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基于金属氧化物载流子选择性传输层的硅异质结太阳电池的研究进展
1
作者 胡梦琪 苏炬 +3 位作者 王光红 刁宏伟 赵雷 王文静 《太阳能学报》 北大核心 2025年第3期342-347,共6页
晶硅异质结(HJT)太阳电池的转换效率已达到26.81%,然而其使用有毒有害气体掺杂的传输层存在不可避免的寄生吸收损失,阻止了器件性能的进一步提升。因此,宽带隙非掺杂的钝化接触太阳电池受到极大关注。该文对载流子选择性传输原理、非掺... 晶硅异质结(HJT)太阳电池的转换效率已达到26.81%,然而其使用有毒有害气体掺杂的传输层存在不可避免的寄生吸收损失,阻止了器件性能的进一步提升。因此,宽带隙非掺杂的钝化接触太阳电池受到极大关注。该文对载流子选择性传输原理、非掺杂钝化接触材料及其主要沉积方法、非掺杂空穴/电子选择性材料的研究现状及器件稳定性改善方式进行概述,并对钝化接触型非掺杂晶硅异质结太阳电池存在的问题和前景进行讨论。 展开更多
关键词 载流子传输 过渡金属氧化物 硅太阳电池 载流子选择性接触 异质结太阳电池 非掺杂 异质结太阳电池 非掺杂
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含二氧化硅载体的铝基催化剂中铂的加压碱溶富集研究
2
作者 陈明军 熊庆丰 +5 位作者 李春辉 袁锐玲 吴喜龙 王欢 张天琦 付豪 《贵金属》 北大核心 2025年第2期7-10,共4页
采用加压碱熔法处理Al_(2)O_(3)为基体的异构化含铂失效催化剂,当原料中含有SiO_(2)时,载体溶解率降低,富集率低。通过单因素实验研究加压碱溶过程各因素的影响,得到的适宜实验条件为:对SiO_(2)含量为20%的催化剂,将氢氧化钠用量降低至... 采用加压碱熔法处理Al_(2)O_(3)为基体的异构化含铂失效催化剂,当原料中含有SiO_(2)时,载体溶解率降低,富集率低。通过单因素实验研究加压碱溶过程各因素的影响,得到的适宜实验条件为:对SiO_(2)含量为20%的催化剂,将氢氧化钠用量降低至催化剂量的100%,甲酸钠加入量为2%,反应温度170℃,保温时间2.5 h,液固比5:1。载体溶解率从改进前的81.9%提升至94.9%,提高了富集效率。 展开更多
关键词 含铂催化剂 氧化铝载体 二氧化硅 加压碱熔 溶解率 富集效率
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纳米银/介孔氧化硅复合材料的制备及其抗菌性能
3
作者 金晶 杨国超 张帆 《北京林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期145-153,共9页
【目的】为了解决传统的木材银离子抗菌剂中的Ag^(+)易氧化导致其抗菌耐久性有限以及新型纳米银抗菌剂的AgNPs易团聚等问题,制备了一种新型纳米银/介孔氧化硅(Ag/MCM-41-NH_(2))复合抗菌材料。【方法】选取表面氨基改性的介孔氧化硅(MCM... 【目的】为了解决传统的木材银离子抗菌剂中的Ag^(+)易氧化导致其抗菌耐久性有限以及新型纳米银抗菌剂的AgNPs易团聚等问题,制备了一种新型纳米银/介孔氧化硅(Ag/MCM-41-NH_(2))复合抗菌材料。【方法】选取表面氨基改性的介孔氧化硅(MCM-41)作为Ag^(+)的载体,将Ag^(+)负载到改性载体上,并将其原位绿色还原成纳米银(AgNPs)。采用SEM、TEM、N_(2)吸附–脱附、XPS、XRD、FTIR和ICP-MS等手段分析了复合抗菌剂的表面形貌、结构和Ag^(+)的缓释性能。使用抑菌圈法和振荡法测试了复合抗菌剂的抗菌活性,分析了其抗菌性能和抗菌耐久性。【结果】改性后的MCM-41由于表面接枝了大量的氨基,可以与Ag^(+)发生接枝,还原的AgNPs成功负载在MCM-41内部,呈均匀圆球状,分散均匀。抗菌试验和Ag^(+)缓释结果表明,Ag^(+)/MCM-41-NH_(2)和Ag/MCM-41-NH_(2)对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的初始抗菌率均可以达到99.00%以上。但放置90 d后,Ag^(+)/MCM-41-NH_(2)的Ag^(+)流失率为25.00%,对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的抗菌率分别下降到88.75%和79.10%,而Ag/MCM-41-NH_(2)的Ag^(+)流失率降低到5.10%,且对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的抗菌率仍保持在98.93%和96.93%的较高水平。【结论】AgNPs在载体MCM-41-NH_(2)上均匀分散,制备的Ag/MCM-41-NH_(2)复合抗菌剂具有良好的抗菌性能和抗菌耐久性。 展开更多
关键词 复合材料 介孔 氧化硅 纳米银 抗菌 纳米载体
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铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响 被引量：24
4
作者 邓海 杨德仁 +2 位作者 唐骏 席珍强 阙端麟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-154,共4页
应用微波光电导衰减仪（μ-PCD）测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示：距离硅锭底部4～5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过将样品在200... 应用微波光电导衰减仪（μ-PCD）测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示：距离硅锭底部4～5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过将样品在200℃下热处理10min，根据处理前后少子寿命值的变化，获得了间隙铁浓度沿硅锭方向的一维线性分布曲线。从曲线中可以发现铁在硅锭两端浓度较高，这与硅锭冷却过程中铁从坩埚向硅锭底部发生的固相扩散以及铁的分凝特性有关。另外通过傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）测试发现间隙氧浓度在硅锭底部较高，呈现从硅锭底部向顶部逐渐降低的趋势。研究结果表明硅锭中存在的高浓度的氧、铁等杂质为影响其少子寿命值的关键因素。 展开更多
