小角度Rutherford散射模拟与研究 被引量：1

1

作者 周伟 李聪 李佳惠 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2017年第10期33-36,共4页

以单靶核Rutherford散射的计算机模拟程序为基础,编写了多靶核Rutherford散射的模拟程序。应用多靶核模拟程序直观地研究了多次散射、靶核遮掩、电子屏蔽等影响Rutherford散射公式适用性的因素,更好地理解和分析了小角度Rutherford散射... 以单靶核Rutherford散射的计算机模拟程序为基础,编写了多靶核Rutherford散射的模拟程序。应用多靶核模拟程序直观地研究了多次散射、靶核遮掩、电子屏蔽等影响Rutherford散射公式适用性的因素,更好地理解和分析了小角度Rutherford散射的物理图像,并通过对不同因素的对比分析,找出了影响小角度Rutherford散射的主要因素。 展开更多

关键词 rutherford散射 计算机模拟 多次散射 靶核遮掩 电子屏蔽

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低能离子在生物样品中的射程及生物效应机理的研究 被引量：6

2

作者 陆挺 周善元 +2 位作者 谢立青 李军平 夏稷 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1993年第2期204-206,共3页

以100keV Fe^+注入小麦和云豆样品,观测了样品中的RBS谱,并以蒙特卡洛方法在理论上计算了Fe^+在小麦和云豆中的射程.对理论和实验结果作了比较.对低能离子引起生物效应的机理作了讨论.

关键词 生物效应 低能离子 诱变育种

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离子辅助制备碳化硅改性薄膜 被引量：21

3

作者 陈红 高劲松 +5 位作者 宋琦 王彤彤 申振峰 王笑夷 郑宣鸣 范镝 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期381-385,共5页

介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条... 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。 展开更多

关键词 反应烧结碳化硅 表面改性 离子辅助沉积 霍尔源 表面散射系数

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卢瑟福散射及其计算机模拟 被引量：5

4

作者 刘宇 唐昌建 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1281-1286,共6页

对卢瑟福背散射分析技术中出现散射截面偏离的物理现象进行了研究,并用计算机模拟计算方法对卢瑟福散射进行模拟计算。模拟计算结果表明:卢瑟福散射公式的小角发散由靶原子间互不遮掩的条件不能满足造成,在厚度小到没有遮掩且不发生大... 对卢瑟福背散射分析技术中出现散射截面偏离的物理现象进行了研究,并用计算机模拟计算方法对卢瑟福散射进行模拟计算。模拟计算结果表明:卢瑟福散射公式的小角发散由靶原子间互不遮掩的条件不能满足造成,在厚度小到没有遮掩且不发生大量多次散射的情况下,模拟计算结果与卢瑟福散射公式计算的结果一致。 展开更多

关键词 卢瑟福散射 散射截面 计算机模拟

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双波长共振散射比率法测定十二烷基苯磺酸钠的研究 被引量：5

5

作者 赵小辉 杨季冬 +2 位作者 朱乾华 万邦江 李泓锟 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1190-1194,共5页

基于表面活性剂SDBS与罗丹明B的结合反应发展了一种测定SDBS的双波长共振散射比率法。在BR缓冲溶液介质中,SDBS能与RB发生反应,其位于373.0nm的特征共振光散射信号大大增强。通过分别测定I373.0和I685.0/I650.0来检测SDBS,当罗丹明B的... 基于表面活性剂SDBS与罗丹明B的结合反应发展了一种测定SDBS的双波长共振散射比率法。在BR缓冲溶液介质中,SDBS能与RB发生反应,其位于373.0nm的特征共振光散射信号大大增强。通过分别测定I373.0和I685.0/I650.0来检测SDBS,当罗丹明B的浓度为1.0×10-4 mol/L时,以I373.0为测定点的共振光散射方法所得到的线性范围和检出限分别为0.018～80μmol/L和1.76 nmol/L。而用I685.0/I650.0的散射强度之比来检测SDBS时,其得到的线性范围和检出限分别为0.002～100μmol/L和0.23 nmol/L。表明后者即双波长共振散射比率法明显优于前者。 展开更多

关键词 SDBS 罗丹明B 共振光散射方法 双波长共振散射比率法

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射频溅射CdTe薄膜结构特性分析 被引量：2

6

作者 孔令德 孔金丞 +5 位作者 赵俊 张鹏举 李雄军 李志 王善力 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第11期627-629,共3页

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了CdTe单层薄膜,实验表明:在室温条件下,通过调节溅射功率和溅射氩气压强,沉积的CdTe薄膜显示了一系列结构形态。研究了无CdTe薄膜沉积、非晶CdTe薄膜沉积、晶化CdTe薄膜沉积的生长条件,并采用卢... 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了CdTe单层薄膜,实验表明:在室温条件下,通过调节溅射功率和溅射氩气压强,沉积的CdTe薄膜显示了一系列结构形态。研究了无CdTe薄膜沉积、非晶CdTe薄膜沉积、晶化CdTe薄膜沉积的生长条件,并采用卢瑟福散射理论解释了溅射CdTe薄膜生长机制的分子动力学过程。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 非晶CdTe薄膜 XRD 卢瑟福散射理论

