基于机器学习的K424合金刻蚀深度预测

1

作者 张青 乔红超 +1 位作者 王顺山 赵吉宾 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期701-709,共9页

为探究水导激光加工过程中不同工艺参数对K424高温合金刻蚀深度的作用,对K424高温合金进行了包括激光功率、进给速度及加工次数在内的三个关键工艺参数的影响刻蚀实验,实验结果表明:较大的功率、较小的进给速度和多次加工会产生更深的... 为探究水导激光加工过程中不同工艺参数对K424高温合金刻蚀深度的作用,对K424高温合金进行了包括激光功率、进给速度及加工次数在内的三个关键工艺参数的影响刻蚀实验,实验结果表明:较大的功率、较小的进给速度和多次加工会产生更深的刻蚀。此外采用XGBoost、RF、BPNN以及SVR四种模型建立了激光功率、进给速度和加工次数与加工深度之间的预测模型。在拟合效果上XGBoost与SVR模型表现优异,最大误差百分比均不到0.3%;在预测结果方面显示,XGBoost最大误差百分比6.698%,优于另三种模型。最后得出XGBoost模型在拟合和预测K424高温合金加工深度方面有更好的性能。与传统的干式激光加工相比,水导激光加工技术减少了材料热损伤,提高了加工质量。该研究为水导激光加工K424高温合金提供了参考。 展开更多

关键词 水导激光加工技术 K424高温合金 XGBoost 刻蚀深度预测

在线阅读 下载PDF 职称材料

微电子技术在MEMS系统中的应用

2

作者 刘潼 《集成电路应用》 2024年第6期296-297,共2页

阐述微电子技术具备性能好、精度高、能耗低的特点,探讨其在MEMS中的应用,包括在刻蚀技术、扩散技术、沉淀技术、固相键合技术、MEMS技术、LIGA工艺中的应用。

关键词 微电子技术 MEMS 刻蚀技术 扩散技术

在线阅读 下载PDF 职称材料

真空二流体技术制备高精细线路的研究

3

作者 文根硕 李玖娟 +4 位作者 周国云 孙炳合 周先文 毛永胜 文泽生 《印制电路信息》 2024年第7期9-14,共6页

为满足日益精细化和复杂化的印制电路板(PCB)产品需求,真空二流体技术作为新型蚀刻技术在减成法工艺中得到越来越广泛的应用。探索利用减成法工艺结合真空二流体技术制备不同铜厚的高精细线路。研究结果显示,使用18μm、25μm及35μm铜... 为满足日益精细化和复杂化的印制电路板(PCB)产品需求,真空二流体技术作为新型蚀刻技术在减成法工艺中得到越来越广泛的应用。探索利用减成法工艺结合真空二流体技术制备不同铜厚的高精细线路。研究结果显示,使用18μm、25μm及35μm铜箔分别制备线宽线距为30/30μm、35/35μm和40/40μm的精细线路时,真空二流体技术提高了线宽过程能力指数(Cpk),对横向线路的改善效果最为显著,且随着铜箔厚度的减小,蚀刻因子的增大也更为明显。 展开更多

关键词 真空二流体技术 蚀刻 减成法 高精细线路

在线阅读 下载PDF 职称材料

反应离子刻蚀工艺因素研究 被引量：22

4

作者 张锦 冯伯儒 +4 位作者 杜春雷 王永茹 周礼书 侯德胜 林大键 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期47-52,共6页

通过大量的实验研究，介绍了反应离子刻蚀的原理，分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素，给出了工艺参数结果。

关键词 离子束光刻 离子腐蚀 光刻工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC MESFET工艺技术研究与器件研制 被引量：9

5

作者 商庆杰 潘宏菽 +4 位作者 陈昊 霍玉柱 杨霏 默江辉 冯震 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期549-552,共4页

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚... 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。 展开更多