关键词 铸造多晶硅 少子寿命 间隙铁 氧
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少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系 被引量：2
5
作者 赵岳 赵杰 +3 位作者 李东升 桑文斌 杨德仁 蒋民华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期131-134,共4页
研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系。结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率。多孔硅的空隙度随... 研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系。结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率。多孔硅的空隙度随腐蚀时间的延长而增大,这也导致了多孔硅的少子寿命的降低,从而造成多孔硅的光致发光效率随多孔硅空隙度的增大以及少子寿命的降低而提高。另外,原子力显微照片表明长时间的腐蚀使多孔硅表面层被化学腐蚀,从而降低了多孔硅表面的粗糙度。 展开更多
关键词 多孔硅 少子寿命 表面形貌 光致发光性能
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快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响 被引量：5
6
作者 陈玉武 郝秋艳 +3 位作者 刘彩池 赵建国 吴丹 王勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期611-614,共4页
利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少... 利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致。原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RTP后,其少子寿命值得到明显改善。低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大。高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降。实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响。 展开更多
关键词 铸造多晶硅 RTP 少子寿命 杂质 缺陷
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热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响 被引量：4
7
作者 任丙彦 勾宪芳 +3 位作者 马丽芬 励旭东 许颖 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期351-354,共4页
对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内... 对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内部形成的氧沉淀多,其体内的高密度缺陷如晶界、位错等对氧沉淀的形成有促进作用。多晶硅与单晶硅少子寿命大大提高,可能是由于高温退火后晶体内部形成氧沉淀及缺陷的络和物可以作为电活性杂质的吸除中心,从而减少了分散的载流子复合中心,提高了硅片的少子寿命。变化趋势的不同与晶体内部结构有关。 展开更多
关键词 太阳电池 多晶硅 氧沉淀 少子寿命 热退火
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背接触硅太阳电池研究进展 被引量：10
8
作者 任丙彦 吴鑫 +4 位作者 勾宪芳 孙秀菊 于建秀 褚世君 励旭东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期101-105,共5页
高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介... 高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。 展开更多
关键词 背接触 硅太阳电池 少子寿命 接触电极
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硅胶固载/N、S共掺TiO_2光催化剂的表征与性能 被引量：1
9
作者 张超武 王夏云 +2 位作者 张利娜 张楠 王芬 《陕西科技大学学报》 CAS 2017年第5期53-60,共8页
以正硅酸乙酯、钛酸丁酯为硅胶固载TiO_2的前驱物原料,以不同比例的硫酸和硝酸的混合酸既做掺杂氮、硫源,同时又做溶胶凝胶的引发剂.采用溶胶凝胶法和水热蒸压法原位共生合成产物前躯体,再在氮气气氛下烧结制得硅胶固载/氮、硫共掺TiO_... 以正硅酸乙酯、钛酸丁酯为硅胶固载TiO_2的前驱物原料,以不同比例的硫酸和硝酸的混合酸既做掺杂氮、硫源,同时又做溶胶凝胶的引发剂.采用溶胶凝胶法和水热蒸压法原位共生合成产物前躯体,再在氮气气氛下烧结制得硅胶固载/氮、硫共掺TiO_2光催化剂(N、S/TiO_2-SiO_2).通过TG-DSC、XRD、XPS、FT-IR和UV-vis等测试手段对样品的物相、形貌、结晶结构等进行分析表征.通过光催化降解实验来考察制备样品的光催化性能,以此研究非金属元素共掺杂对改性TiO_2光催化性能的影响.研究结果表明:氮、硫共掺杂TiO_2晶粒处于硅胶介孔骨架结构中,成功实现了N和S的有效共掺杂,拓宽了TiO_2光催化剂的光响应范围,达到了光催化红移和高效利用太阳光的目的.而且产物纯度高、结晶状况好.在n(Ti)∶n(Si)=1∶4、n(Ti)∶n(N、S)=1∶0.05、烧结温度700℃时,可生成光催化性能最佳的硅胶固载TiO_2介孔材料. 展开更多
