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SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响
被引量：
2
1
作者
石青宏
厉策
+1 位作者
王军
何慧强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期37-39,共3页
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词
sipos
纵向结构
晶体管
电压特性
半绝缘多晶硅
掺氧多晶硅
膜结构
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职称材料
平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
2
作者
吕卫民
胡冬
+1 位作者
谢劲松
翁璐
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期1515-1518,共4页
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同...
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.
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关键词
铝迁移
功率型半导体晶体管
平面工艺
掺氧半绝缘多晶硅
实验研究
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职称材料
题名
SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响
被引量：
2
1
作者
石青宏
厉策
王军
何慧强
机构
深爱半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期37-39,共3页
文摘
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词
sipos
纵向结构
晶体管
电压特性
半绝缘多晶硅
掺氧多晶硅
膜结构
Keywords
sipos
oxygen-doped
polycrystalline
-
silicon
transistor
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
2
作者
吕卫民
胡冬
谢劲松
翁璐
机构
北京航空航天大学可靠性与系统工程学院
海军装备部军械保障部
出处
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期1515-1518,共4页
基金
总装预研基金资助项目(9140A27020210JB1404)
文摘
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.
关键词
铝迁移
功率型半导体晶体管
平面工艺
掺氧半绝缘多晶硅
实验研究
Keywords
aluminum migration
power
silicon
transistor
planar process
semi-insulating polycrystalline silicon（sipos）
experimental study
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响
石青宏
厉策
王军
何慧强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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职称材料
2
平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
吕卫民
胡冬
谢劲松
翁璐
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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