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一种缓解多线程访存干扰的VRB内存机制
1
作者
高珂
范东睿
刘志勇
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2015年第11期2577-2588,共12页
目前处理器通过持续增加核数和同时执行的线程数来提高系统性能.但是,增加共享内存的处理器核数和线程数会使得存储器中的行缓存(row-buffer,RB)命中率下降,造成存储器访问功耗增加和访存延迟增加.设计并开发了一种细粒度的victim row-b...
目前处理器通过持续增加核数和同时执行的线程数来提高系统性能.但是,增加共享内存的处理器核数和线程数会使得存储器中的行缓存(row-buffer,RB)命中率下降,造成存储器访问功耗增加和访存延迟增加.设计并开发了一种细粒度的victim row-buffer(VRB)内存机制系统来解决此问题.VRB机制提供附加的行缓存(VRB),暂时缓存由于行缓存(RB)冲突而从行缓存(RB)逐出的数据,以备后续可能的访问.这种机制缓解了多线程冲突,增加了DRAM中行缓存数据的重用率,避免了不必要的内存数据阵列的访问、行激活和预充电、数据传输等电路动作,可以通过少量的硬件代价提高内存系统的性能,并节约系统的功耗消耗.通过时序精确的全系统模拟器实验,对比8核的Intel Xeon处理器,所提出的VRB机制可以达到最高17.6%(平均8.7%)的系统级吞吐率改善、最高142.9%(平均51.4%)的行缓存命中率改善以及最高17.6%(平均9.2%)的系统功耗改善.
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关键词
DRAM结构设计
行缓存
功耗消耗
多线程
V
rb
机制
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职称材料
存储器行缓冲区命中预测研究
被引量：
1
2
作者
王得利
高德远
+1 位作者
王党辉
孙华锦
《计算机科学》
CSCD
北大核心
2010年第6期297-302,共6页
存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈。现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问操作的平均延迟。首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计数器预测器和2级预测器等两种...
存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈。现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问操作的平均延迟。首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计数器预测器和2级预测器等两种预测器方案;然后以SimpleScalar搭建的仿真平台对提出的预测方案进行了性能评估。结果显示,与缓冲区"关"策略相比,平均访问延迟减少了26%,IPC平均提高了4.3%;与缓冲区"开"策略相比,平均访问延迟减少了19.6%,IPC平均提高了2.5%。
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关键词
存储系统
行缓冲区
页模式预测
读写分离
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职称材料
基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析
被引量：
9
3
作者
陈龙龙
魏晓光
+4 位作者
张闻闻
崔翔
高冲
贺之渊
汤广福
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第4期1537-1546,共10页
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介...
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介绍最新研制的4500V/3000A逆阻IGCT的技术参数;其次,介绍CSC拓扑方案,提出子模块缓冲电路,能够实现器件的动态均压和IGCT取能的要求;接着,以换流阀电压和电阻损耗最低为约束条件,给出子模块串联数、缓冲电路参数设计和损耗分析等综合优化方法;然后,搭建250kV/750MW的LCC-CSC混合输电系统模型,给出缓冲电路和主要杂散参数的范围;最后,基于研制的4500V/3000A的逆阻IGCT子模块,验证所提缓冲电路的有效性,并对比分析在该参数下CSC、传统直流和柔性直流的损耗情况。结果表明,由逆阻IGCT串联构成的CSC,相对于传统直流换流阀具有可控关断的技术优势,相对于柔直换流阀,具有器件少、损耗低等优势。
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关键词
逆阻型集成门极换流晶闸管
电流源换流器
缓冲电路
测试模块
结温计算
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职称材料
题名
一种缓解多线程访存干扰的VRB内存机制
1
作者
高珂
范东睿
刘志勇
机构
计算机体系结构国家重点实验室(中国科学院计算技术研究所)
中国科学院大学
北京市移动计算和新型终端重点实验室(中国科学院计算技术研究所)
出处
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2015年第11期2577-2588,共12页
基金
国家"九七三"重点基础研究发展计划基金项目(2011CB302501)
国家自然科学基金项目(61020106002
+2 种基金
61221062)
NSFC与香港RGC合作项目(61161160566)
"核高基"国家科技重大专项基金项目(2013ZX0102-8001-001-001)
文摘
目前处理器通过持续增加核数和同时执行的线程数来提高系统性能.但是,增加共享内存的处理器核数和线程数会使得存储器中的行缓存(row-buffer,RB)命中率下降,造成存储器访问功耗增加和访存延迟增加.设计并开发了一种细粒度的victim row-buffer(VRB)内存机制系统来解决此问题.VRB机制提供附加的行缓存(VRB),暂时缓存由于行缓存(RB)冲突而从行缓存(RB)逐出的数据,以备后续可能的访问.这种机制缓解了多线程冲突,增加了DRAM中行缓存数据的重用率,避免了不必要的内存数据阵列的访问、行激活和预充电、数据传输等电路动作,可以通过少量的硬件代价提高内存系统的性能,并节约系统的功耗消耗.通过时序精确的全系统模拟器实验,对比8核的Intel Xeon处理器,所提出的VRB机制可以达到最高17.6%(平均8.7%)的系统级吞吐率改善、最高142.9%(平均51.4%)的行缓存命中率改善以及最高17.6%(平均9.2%)的系统功耗改善.
