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nMOSFET X射线辐射影响研究被引量：3: 1; 作者罗宏伟杨银堂 +1 位作者恩云飞朱樟明《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期246-248,245,共4页; 介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有... 展开更多; 关键词栅接地nMOS ESD 辐射总剂量开启电压二次击穿电流 X射线辐射; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同栅压下NMOS器件的静电防护性能被引量：2: 2; 作者朱科翰董树荣 +1 位作者韩雁杜晓阳《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期141-144,共4页; 针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借... 展开更多; 关键词静电防护二次击穿电流传输线脉冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

GTR的失效分析与快速保护被引量：2: 3; 作者郑学仁刘百勇 +1 位作者贺晓龙吴朝晖《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期15-18,共4页; 剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的ＧＴＲ过流保护电路。该电路使用效果显著，且自成单元，可灵活应用于各种场合。; 关键词功率晶体管二次击穿过流保护; 在线阅读下载PDF 职称材料

典型ESD防护器件失效机理研究被引量：3: 4; 作者王振兴武占成 +1 位作者张希军刘进《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期962-967,共6页; 瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器... 展开更多; 关键词瞬态电压抑制管(TVS) 失效模式漏电流二次击穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名nMOSFET X射线辐射影响研究被引量：3: 1; 作者罗宏伟杨银堂恩云飞朱樟明; 机构西安电子科技大学微电子所信息产业部电子五所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期246-248,245,共4页; 基金国家"十五"预研基金(41308060602) 重点实验室基金资助; 文摘介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流It2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。; 关键词栅接地nMOS ESD 辐射总剂量开启电压二次击穿电流 X射线辐射; Keywords ggnMOS ESD total dose irradiation turn-on-voltage second breakdown current; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同栅压下NMOS器件的静电防护性能被引量：2: 2; 作者朱科翰董树荣韩雁杜晓阳; 机构浙江大学信电与电子工程学系; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期141-144,共4页; 基金浙江省自然科学基金资助项目(Y107055 Y1080546); 文摘针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真,得出在不同栅压下的电场强度分布.分析表明,栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流.在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时,辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50ns左右.; 关键词静电防护二次击穿电流传输线脉冲; Keywords ESD protection second breakdown current transmission line pulse; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GTR的失效分析与快速保护被引量：2: 3; 作者郑学仁刘百勇贺晓龙吴朝晖; 机构华南理工大学应用物理系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期15-18,共4页; 文摘剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的ＧＴＲ过流保护电路。该电路使用效果显著，且自成单元，可灵活应用于各种场合。; 关键词功率晶体管二次击穿过流保护; Keywords Power transistor second breakdown Overcurrent protection; 分类号 TN323.406 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名典型ESD防护器件失效机理研究被引量：3: 4; 作者王振兴武占成张希军刘进; 机构军械工程学院静电与电磁防护研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期962-967,共6页; 基金国家自然科学基金面上项目(60971042); 文摘瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。; 关键词瞬态电压抑制管(TVS) 失效模式漏电流二次击穿; Keywords transient voltage suppression （ TVS ） failure model leakage current second breakdown; 分类号 TM866 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料