关键词 氮、硫共掺杂 硅胶固载 介孔材料 光催化
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受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响 被引量：3
10
作者 赵洋 王泽来 +4 位作者 张鹏 陆晓东 吴元庆 张宇峰 周涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期930-936,共7页
少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合... 少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律。研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域。 展开更多
关键词 p型单晶硅 少子寿命 电子陷阱 复合中心 杂质和缺陷密度 俘获截面
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硅片载体表面形貌对蛋白质吸附的影响 被引量：1
11
作者 文九巴 樊丽梅 +2 位作者 赵胜利 高春芳 宋国英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期330-332,336,共4页
采用固定金属离子亲和技术在不同表面形貌的硅基片上交联金属离子螯合物,蛋白质分子通过其末端的组氨酸标记(His-tag)与金属离子螯合,定向结合于硅基片表面构成蛋白质芯片,考察了不同表面形貌的硅基片对蛋白质的吸附行为。结果表明:硅... 采用固定金属离子亲和技术在不同表面形貌的硅基片上交联金属离子螯合物,蛋白质分子通过其末端的组氨酸标记(His-tag)与金属离子螯合,定向结合于硅基片表面构成蛋白质芯片,考察了不同表面形貌的硅基片对蛋白质的吸附行为。结果表明:硅基片的表面形貌对蛋白质的吸附行为有很大影响。硅基片经碱蚀刻获得的绒面氧化后因其较大的比表面积、特殊的空间结构及较小的固液接触角θ,对蛋白质具有较强的吸附能力,螯合的蛋白质种类多、丰度大。 展开更多
关键词 氧化硅载体 表面形貌 吸附 蛋白质芯片
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变温磷吸杂对多晶硅性能的影响 被引量：8
12
作者 陈金学 席珍强 +1 位作者 吴冬冬 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期160-164,共5页
用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h+700℃/1.5h;而在高温恒温... 用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h+700℃/1.5h;而在高温恒温吸杂中,多晶硅少子寿命值反而显著下降。实验现象表明:磷吸杂效果主要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关。 展开更多
关键词 多晶硅 磷吸杂 少子寿命
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施主型杂质对单晶硅中少子衰减过程的影响 被引量：1
13
作者 陆晓东 赵洋 +4 位作者 王泽来 张鹏 吴元庆 张宇峰 周涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期302-307,318,共7页
单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入条件下分析了p型单晶硅内少子衰减的基本机制,然后根据施主型杂质密度、俘获截面和能级距导带底之间距离... 单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入条件下分析了p型单晶硅内少子衰减的基本机制,然后根据施主型杂质密度、俘获截面和能级距导带底之间距离等参数的不同,重点讨论了存在施主型电子陷阱和复合中心时,太阳电池用p型单晶硅内少子衰减的基本规律。研究表明:存在施主型电子陷阱或复合中心时,p型单晶硅的少子衰减过程具有恒定的少子寿命,且杂质的密度N_T和俘获截面σ_n之积(N_T×σ_n)存在最小的影响阈值,N_T×σ_n值大于阈值的杂质和缺陷对少子衰减过程才具有重要的影响。 展开更多
关键词 单晶硅 少子 施主杂质 俘获截面 阈值
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蜂窝状碳化硅陶瓷载体的制备研究 被引量：5
14
作者 梁海龙 吴彦霞 +2 位作者 赵春林 陈鑫 唐婕 《陶瓷学报》 北大核心 2017年第5期665-669,共5页
碳化硅蜂窝陶瓷由于其高耐磨、高耐腐蚀、高导热系数、热稳定性好、吸波性能好等特点,在作为催化剂载体方面具有很好的研究价值。本文采用挤出成型技术,通过碳化硅粉体不同粒径颗粒的级配,烧结助剂含量,造孔剂等的系列研究,制备出高强... 碳化硅蜂窝陶瓷由于其高耐磨、高耐腐蚀、高导热系数、热稳定性好、吸波性能好等特点,在作为催化剂载体方面具有很好的研究价值。本文采用挤出成型技术,通过碳化硅粉体不同粒径颗粒的级配,烧结助剂含量,造孔剂等的系列研究,制备出高强度高空隙率的多孔碳化硅蜂窝陶瓷,分析了多孔蜂窝碳化硅陶瓷的力学性能、显微结构及孔结构特性。研究结果表明:选用颗粒粒径d_(50)=43μm和d_(50)=3.8μm的碳化硅粉体为原料,当大小粒径的粉体质量为85:15,烧结助剂为12%,可以制备出蜂窝陶瓷孔隙率和抗压强度(轴向)分别为27.27%和36.47 MPa的多孔碳化硅蜂窝载体材料。为多孔碳化硅蜂窝陶瓷载体的应用奠定了基础。 展开更多