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利用^4He—O共振散射测量SiOxNy功能梯度薄膜中氧的深度分布 被引量：1

7

作者 於伟峰 张伟 +2 位作者 包宗明 周筑颖 伍怀龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期405-407,共3页

利用４Ｈｅ－Ｏ共振散射测量了ＳｉＯｘＮｙ功能梯度薄膜中氧元素的深度分布。测试样品由计算机控制的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备，所用的反应气体是ＳｉＨ４（由Ｎ２稀释至１５％），Ｎ２Ｏ和ＮＨ３。测试结果表明... 利用４Ｈｅ－Ｏ共振散射测量了ＳｉＯｘＮｙ功能梯度薄膜中氧元素的深度分布。测试样品由计算机控制的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备，所用的反应气体是ＳｉＨ４（由Ｎ２稀释至１５％），Ｎ２Ｏ和ＮＨ３。测试结果表明，用作Ｒｕｇａｔｅ滤波器涂层样品中的氧元素组份明显呈周期性分布，这为验证涂层折射率在深度方向周期性变化提供了又一重要依据。同时，证实了这一测量方法对膜中轻元素氧的检测是十分有效的。 展开更多

关键词 功能梯度材料 薄膜测量 共振散射 氮氧化硅

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低能(e,2e)反应中的卢瑟福散射效应 被引量：3

8

作者 陈长进 徐克尊 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期229-233,共5页

以入射能量为６４．６ｅＶ、能量均分、共面不对称几何条件下Ｈｅ原子电子碰撞电离过程为例，分析低能（ｅ，２ｅ）反应中的碰撞机制、交换效应和卢瑟福散射效应，揭示了两种新的碰撞机制（ＤＢ碰撞和ＴＢ碰撞）的物理实质。

关键词 (E 2E)反应 三重微分截面 碰撞 卢瑟福散射

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RB SiC陶瓷的表面改性 被引量：3

9

作者 唐惠东 谭寿洪 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第2期146-150,共5页

为了改善RBSiC陶瓷反射率较低的情况,利用RF磁控溅射法在RBSiC基底表面涂覆一层结构致密的PVDSiC涂层。采用XRD表征了PVDSiC涂层的晶化程度。利用AFM和表面轮廓仪观察了RBSiC基底和PVDSiC涂层抛光后的表面形貌和表面粗糙度,并在可见光... 为了改善RBSiC陶瓷反射率较低的情况,利用RF磁控溅射法在RBSiC基底表面涂覆一层结构致密的PVDSiC涂层。采用XRD表征了PVDSiC涂层的晶化程度。利用AFM和表面轮廓仪观察了RBSiC基底和PVDSiC涂层抛光后的表面形貌和表面粗糙度,并在可见光和红外波段测量了反射率。结果表明,当采用PVDSiC涂层对RBSiC基底表面改性后,抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度Ra为0.809nm,反射率提高约为2%,最高可达99.2%,改性效果明显。PVDSiC涂层有望在可见光和红外波段获得实际应用。 展开更多

关键词 RB SIC PVD SIC涂层 表面粗糙度 散射损耗 反射率

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具有表面拉曼增强活性的银纳米材料的合成和表征(英文) 被引量：3

10

作者 黄庆利 朱霞石 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第2期442-450,共9页

利用简易无模板湿化学法合成了由纳米片组装的具有三维分级结构的银纳米材料。场发射扫描电子显微镜表明柠檬酸氢二铵在这种结构形成过程中起到很重要的作用。X射线衍射和透射电子显微镜表征进一步证明了这种结构的形成。此外本文还对... 利用简易无模板湿化学法合成了由纳米片组装的具有三维分级结构的银纳米材料。场发射扫描电子显微镜表明柠檬酸氢二铵在这种结构形成过程中起到很重要的作用。X射线衍射和透射电子显微镜表征进一步证明了这种结构的形成。此外本文还对这种分级结构进行了紫外和拉曼表征。这种新型的银纳米结构有望作为一种高灵敏度的表面拉曼增强基底。 展开更多

关键词 湿化学法 银 表面拉曼增强 罗丹明

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卢瑟福散射的计算机模拟 被引量：2

11

作者 刘淳 陈廷扬 杨润光 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第3期397-408,共12页

计算机模拟是现代科学常用的一种方法。本文介绍了用计算机模拟卢瑟福散射实验的方法,给出了模拟程序和实验结果,提供了用计算机对实验数据进行处理的方法。这是为物理系学生二年级开设选修实验所编,它采用图象动态显示,模拟出卢瑟福散... 计算机模拟是现代科学常用的一种方法。本文介绍了用计算机模拟卢瑟福散射实验的方法,给出了模拟程序和实验结果,提供了用计算机对实验数据进行处理的方法。这是为物理系学生二年级开设选修实验所编,它采用图象动态显示,模拟出卢瑟福散射实验中每个粒子入射及散射的行为情况,用微机统计了实验结果,处理了实验数据,并绘出了各种关系曲线,提供了明了的物理图象,使学生形象地了解这一闻名于世的实验,并学会用计算机模拟物理实验的方法。本文也可使学生学会使用实验数据的有效处理方法:最小二乘法,并了解计算机的有关知识。 展开更多

