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逆导型IGBT发展概述被引量：11: 1; 作者张文亮田晓丽 +1 位作者谈景飞朱阳军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期836-841,共6页; 逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在... 展开更多; 关键词绝缘栅双极型晶体管逆导型绝缘栅双极型晶体管初次回跳二次回跳引导区; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器被引量：6: 2; 作者肖华锋谢少军《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第31期110-114,共5页; 电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖... 展开更多; 关键词电流源型半桥变换器零电流开关逆阻型绝缘栅双极性晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展被引量：3: 3; 作者张广银沈千行 +3 位作者张须坤田晓丽卢烁今朱阳军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页; 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优... 展开更多; 关键词功率器件逆阻型绝缘栅双极型晶体管(rb-igbt) 反向阻断隔离技术终端混合隔离; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆导型IGBT发展综述被引量：6: 4; 作者刘志红汤艺盛况《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期550-561,共12页; 该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管反向恢复动态波形优化、器件纵向漂移区载流子浓度分布优化、器件横向载流子密度及电场分布均匀性优化、... 展开更多; 关键词逆导型IGBT RC—IGBT 回跳反向恢复载流子分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析被引量：2: 5; 作者崔磊杨通 +2 位作者张如亮马丽李旖晨《中国电力》 CSCD 北大核心 2022年第9期98-104,共7页; 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用。为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻... 展开更多; 关键词绝缘栅双极型晶体管逆阻场限环复合终端双掺杂场限环; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆导型IGBT电压回跳现象在电路应用中的影响分析被引量：2: 6; 作者黄靖杰马柯 +1 位作者犬石昌秀张明《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第3期183-192,共10页; 逆导型IGBT(RC-IGBT)是一种新型功率半导体器件,实现了IGBT和续流二极管的片内集成,具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良好的功率循环能力和关断特性等诸多优势。RC-IGBT正向导通时存在电压回跳现象,建立物理模型详细分析... 展开更多; 关键词逆导型IGBT 回跳现象并联均流测试软开关测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

回跳现象对RC-IGBT器件功率循环测试的影响被引量：2: 7; 作者谢露红赵雨山 +3 位作者邓二平张莹王哨黄永章《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第14期5607-5618,共12页; 逆导型绝缘栅双极型晶体管(reverse conducting insulated gate bipolar transistor,RC-IGBT)是一种新型IGBT器件,其在IGBT芯片结构中集成了一个快恢复二极管,具有成本低、封装工艺简单、功率密度高、抗浪涌电流能力高等特点,因而备受... 展开更多; 关键词逆导型绝缘栅双极型晶体管回跳现象结温测量并联分流功率循环测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真被引量：1: 8; 作者杨坤进汪德文《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期517-520,529,共5页; 仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"... 展开更多; 关键词绝缘栅双极晶体管(IGBT) 非穿通型(NPT) 逆向导通(RC) “折回效应” 电导调制效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型IGBT发展概述被引量：11: 1; 作者张文亮田晓丽谈景飞朱阳军; 机构中国科学院微电子研究所江苏物联网研究发展中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期836-841,共6页; 基金国家科技重大专项(2011ZX02503-003 2011ZX02504-002); 文摘逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在实际中的应用。研究了逆导型IGBT器件的结构原理以及回跳现象产生的原因,介绍了引导区结构和背面版图正交布局两种有效抑制回跳现象的方法。通过合理的设计,逆导型IGBT基本上克服了传统的特性缺陷,这将使逆导型IGBT在未来有更为广阔的应用前景。; 关键词绝缘栅双极型晶体管逆导型绝缘栅双极型晶体管初次回跳二次回跳引导区; Keywords reverse conducting-insulated gate bipolar transistor（IGBT） RC-IGBT primary snap-back secondary snap-back pilot IGBT; 分类号 TN389 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器被引量：6: 2; 作者肖华锋谢少军; 机构南京航空航天大学自动化学院; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第31期110-114,共5页; 文摘电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖峰和有效减小谐振电流峰值。该文详细分析了这种新型变换器的工作原理和特性,并在一个600W的原理样机上进行验证,最后给出试验结果。; 关键词电流源型半桥变换器零电流开关逆阻型绝缘栅双极性晶体管; Keywords current-fed half-bridge converter zero-current-switching reverse blocking insulated gate bipolar transistor; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展被引量：3: 3; 作者张广银沈千行张须坤田晓丽卢烁今朱阳军; 机构中国科学院大学中国科学院微电子研究所江苏物联网研究发展中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页; 基金国家重大科技专项资助项目(2013ZX02305-005-002) 国家自然科学基金资助项目(51490681) 省院合作高技术产业化专项资金项目(2016SYHZ0026); 文摘逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。; 关键词功率器件逆阻型绝缘栅双极型晶体管(rb-igbt) 反向阻断隔离技术终端混合隔离; Keywords power device reverse blocking-insulated gate bipolar transistor（rb-igbt） reverse blocking isolation technique termination hybrid isolation; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型IGBT发展综述被引量：6: 4; 作者刘志红汤艺盛况; 机构浙江大学电气工程学院嘉兴斯达半导体股份有限公司; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期550-561,共12页; 基金上海市科委科研计划项目(18511105100)~~; 文摘该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管反向恢复动态波形优化、器件纵向漂移区载流子浓度分布优化、器件横向载流子密度及电场分布均匀性优化、器件工作时的温度特性、工艺问题及器件仿真问题等。