关键词 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅的反应离子刻蚀工艺参数研究 被引量：9

6

作者 葛益娴 王鸣 戎华 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2006年第3期79-82,共4页

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超... 对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低. 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 优化工艺参数

在线阅读 下载PDF 职称材料

膨润土湿法离心提纯试验及工业应用研究 被引量：10

7

作者 任欣 厉青 田园 《非金属矿》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期41-43,共3页

简述了膨润土湿法离心提纯的工作原理,介绍了实验室试验装置及对几种不同膨润土的实验室提纯试验结果,分析了离心机操作参数对提纯效果的影响,并对工业应用效果进行了分析研究。

关键词 膨润土 湿法 提纯 离心机

在线阅读 下载PDF 职称材料

高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用 被引量：6

8

作者 穆继亮 郭茂香 +3 位作者 刘冰 陈东红 丑修建 熊继军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期321-327,共7页

三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深... 三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 微 纳机电系统 高深宽比 硅微结构 刻蚀技术 应用

在线阅读 下载PDF 职称材料

微机械加工技术在微传感器中的应用 被引量：7

9

作者 胡明 马家志 +1 位作者 邹俊 张之圣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第4期268-270,302,共4页

随着微传感器的广泛应用 ,微机械加工技术被越来越多地应用于传感器的制造工艺中。从微机械加工技术的关键工艺入手 ,分别对体微机械加工技术和表面微机械加工技术加以介绍 。

关键词 微机械加工技术 微传感器 微电子机械系统 MEMS 各向异性腐蚀 多晶硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于MEMS的矩形微同轴技术研究现状 被引量：8

10

作者 史光华 徐达 +5 位作者 王建 王真 常青松 周彪 张延青 白锐 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期303-313,共11页

矩形微同轴技术已成为射频微电子机械系统(RF MEMS)的一个重要发展方向。矩形微同轴的电性能相比于传统的传输结构(如微带、共面波导等)在毫米波宽带领域具有巨大优势。从结构、性能等方面对矩形微同轴进行了简要分析。回顾了矩形微同... 矩形微同轴技术已成为射频微电子机械系统(RF MEMS)的一个重要发展方向。矩形微同轴的电性能相比于传统的传输结构(如微带、共面波导等)在毫米波宽带领域具有巨大优势。从结构、性能等方面对矩形微同轴进行了简要分析。回顾了矩形微同轴技术在其发展的不同阶段出现的体硅刻蚀技术、EFABTM和PolyStrataTM技术,并对矩形微同轴的结构、加工工艺及射频性能等方面进行了简要分析。介绍了矩形微同轴技术在不同RF MEMS中的应用,并对获得的特性进行了讨论。矩形微同轴技术应用于高度集成的RF MEMS是发展的必然趋势,必将对传统射频电路的设计、制备及系统集成产生巨大影响。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS) 矩形微同轴技术 EFABTM PolyStrataTM 体硅刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究 被引量：6

11

作者 闫桂珍 张大成 +1 位作者 李婷 王颖 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期40-43,共4页

开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺... 开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。 展开更多

