并讨论SEU事件与地球磁场分布... 针对近地卫星在轨运行中的单粒子翻转事件(Single Event Upset,SEU)的退火问题,选取某卫星器件长期积累的SEU数据为样本,在分析器件长期温度变化的基础上,详细统计SEU事件的星下点以及年、月等时空分布特征,并讨论SEU事件与地球磁场分布、F10.7曲线、中子监测数据的关联特性,最后以SEU事件发生的平均间隔为目标,建立退火模型,用实际数据进行退火估计。结果表明,SEU事件星下点发生在南大西洋异常区的达到67%以上,发生在南、北两极高纬度区域的超过16%,其它区域的不足17%;8、9、10、12这4个月份的SEU事件最多,占全年的38%以上;以远、近日点为参考时,发生在4～9月的约占50%,发生在其它月份的也在50%附近,两者十分接近;长期SEU事件受宇宙射线、太阳活动影响明显,长期性变化以宇宙射线影响为主,短期性变化以太阳活动影响为主;在轨道周期内温度变化约2℃、长期温升接近5℃的条件下,SEU事件时间间隔的均值约4.57d,退火零值约1.56×10-13 d,退火因子约7.94×10-15 d-1,衰减零值约24.34d,衰减因子约0.12d-1,退火特征并不明显,退火影响可不用考虑。 展开更多
关键词 空间环境 近地卫星 单粒子翻转 退火效应 估计
在线阅读 下载PDF
一种SEU硬核检测电路的设计与实现 被引量：1
15
作者 崔鹏 陈利光 +2 位作者 来金梅 周灏 鲍丽春 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第20期252-254,267,共4页
现有的现场可编程门阵列(FPGA)芯片在进行单粒子翻转(SEU)检错时,只能针对FPGA配置单元进行周期性重复擦写而不能连续检错纠错。为此,设计一种能连续检测SEU错误并实时输出检错信息的硬核检测电路。该设计改进传统FPGA芯片的数据帧存储... 现有的现场可编程门阵列(FPGA)芯片在进行单粒子翻转(SEU)检错时,只能针对FPGA配置单元进行周期性重复擦写而不能连续检错纠错。为此,设计一种能连续检测SEU错误并实时输出检错信息的硬核检测电路。该设计改进传统FPGA芯片的数据帧存储结构,能对芯片进行连续回读循环冗余校验(CRC)。在FDP3P7芯片上的流片实现结果表明,该电路能在50 MHz工作频率下连续对芯片进行回读CRC校验,并正确输出SEU帧检错信息。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 单粒子翻转 循环冗余校验 seu检测 片上可编程系统
在线阅读 下载PDF
模拟低空环境下FPGA的SEU测试系统结果分析 被引量：2
16
作者 顾泽凌 孟令军 任楷飞 《电光与控制》 CSCD 北大核心 2019年第1期73-76,共4页
为了探究在低空环境下SRAM型FPGA产生单粒子翻转事件与大气中高能粒子剂量的关系,设计了一种便携式测试系统。使用该系统在某地6个不同海拔的测试点对SRAM型FPGA进行单粒子翻转测试。某地平均海拔在3000～5000 m,可以很好地模拟低空飞... 为了探究在低空环境下SRAM型FPGA产生单粒子翻转事件与大气中高能粒子剂量的关系,设计了一种便携式测试系统。使用该系统在某地6个不同海拔的测试点对SRAM型FPGA进行单粒子翻转测试。某地平均海拔在3000～5000 m,可以很好地模拟低空飞行环境。通过测试试验,该系统获得了大量现场数据,使用Matlab对测试数据进行了分析。结合在某地的测试结果,从SRAM型FPGA的存储结构、单粒子翻转产生机理、测试系统的工作原理等方面入手,对该测试系统的科学性与实用性进行了验证分析。分析结果表明,该便携式测试系统科学有效,可为航空航天领域中SRAM型FPGA的选型与使用提供一种参考方式。 展开更多
关键词 低空环境 SRAM型FPGA 单粒子翻转 测试系统 结果分析
在线阅读 下载PDF
一种FPGA的SEU效应测试方法研究 被引量：1
17
作者 王志国 孟令军 +1 位作者 张皓威 张敏 《中国测试》 CAS 北大核心 2019年第1期115-120,共6页