关键词 卢瑟福散射 计算机模拟 动态显示

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一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法 被引量：1

12

作者 黄伟 张树丹 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2502-2506,共5页

本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表... 本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表明,在600~800℃快速热退火温度下形成的Ni（Ta）Si薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi2相的最低温度提高到850℃.AES俄歇能谱,RBS卢瑟福背散射和AFM原子力显微镜分析表明,夹层金属层Ta在镍硅化反应中向表面移动,其峰值距离薄膜顶层2nm左右,在阻止氧原子参与镍硅化反应中起到很好的屏蔽层作用.Ni（Ta）Si薄膜中Ta与Ni的原子比约为2.1∶98,硅化物薄膜界面平整,均方根粗糙度仅为1.11nm.研制的高压Ni（Ta）Si/Si肖特基硅器件在650~800℃温度跨度范围内保留了与NiSi/Si肖特基相近的整流特性,因此Ni（Ta）Si硅化物在深亚微米集成电路制造中是一种令人满意的互连和接触材料. 展开更多

关键词 镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 俄歇能谱分析 卢瑟福背散射 原子力显微镜

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含杂质的卢瑟福散射的蒙特卡罗模拟 被引量：1

13

作者 李新霞 岳东宁 雷晓晨 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1740-1744,共5页

采用蒙特卡罗方法数值研究了杂质对α粒子卢瑟福散射的影响。杂质原子根据靶材的纯度以给定的概率随机替换靶材原晶格的原子。研究结果表明,考虑杂质后,出射粒子随散射角分布的曲线中形成了新的峰,峰的位置随杂质元素原子序数的增加向... 采用蒙特卡罗方法数值研究了杂质对α粒子卢瑟福散射的影响。杂质原子根据靶材的纯度以给定的概率随机替换靶材原晶格的原子。研究结果表明,考虑杂质后,出射粒子随散射角分布的曲线中形成了新的峰,峰的位置随杂质元素原子序数的增加向大角度方向移动;杂质的原子序数越低、含量越高,对卢瑟福散射出射粒子角分布的影响越明显;同时,入射粒子能量越低,杂质产生的峰对分布曲线的影响越明显。此外,对典型的C6+、N7+等重离子束的卢瑟福散射的模拟计算结果表明,重离子束对杂质有更好的分辨率。 展开更多

关键词 卢瑟福散射 杂质 散射角 蒙特卡罗模拟

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散射态粒子的双波函数研究

14

作者 王发伯 刘全慧 杨建民 《湖南师范大学自然科学学报》 CAS 1992年第2期123-127,共5页

本文给出了Coulomb场中散射态粒子的双波函数描述,并对它的有关性质进行了研究,得到了粒子的径向运动由于散射引起的延缓与相移之间的关系,以及Rutherford散射公式.

关键词 量子力学 散射态 双波函数

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钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

15

作者 曾建明 张苗 +4 位作者 高剑侠 宋志棠 郑立荣 王连卫 林成鲁 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第2期131-135,共5页

在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术... 在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征；采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相；而采用常规退火和快速退火相结合的方法，较好地解决了杂相出现的问题，得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明，室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 钛酸铋薄膜 SRP rbs 铁电薄膜

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α大角散射回眸

16

作者 曹肇基 《天津师大学报（自然科学版）》 1999年第2期66-68,共3页

回顾了α大角散射实验。

关键词 Α粒子 α大角散射 卢瑟福散射理论 Α射线

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建立α粒子散射理论的另一种方法

17

作者 耿有德 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期81-84,共4页

本文是介绍一种建立α粒子散射理论的方法。这种处理方法比常见的方法为好,因为它不需要几何学的双曲线知识。

关键词 Α粒子散射 碰撞距离 散射理论

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基于变步长Velocity Verlet算法的卢瑟福散射模拟的优化

18

作者 周伟 张宜新 +3 位作者 刘学锋 杨喜峰 王殿生 王玉斗 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第10期80-83,共4页

该文基于已有的卢瑟福散射模拟程序效率比较低的问题,对现有的模拟程序进行了优化。首先对比了多种轨迹算法计算误差及效率,并优选出了Velocity Verlet算法,继而根据入射粒子的具体受力情况对模拟过程中的步长Δt进行了动态处理。比较... 该文基于已有的卢瑟福散射模拟程序效率比较低的问题,对现有的模拟程序进行了优化。首先对比了多种轨迹算法计算误差及效率,并优选出了Velocity Verlet算法,继而根据入射粒子的具体受力情况对模拟过程中的步长Δt进行了动态处理。比较了优化前后的模拟效果,发现优化后的程序能够在保持模拟精度不变的情况下大幅提高模拟效率。 展开更多

关键词 卢瑟福散射 Velocity Verlet算法 程序优化 计算机模拟

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