关键词
DRAM结构设计
行缓存
功耗消耗
多线程
V
rb
机制
Keywords
DRAM architecture design
row buffer（rb）
power consumption
multi-threaded
victim
row
-
buffer（
V
rb）
mechanism
分类号
TP302 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
存储器行缓冲区命中预测研究
被引量：
1
2
作者
王得利
高德远
王党辉
孙华锦
机构
西北工业大学计算机学院
出处
《计算机科学》
CSCD
北大核心
2010年第6期297-302,共6页
基金
国家自然科学基金项目(60573107)
国家自然科学基金项目(60573143)
国家863项目(2007aa010402)资助
文摘
存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈。现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问操作的平均延迟。首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计数器预测器和2级预测器等两种预测器方案;然后以SimpleScalar搭建的仿真平台对提出的预测方案进行了性能评估。结果显示,与缓冲区"关"策略相比,平均访问延迟减少了26%,IPC平均提高了4.3%;与缓冲区"开"策略相比,平均访问延迟减少了19.6%,IPC平均提高了2.5%。
关键词
存储系统
行缓冲区
页模式预测
读写分离
Keywords
Memory system,
row
buffer
,Page mode prediction,Separated read and write
分类号
TP302 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析
被引量：
9
3
作者
陈龙龙
魏晓光
张闻闻
崔翔
高冲
贺之渊
汤广福
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第4期1537-1546,共10页
基金
国家电网公司科技项目(基于可控关断的电流源型换流器关键技术研究及样机研制)(5211DS20001H)。
文摘
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介绍最新研制的4500V/3000A逆阻IGCT的技术参数;其次,介绍CSC拓扑方案,提出子模块缓冲电路,能够实现器件的动态均压和IGCT取能的要求;接着,以换流阀电压和电阻损耗最低为约束条件,给出子模块串联数、缓冲电路参数设计和损耗分析等综合优化方法;然后,搭建250kV/750MW的LCC-CSC混合输电系统模型,给出缓冲电路和主要杂散参数的范围;最后,基于研制的4500V/3000A的逆阻IGCT子模块,验证所提缓冲电路的有效性,并对比分析在该参数下CSC、传统直流和柔性直流的损耗情况。结果表明,由逆阻IGCT串联构成的CSC,相对于传统直流换流阀具有可控关断的技术优势,相对于柔直换流阀,具有器件少、损耗低等优势。
关键词
逆阻型集成门极换流晶闸管
电流源换流器
缓冲电路
测试模块
结温计算
Keywords
reverse blocking integrated gate-commutated thyristor(
rb
-IGCT)
current source converter
buffer
circuit
test module
junction temper calculation
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种缓解多线程访存干扰的VRB内存机制
高珂
范东睿
刘志勇
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
存储器行缓冲区命中预测研究
王得利
高德远
王党辉
孙华锦
《计算机科学》
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析
陈龙龙
魏晓光
张闻闻
崔翔
高冲
贺之渊
汤广福
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023
9
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职称材料
已选择
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