关键词 金属剥离 衬底腐蚀 OHR技术 微电子

在线阅读 下载PDF 职称材料

高温碳酸盐岩储层酸蚀裂缝导流能力研究 被引量：13

12

作者 赵立强 高俞佳 +2 位作者 袁学芳 罗志锋 袁泽波 《油气藏评价与开发》 CSCD 2017年第1期20-26,共7页

酸蚀裂缝导流能力是影响酸压效果的关键参数之一,导流能力的大小及变化趋势又主要受酸岩刻蚀形态的影响。运用酸蚀裂缝导流仪、激光扫描仪,在变参数条件下,对实际岩样进行了酸岩刻蚀及导流能力实验,系统考察了酸压工艺、酸液浓度、裂缝... 酸蚀裂缝导流能力是影响酸压效果的关键参数之一,导流能力的大小及变化趋势又主要受酸岩刻蚀形态的影响。运用酸蚀裂缝导流仪、激光扫描仪,在变参数条件下,对实际岩样进行了酸岩刻蚀及导流能力实验,系统考察了酸压工艺、酸液浓度、裂缝性质、酸液类型对酸岩刻蚀形态及酸蚀裂缝导流能力的影响。结果表明:酸岩刻蚀以沟槽状形态为主;粗糙缝酸蚀导流能力明显高于光滑平板;改变交替级数对酸蚀裂缝导流能力无明显影响,从提高酸压效果、简化工艺的双重角度考虑,二级交替注入效果更佳;酸液浓度越低,刻蚀深度越浅、导流能力越低;闭合压力增加使得裂缝导流能力降低,但闭合酸化可有效提高裂缝导流能力,且呈现出闭合酸化前导流能力越低提升倍数越大。建立了刻蚀形态与酸蚀裂缝导流能力的对应关系,即相同条件下沟槽状(粗糙缝)>桥墩状>沟槽状(光滑平板)>线状>均匀刻蚀形态的导流能力。 展开更多

关键词 导流能力 刻蚀形态 酸压工艺 酸液体系 张性裂缝

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种微纳复合结构的种植体表面的构建及其生物学评价 被引量：3

13

作者 罗巧洁 李晓东 +1 位作者 黄颖 赵士芳 《浙江大学学报（医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期239-244,共6页

目的:构建一种具有超亲水、多尺度有序结构的种植体表面。方法:经砂纸打磨的钛片先喷砂、硝酸/氢氟酸处理,再用盐酸/硫酸预酸蚀,最后用双氧水/硫酸处理获得多尺度有序结构的表面。用扫描电镜观察表面形貌;接触角表征该表面的亲水性;X射... 目的:构建一种具有超亲水、多尺度有序结构的种植体表面。方法:经砂纸打磨的钛片先喷砂、硝酸/氢氟酸处理,再用盐酸/硫酸预酸蚀,最后用双氧水/硫酸处理获得多尺度有序结构的表面。用扫描电镜观察表面形貌;接触角表征该表面的亲水性;X射线衍射(XRD)分析表面物相;体外成骨前体细胞培养观察该表面对细胞粘附、增殖和分化的影响。结果:扫描电镜显示,种植体表面具有微纳复合结构;XRD图谱显示二次酸蚀处理前后,表面的成分无明显改变;但是,接触角则下降到0°。体外生物学评价表明:该表面有利于细胞的粘附,促进细胞的增殖和分化。1 h、3 h和72 h实验组每个钛片上细胞的DNA含量分别为(710±78)ng、(1 398±102)ng和(2 543±113)ng,对照组相应时间点的DNA含量分别为(605±79)ng、(1 045±125)ng和(2 138±97)ng,3个时间点实验组的DNA含量均高于对照组(P<0.05)。细胞内的ALP活性检测显示:实验组4 d、7 d和14 d对硝基酚生成速率分别为(0.09889±0.00417)nmol/(ng.h)、(0.15008±0.00406)nmol/(ng.h)和(0.27862±0.00305)nmol/(ng.h),对照组相应时间点分别为(0.07862±0.00406)nmol/(ng.h)、(0.12256±0.00399)nmol/(ng.h)和(0.22641±0.0142)nmol/(ng.h),3个时间点实验组ALP活性显著高于对照组(P<0.05)。实验组和对照组第14天培养液中骨钙素(OC)含量分别为(975±110)ng/mg和(545±69)ng/mg,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论:本研究成功获得了一种超亲水的微纳复合结构表面,该表面能进一步促进成骨前体细胞的生长行为。 展开更多

关键词 牙种植体 钛 酸蚀 牙 生物相容性材料 表面特性 工艺学 牙科

在线阅读 下载PDF 职称材料

双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术 被引量：5

14

作者 邓建国 刘英坤 +1 位作者 段雪 苏丽娟 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期480-483,共4页