为对FPGA在低空环境下受高能粒子辐射而产生的单粒子翻转(SEU)进行失效统计,设计一种便携式实时FPGA的SEU效应测试系统。该系统采用FPGA作为主控模块,以树莓派作为上位机,通过长距离低压差分信号线远程连接到被测FPGA进行测试。上位机... 为对FPGA在低空环境下受高能粒子辐射而产生的单粒子翻转(SEU)进行失效统计,设计一种便携式实时FPGA的SEU效应测试系统。该系统采用FPGA作为主控模块,以树莓派作为上位机,通过长距离低压差分信号线远程连接到被测FPGA进行测试。上位机接收测试结果存储至SD卡,并实时显示到车载显示器,以供测试人员即时了解测试情况。经过在青藏高原实地测试,获得大量的现场数据。对测试结果进行分析,得到的大气中子剂量与FPGA的SEU事件概率之间的数值关系与预期一致。测试结果表明该便携式实时测试系统科学有效,可为低空飞行器的FPGA选型提供一定参考。 展开更多
关键词 FPGA 低空环境 单粒子翻转 树莓派 低压差分信号
在线阅读 下载PDF
空间混合辐射环境器件单粒子在轨错误率预估及不确定度分析方法 被引量：1
18
作者 张付强 张峥 +5 位作者 肖舒颜 龚毅豪 韩金华 陈启明 曾传滨 郭刚 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期945-951,共7页
针对空间混合辐射对器件单粒子在轨错误率的影响,基于典型静态随机存储器利用中国原子能科学研究院HI-13串列加速器以及钴源总剂量模拟辐照试验装置开展协合效应研究,发展了一种器件在混合辐射环境下的单粒子在轨错误率计算方法。并利... 针对空间混合辐射对器件单粒子在轨错误率的影响,基于典型静态随机存储器利用中国原子能科学研究院HI-13串列加速器以及钴源总剂量模拟辐照试验装置开展协合效应研究,发展了一种器件在混合辐射环境下的单粒子在轨错误率计算方法。并利用该方法计算了协合效应影响下的航天器典型任务周期器件的在轨错误率,同时分析了器件在轨错误率计算中的不确定度来源并计算了在轨错误率不确定度。结果表明,对于该类型器件,空间混合辐射场导致的协合效应将降低器件单粒子在轨错误率。 展开更多
关键词 单粒子在轨错误率 协合效应 不确定度分析 混合辐射
在线阅读 下载PDF
130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究
19
作者 肖舒颜 郭刚 +7 位作者 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期506-512,共7页
为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律... 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。 展开更多
关键词 总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器
在线阅读 下载PDF
28 nm体硅工艺FPGA BRAM脉冲激光试验及翻转特性
20
作者 薛国凤 周昌义 +2 位作者 安军社 吴昊 王天文 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1147-1154,共8页
针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻... 针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻转.以XC7K410T-FFG900为研究对象,分析其内部资源的组织结构,采用脉冲激光试验测试BRAM的翻转特性.通过试验测得FPGA内BRAM的翻转阈值以及在不同激光能量下的翻转截面,并分析得到BRAM在不同能量照射下的多位翻转图样.试验结果表明, BRAM中单个单元翻转所占比例随激光能量的增加而降低,而多单元翻转所占比例随激光能量的增加呈上升趋势. BRAM在不同脉冲激光能量下可产生2 bit到11 bit的多单元翻转,但通过错误注入试验验证,该多单元翻转在单个字或者字节内并无多位翻转问题.研究结果为提高SRAM型FPGA在航天应用中的可靠性提供了试验支持,并依据BRAM的翻转特性给出了SRAM型FPGA在轨加固方法和建议. 展开更多
关键词 单粒子效应 脉冲激光 多单元翻转(MCU) BRAM翻转图样 单粒子翻转容错
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 10 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部