关键词 碳化硅 蜂窝陶瓷 载体
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直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究 被引量：5
15
作者 任丙彦 霍秀敏 +3 位作者 左燕 励旭东 许颖 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期629-632,共4页
为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对... 为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。 展开更多
关键词 间隙氧 掺杂 光衰减 太阳电池
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基于硅基微环的光双二进制 被引量：1
16
作者 陈伟伟 汪鹏君 +2 位作者 王宏建 周海权 杨建义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期24-27,共4页
基于硅基微环光调制器,利用Optisystem协同Matlab仿真,实现了10Gbit/s光双二进制信号的产生,并分析了光源的线宽和中心波长、光纤传输距离以及高斯窄带滤波器的带宽对10Gbit/s光双二进制系统性能的影响.仿真结果表明:该光双二进制系统... 基于硅基微环光调制器,利用Optisystem协同Matlab仿真,实现了10Gbit/s光双二进制信号的产生,并分析了光源的线宽和中心波长、光纤传输距离以及高斯窄带滤波器的带宽对10Gbit/s光双二进制系统性能的影响.仿真结果表明:该光双二进制系统对光源的线宽和中心波长敏感;在误码率为10-9量级时,实现无误码传输的最大距离为60km,且高斯窄带滤波器的最佳带宽为8GHz. 展开更多
关键词 硅基光子学 载流子色散 微环谐振腔 高斯滤波器 光双二进制
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硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究 被引量：2
17
作者 曾湘安 艾斌 +1 位作者 邓幼俊 沈辉 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期14-18,共5页
研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种... 研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。 展开更多
关键词 表面钝化 稳定性 少子寿命 硅片
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UMG多晶硅片的少子寿命 被引量：2
18
作者 潘淼 郑兰花 +4 位作者 武智平 罗学涛 陈文辉 李锦堂 陈朝 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期45-49,共5页
利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降... 利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。 展开更多
关键词 冶金法硅片 少子寿命 磷吸杂 热氧化 快速热处理
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不同硅源改性拟薄水铝石的制备及表征 被引量：5
19
作者 夏继平 李晓云 李世鹏 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2017年第5期75-77,85,共4页
以九水合硝酸铝、尿素为原料,正硅酸乙酯、水玻璃和硅溶胶为硅源,用水热法制备不同硅源改性的拟薄水铝石。采用XRD、BET、SEM和NH_3-TPD对样品做了表征,并将样品制备成催化剂进行柴油加氢活性评价。结果表明:与硅未改性的拟薄水铝石相比... 以九水合硝酸铝、尿素为原料,正硅酸乙酯、水玻璃和硅溶胶为硅源,用水热法制备不同硅源改性的拟薄水铝石。采用XRD、BET、SEM和NH_3-TPD对样品做了表征,并将样品制备成催化剂进行柴油加氢活性评价。结果表明:与硅未改性的拟薄水铝石相比,不同硅源制备的硅改性拟薄水铝石,其样品的比表面和孔体积均变大,制备的催化剂均具有较好的加氢性能。其中,以水玻璃为硅源制备的硅改性的拟薄水铝石制成的催化剂加氢性能最佳,脱硫率达到97.8%,生成油十六烷值提升至36。 展开更多
关键词 硅源 拟薄水铝石 载体 催化剂 柴油加氢
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高抗冲低磨耗POM共混物的研制 被引量：3
20
作者 张秀斌 房桂明 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期19-21,共3页
将聚甲醛(POM)与适量的三元共聚尼龙(COPA)、硅油、载油体及表面活性剂熔融混合,制备出了性能优良的高抗冲、低磨耗POM共混物。并对共混物的力学性能、磨耗性能及微观形态进行了研究。结果表明:COPA对POM及POM共混体系均表现出较好的增... 将聚甲醛(POM)与适量的三元共聚尼龙(COPA)、硅油、载油体及表面活性剂熔融混合,制备出了性能优良的高抗冲、低磨耗POM共混物。并对共混物的力学性能、磨耗性能及微观形态进行了研究。结果表明:COPA对POM及POM共混体系均表现出较好的增韧效果;少量的硅油即可显著降低共混体系的磨耗量;载油体和表面活性剂可以增加硅油分散的均匀性,进一步提高共混物的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 聚甲醛 三元共聚尼龙 硅油 载油体 表面活性剂 磨耗 增韧
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