提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀... 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 “Bosch”工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

制作石英二元衍射光学元件工艺研究 被引量：1

15

作者 周礼书 杜春雷 +1 位作者 张锦 王永茹 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期53-57,63,共6页

介绍在微电子加工工艺设备的基础上研究制作８位相台阶衍射光学元件（ＤＯＥ）的工艺方法。对光刻曝光、反应离子刻蚀（ＲＩＥ）等关键工艺进行了实验，得到有实用价值的工艺参数和数据。

关键词 衍射光学元件 二元光学 离子腐蚀 光刻工艺 曝光

在线阅读 下载PDF 职称材料

室温纳米压印制备中的共性关键工艺问题 被引量：1

16

作者 朱振东 施玉书 +6 位作者 李伟 高思田 李适 李琪 张立辉 李群庆 范守善 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期43-47,70,共6页

纳米压印光刻技术具有低成本、高效率、大面积、高分辨、多尺度、良好的工艺兼容性等特点,可用于亚波长光电子器件的研究。提出了硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯(PMMA)双层胶室温纳米压印工艺方法,研究并解决了有关压印光刻胶剩余底膜和纳... 纳米压印光刻技术具有低成本、高效率、大面积、高分辨、多尺度、良好的工艺兼容性等特点,可用于亚波长光电子器件的研究。提出了硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯(PMMA)双层胶室温纳米压印工艺方法,研究并解决了有关压印光刻胶剩余底膜和纳米图形保真性刻蚀转移的两个关键工艺技术问题。以制备特定需求的石英纳米光栅器件为目标,经过工艺优化,成功地实现了周期200 nm、占空比0.5、深宽比5∶1、栅线侧壁垂直且粗糙度小于3 nm的高分辨率亚波长光栅的制备。所提出的双层胶刻蚀方法,有望拓展到纳米标准物质和芯片级光学频率梳器件等对侧壁陡直和粗糙度有严格要求的应用领域。 展开更多

关键词 室温纳米压印 光刻胶剩余 图形转移技术 纳米刻蚀 亚波长光栅

在线阅读 下载PDF 职称材料

场发射金属尖阵列的研究 被引量：1

17

作者 唐国洪 陈德英 《电子器件》 CAS 1997年第4期25-30,共6页

本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖阵列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖阵列。

关键词 硅 各向异性腐蚀 真空微电子器件 电子器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

PCB行业废蚀刻液两种不同的处理与处置技术的比较分析——循环再生技术与加工硫酸铜技术 被引量：9

18

作者 彭芸 陈镇 《印制电路信息》 2007年第7期51-53,共3页

当前我国PCB行业的废蚀刻液主要存在着两种典型的处理和处置方法:即循环再生技术与加工硫酸铜技术。文章分别从技术路线、资源利用以及环境影响三方面对二者进行了对比分析,得出如下结论:加工硫酸铜技术是一种实现部分资源回收且对环境... 当前我国PCB行业的废蚀刻液主要存在着两种典型的处理和处置方法:即循环再生技术与加工硫酸铜技术。文章分别从技术路线、资源利用以及环境影响三方面对二者进行了对比分析,得出如下结论:加工硫酸铜技术是一种实现部分资源回收且对环境仍然危险的技术,而循环再生技术不但实现了资源完全回收利用而且对环境没有任何危害,是一种清洁生产技术。 展开更多

关键词 废蚀刻液 循环再生技术 加工硫酸铜技术 对比分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术(续) 被引量：2

19

作者 李效白 《半导体情报》 2000年第5期5-11,共7页

关键词 砷化镓 INP HFET 腐蚀技术

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术 被引量：1

20

作者 李效白 《半导体情报》 2000年第4期5-13,共9页

综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较... 综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较没有看出差别 ,适宜用于器件工艺。 展开更多

关键词 GAAS INP 选择腐蚀 HFET

在线阅读 下载PDF 职称材料