文中同时简要介绍ABB、英飞凌、三菱及富士推出的最新一代逆导型IGBT器件的器件特性及结构特征。; 关键词逆导型IGBT RC—IGBT 回跳反向恢复载流子分布; Keywords reverse-conducting insulated gate bipolar transistor RC-IGBT snap-back reverse recovery carrier profile; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析被引量：2: 5; 作者崔磊杨通张如亮马丽李旖晨; 机构国网智能电网研究院有限公司西安理工大学电子工程系西安理工大学应用物理系; 出处《中国电力》 CSCD 北大核心 2022年第9期98-104,共7页; 基金国家重大研发计划资助项目(2015ZX02301002) 国网智能电网研究院有限公司科技项目(53ZCGB190001)。; 文摘绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用。为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻型IGBT。针对常规逆阻IGBT终端面积大的问题,提出了一种改进型复合终端结构,采用双掺杂场限环,在P型场限环旁边引入N型轻掺杂区。改进结构减小了耗尽区横向扩展速率,增强器件可靠性,节省终端面积占用并提高了终端效率。; 关键词绝缘栅双极型晶体管逆阻场限环复合终端双掺杂场限环; Keywords insulated gate bipolar transistor reverse blocking field limiting ring composite terminal double doped field limiting ring; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型IGBT电压回跳现象在电路应用中的影响分析被引量：2: 6; 作者黄靖杰马柯犬石昌秀张明; 机构上海交通大学电气工程系早稻田大学院生产信息系统研究科; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第3期183-192,共10页; 文摘逆导型IGBT(RC-IGBT)是一种新型功率半导体器件,实现了IGBT和续流二极管的片内集成,具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良好的功率循环能力和关断特性等诸多优势。RC-IGBT正向导通时存在电压回跳现象,建立物理模型详细分析其产生机理及影响因素,得出了缓冲层掺杂浓度是决定回跳电压大小的重要因素。进一步通过控制变量法,利用TCAD仿真软件,从导通特性、并联均流特性和开关特性三个方面详细测试,分析了具有不同程度回跳现象的RC-IGBT在实际电路应用中的影响。通过合理的参数选择,可将回跳电压控制在可接受的范围内,并提高了器件的综合性能,为RC-IGBT设计优化和实际应用提供了有价值的参考和理论指导。; 关键词逆导型IGBT 回跳现象并联均流测试软开关测试; Keywords reverse conducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT) snapback effect parallel current-sharing test soft switching test; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名回跳现象对RC-IGBT器件功率循环测试的影响被引量：2: 7; 作者谢露红赵雨山邓二平张莹王哨黄永章; 机构新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 国网浙江省电力有限公司龙港市供电公司; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第14期5607-5618,共12页; 文摘逆导型绝缘栅双极型晶体管(reverse conducting insulated gate bipolar transistor,RC-IGBT)是一种新型IGBT器件,其在IGBT芯片结构中集成了一个快恢复二极管,具有成本低、封装工艺简单、功率密度高、抗浪涌电流能力高等特点,因而备受工业界关注,对其可靠性的要求也越来越高。但是,由于RC-IGBT器件特殊的芯片结构,使得其输出特性曲线上具有回跳现象。而回跳现象是否会对RC-IGBT可靠性的考察产生影响还有待研究。因此文中首先深入分析回跳现象产生的机理,并结合考察器件可靠性最重要的实验——功率循环实验的原理阐述,分析得到回跳现象可能会对功率循环中结温测量、并联分流和功率循环寿命及失效形式3个方面产生影响,并通过设计实验进行论证。实验结果表明,回跳现象会对VCE(T)法进行结温测量产生影响,而对VF(T)法进行结温测量没有影响;通过并联分流实验发现,具有较小回跳电压的器件会在电流流过器件瞬间分得更多的电流,但是其影响时间较短;通过不同导通模式下的功率循环实验对比分析可知,回跳现象对分立器件的功率循环寿命及失效方式没有影响。; 关键词逆导型绝缘栅双极型晶体管回跳现象结温测量并联分流功率循环测试; Keywords reverse conducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT) snap-back phenomenon junction temperature measurement current distribution in parallel power cycling test; 分类号 TN322 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真被引量：1: 8; 作者杨坤进汪德文; 机构深圳深爱半导体股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期517-520,529,共5页; 基金深圳市2012年高新技术产业发展专项; 文摘仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"折回效应"的影响。用"MOSFET+pin二极管"等效电路模型分析了仿真结果中得到的结论。结果表明,Ln/Lp与n-漂移区厚度对"折回效应"幅度影响显著。在n-漂移区厚度为60μm时,Ln/Lp尺寸比例在5/11和2/14(μm/μm)之间,"折回效应"幅度较低,并且反向二极管具有导通能力,可以成为对应RC-NPT-IGBT的工艺窗口;在n-漂移区厚度达到150μm时,"折回效应"接近消失,Ln/Lp尺寸比例可以有更宽的选择。; 关键词绝缘栅双极晶体管(IGBT) 非穿通型(NPT) 逆向导通(RC) “折回效应” 电导调制效应; Keywords insulated gate bipolar transistor （IGBT） non-punch-through （NPT） reverse-conducting （RC） snap-back effect conductivity modulation effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	逆导型IGBT发展概述	张文亮田晓丽谈景飞朱阳军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	11	在线阅读下载PDF 职称材料
2	采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器	肖华锋谢少军	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展	张广银沈千行张须坤田晓丽卢烁今朱阳军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	逆导型IGBT发展综述	刘志红汤艺盛况	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2019	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析	崔磊杨通张如亮马丽李旖晨	《中国电力》 CSCD 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	逆导型IGBT电压回跳现象在电路应用中的影响分析	黄靖杰马柯犬石昌秀张明	《电源学报》 CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	回跳现象对RC-IGBT器件功率循环测试的影响	谢露红赵雨山邓二平张莹王哨黄永章	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真	杨坤进汪德文	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料